异丙醇-ClO——H2O2化学发光新体系研究

本文首次报道异丙醇-ClO--H2O2新体系的化学发光,对影响该化学发光反应的因素进行了研究,并探讨了该发光新体系的分析应用和反应机理。     

N—甲基异靛蓝在不同溶剂中的^1H—NMR研究

用选择照射方法研究了N-甲基异靛蓝(isoindigatin)在(CD_3)_2CO、CDCl_3、DMSO-d_6溶剂中及重水交换后的~1H NMR谱。得到了化学环境极为类似的两芳环质子在不同溶剂中的NMR谱线归属和偶合常数。     

Vacancy in 6H—Silicon Carbide Studied by Slow Positron Beam

The defect changes in 6H-SiC after annealing and 10MeV electron irradiation have been studied by using a variable-energy positron beam.It was found that after annealing,the defect concentration in n-type 6H-SiC decreased due to recombination with interstitials.When the sample was annealed at 1400℃ for 30 min in vacuum,a 20-nm thickness Si layer was found on the top of the SiC substrate,this is a direct proof of the Si atoms diffusing to surface when annealed at high temperature stages.After 10MeV electron irradiation,for n-type 6H-SiC,the S parameter increased from 0.4739 to 0.4822,and the relative positron-trapping rate was about 27.878 times of the origin sample,this shows that there are some defects created in n-type 6H-SiC.For p-type 6H-SiC,it is very unclear,this may be because of the opposite charge of vacancy defects.     

HL—1M托卡马克等离子体Hα观测

等离子体参烽的提高及约束改善是受控核聚变主要的研究课题之一。对于工作气体为氢和氘的等离子体,对Hα／Dα辐射的观测十分重要。氢原子由一个原子核和一个电子,在可见光范围,巴尔末线系Hα656．28nm辐射是最强的光,激发能E＝12．09eV,跃迁2p·^2p0-3d·^2D,一个光子能量hv=3.03×10^-19W。电离能E∞=13.6eV。HL－1等离子体参数为R＝102cm,α＝17-26cm,电子温度Te=0.3-1.5keV,电子密度ne-10^19m^-3,可认为光性薄,采用日冕模型,经钨带灯标定,Hα辐射强度可写为：     

Hubbard—Hirsch模型中的电子相关效应

基于同一格点的电子相关，把局域方法用于Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型铁磁相。在二阶计算中使用Ｒ＝０，ａ近似，仔细研究了电子相关效应对基态相图的影响．由于计及了密度矩阵非对角元，其影响与Ｒ＝０近似相比变弱。     

a-C:H薄膜的光致发光

利用射频辉光放电法沉积a-C:H薄膜,研究不同测量温度、不同退火温度光致发光光谱的变化,以及光致发光光谱随光子能量的变化,实验表明:随着测量温度的升高发光效率降低,用非晶碳网络的二相系统模型对这些结果作了解释。另外,光致发光光谱也随着激发光能量的不同而变化,当激发光能量接近光学带隙E_opt时,发光强度最高。 关键词：     

外加径向电场诱发的类H模及其极向粘滞电流

由外加径向电场触发的类L-H模式的实验中,等离子体碰撞参数γ_(*i)可高于Shaing的理论所预计的临界值。本文试图将Shaing的分叉理论从没有外加径向电场推广至有外加径向电场的情形。引起极向旋转力矩的径向电流为本征的和外加的径向电流之和,它接近于等效粘滞电流。类H模既可由正的外加电场也可由负的外加电场所促成。     

H5^—团族正四面体中心结构与能量的变分计算

选用类Ｃ原子波函数,在单中心球模型近似下,利用变分法计算了Ｈ５＾－团簇正四面体中心结构与能量。结果表明当中心Ｈ原子核到顶角Ｈ原子核之间的距离Ｒ＝１．５８ａ０时,体系能量有一极小值－２．８０３６ｈ．ａ．ｕ．。这表明Ｈ５＾－的正四面体中心结构是可能稳定存在的。计算结果与用ＭＡＣＱＭ法计算的结果基本相符,表明采用的物理模型及其计算方法是合理可靠的。     

通过Hα／Dα及杂质辐射研究HL—1等离子体特体

利用石英光纤光导，ＷＤＳ－３单色仪和光电倍增管等构成的８道光电系统，通过观察Ｈα／Ｄα及杂质的辐射，研究了在低温杂波电流驱动、电子回旋共振热、氩弹丸注入、孔栏加偏压及补送氦气等不同放电条件下的ＨＬ－１托卡马克等离子体的特体，并得到了较好的结果。     

The MACQM Calculation for the BInding Energy of the Equilateral Triangle Structure of H3^— Cluster

Considering that the equilateral triangle structure of H3^- cluster can be formed from the interaction of H^- with two hydrogen atoms,a modified arrangement channel quantum mechanics method has been used to calculate the total energy curve for this structure,The result shows that the cureve has a minimal energy-1.6672 a.u.at an internuclear distance of 1.77a0,so its dissociation energy(binding energy)is D(H^- H H)=0.1395,a.u.This means that the cluster H3^- may be formed in an equilateral triangle structure with a bond length of 1.77α0.     

大气中Pd-H(D)系中H(D)的释放及其表面附近H的分布

将经过950℃热处理后缓慢冷却及淬火处理的Pd样品,分别作为阴极在重水(D₂O)和轻水(H₂O)中进行150h电解,以引入H和D。用X射线衍射方法测量Pd-H(D)系存放于大气中经过不同时间后的衍射图及β相晶格常数的变化,并用¹H(¹⁹F,αγ)¹⁶O核反应测量H在各Pd-H(D)系表面层中的分布。淬火Pd与退火Pd相对比,在电解吸H(D)后,前者初始含H(D)百分比较高而H(D)的释放速度较快。H的浓度在Pd-H合金的表面处达到极大值而在离表面深度为数百埃处达到极小值。 关键词：     

B掺杂a-SiC:H/本征a-Si:H异质结中的B扩散

本文用 ¹¹B(p,a)⁸ Be(E_{r=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。 关键词：}     

a—Si：O：H薄膜微结构及其高温退火行为研究

以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备的氢化非晶硅氧（a-Si:O:H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究。结果表明a-Si:O:H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅（a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiOx:H(x≈1.35)。经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiOx:H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同时发生结构相变,形成稳定的SiO2和SiOx(x≈0.64);在析出的Si原子参与下,薄膜中a-Si颗粒固相晶化的成核和生长过程得以进行,形成纳米晶硅（nc-Si),研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构,在nc-Si颗粒表面和外围SiO2介质之间存在着纳米厚度的SiOx(x≈0.64)中间相。     

用椭偏法分析单波段及双波段兼容a—C：H增透膜

讨论了在单昌锗上为获得单波段（３－５μｍ）及双波段（３－５μｍ，８－１２μｍ）兼容ａ－Ｃ：Ｈ增透膜所必需的膜系设计，及用椭偏法对该膜进行的增透结果分析。结果表明，ａ－Ｃ：Ｈ膜是理想的红外增透膜。椭偏法对分析所制备的膜是否符合膜系设计要求及沉积工艺参数的确定具有重要意义。     

H3^＋和H4^＋分子的几何构型与性质

用从头算法得到Ｈ３＾＋只有唯一构型，而Ｈ４＾＋则有１０种不同的可能构型存在，其中包括Ｄ２ｈ、Ｄ∞ｈ、Ｃ３ｖ、Ｃ２ｖ等不同的几何构型。同时，计算表明Ｈ４＾＋和Ｈ４＾＋是不能稳定存在的，并详细地讨论了其Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｌｅｒ效应。