Al局域替代La1.85Sr0.15CuO4中的Cu引起的电子结构变化

本用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究Ａｌ局域替代Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４中的Ｃｕ引起的电子结构变化。认为Ａｌ替代后使得ＣｕＯ２面空穴载流子浓度减少，这对超导电性有相当破坏作用；此外，因掺杂而诱导出的有效磁矩也对超导电性起部分破坏作用。     

在SrTiO3、LaAlO3和Y-ZrO2衬底上外延生长La1.85Sr0.15CuO4、La2CuO4和Nd1.85Ce0.15CuO4、Pr2CuO4薄膜

利用脉冲激光法研究了在（１００）ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）、（１００）ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）和（１００）Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）衬底上外延生长ＬａＣｕＯ４（ＬＣＯ）,Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４（ＬＳＣＯ）,Ｎｄ１．８５Ｃｅ０．１５ＣｕＯ４（ＮＣＣＯ）和Ｐｒ２ＣｕＯ４（ＰＣＯ）薄膜的工艺技术。利用Ｘ光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。Ｘ射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底     

超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯复合材料的输运性质

采用热压法获得了具有不同混合比例的超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4/超高分子量聚乙烯导电复合材料,并利用x射线衍射、扫描电子显微镜和标准四引线方法对复合材料的结构和低温电输运性质进行测量.实验结果显示,超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4颗粒随机分布在聚合物本体中,相互间没有连接构成网络结构.在正常态下,复合材料的电阻-温度变化曲线给出类半导体行为.但对应于超导氧化物La1.85Sr0.15CuO4的超导转变温度Tc处,复合材料的电阻-温度变化曲线出现了极小值.室温下电阻率ρ随外加电场强度E的变化曲线测量结果表明,ρ-E曲线为一线形关系,随着电场强度E增加,电阻率ρ下降.文中对可能存在的导电机制进行分析,结果表明隧道贯穿模型可以很好地解释复合材料的导电机制.另外,外加电场强度E对复合材料的电输运特性有明显的影响.     

La1.85Sr0.15CuO4纳米线阵列的微结构与超导电性

采用溶胶-凝胶结合多孔氧化铝硬模板约束的方法,成功制备出直径约30nm的La1.85Sr0.15CuO4纳米线阵列,用XRD与X-ray EDX测定了所制备纳米线的物相与成分;FE-SEM与TEM表征了其形貌特征;由HRTEM与SAED测量分析了其微结构;磁化强度的测量结果表明样品具有Tc= 30 K的超导电性,比块材La1.85Sr0.15CuO4的Tc稍低.分析表明所制备的样品中存在一种a,b轴拉伸,c轴压缩的结构畸变,减弱了铜氧面内Cu3d和O2p轨道的杂化程度,减小了a,b面内的态密度,从而压制了体系的超导电性.     

薄膜厚度对La1.85Sr0.15CuO4薄膜结构和超导电性的影响

使用直流同轴磁控溅射法,在SrTiO3(STO)衬底上成功制备出c取向的La1.85Sr0.15CuO4(LSCO)超导薄膜.通过电输运测量系统和X射线衍射仪研究了薄膜厚度对LSCO(x＝0.15)薄膜电学性质和晶体结构的影响.实验证明随着膜厚增加,(006)衍射峰的半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)逐渐减小,薄膜的取向性增强,与此同时,薄膜的超导转变温度TC逐渐提高.     

Zn,Ni,Mg高掺杂La1.85Sr0.15CuO4的晶体结构比较

对Zn ,Ni,Mg高掺杂的La1.85Sr0 .15CuO4 (LSCO)超导体的X射线衍射谱进行了仔细的分析 ,从而获得了各掺杂样品的晶格常量、原子结构参量及衍射的峰形参量 ,比较了不同掺杂所引起的晶体结构的差异 ,计算了由于掺杂所产生的晶格内部的微应变 ,结果表明非磁性金属Zn ,Mg掺杂比磁性金属Ni掺杂更强烈地抑制了LSCO的超导电性可能与材料中晶格的微应变有关     

柠檬酸盐凝胶法制备La1.85Sr0.15CuO4超导样品工艺研究

采用溶胶凝胶法制备LSCO超导样品.凝胶中不同组元分布均匀,达到分子级的程度,有利于样品成相.通过我们的研究发现,仅在750℃就可以合成具有超导性的LSCO样品;处理过程中通氧,有利于有机物的分解,消除残余碳氮含量.     

电子型超导体Nd1.85Ce0.15CuO4单晶输运性质研究

我们测量了最佳掺杂的Nd1．85Ce0．15CuO4单晶的电阻率和ab面以及c方向热电势．ρ-T曲线在高温下表现为非常好的直线，超导转变比较尖锐Tc,mid=20．6K，说明我们的样品品质很好．低温下的电阻率拟合结果表明频率大约100K的软声子模与载流子有强烈相互作用，这是极化子模型有力的证据．对于热电势结果，令人惊奇的是，无论数值还是曲线形状，包括低温曳引峰的位置，c方向的热电势Sc与ab面内的热电势Sab非常接近．这可能是某种共同的机制导致的结果．比较Nd1．85Ce0．15CuO4和Sm1.85Ce0.15CuO4的热电势曲线可以发现，二的数值和曲线形状基本相同，而与La1．85Sr0．15CuO4差异较大，这进一步说明了顶点氧在这些体系中的作用．     

电子型最佳掺杂高温超导体Nd1.85Ce0.15CuO4-δ中的磁激发谱

文章作者用非弹性中子散射探测了电子型最佳掺杂高温超导体Nd1.85Ce0.15CuO4-δ(Tc=25K)的磁激发谱.当样品的温度从正常态逐渐降低至超导态时,在以波矢Q=(π,,π0)为中心的区域,系统打开了一个小于4m eV的自旋隙,与此同时,在9.5m eV附近出现了一个"中子-自旋磁共振峰",并且"共振峰"的强度随温度的变化关系类似于超导序参量在超导相变发生时的变化,这一点与以前发现的各种空穴型超导体以及电子型超导体Pr0.88LaCe0.12CuO4中的"共振峰"的性质极为相似.因此可以说明"共振峰"是所有高温超导体的共性,并且对高温超导电性的形成有着非常关键的作用.     

熔融浇铸法合成Bi—Sr—Ca—Cu—O高温超导体

将 Bi_2O_3,SrCO_3,CaCO_3,CuO 按比例混合和熔融,化合成 Bi-Sr-Ca-Cu-O 复合氧化物,浇铸成型;经高温退火处理获得起始转变温度117K,零电阻温度79K 的多相超导体.此法与通常的烧结法进行了对比.     

Effects of Magnetic Field on Charge—Ordering Transitions in La2CuO4.08 and Pr0.5Sr0.5Mno3

The applied magnetic field can result in evident changes on the charge-ordering transitions in both Cu-based high Tc superconductors and Mn-based colossal magnetioresistance materials.Alternations of charge modulation and melting of well-defined charge stripes can be commonly observed when the magnetic field is over 2T.We herein present the experimental data obtained in LaCuO4.08 and Pro0.5Sr0.5MnO3 materials,illustrating this kind of interesting phenomena at low temperatures.In particular,some essential structural features alternating along with charge-ordering transition have been discussed.     

电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的制备和品质鉴定

本研究了助溶剂法生长了Sm2-xCeXCuO4单晶的可行性，制备出x=0.15,Sm2-x=CexCuO4单晶，并作了品质鉴定，为了研究坩埚中的Al掺入的情况，对电阻率和热电势进行了测量。     

Bi—Sr—Ca—Cu—O体系中的120K超导相研究

本文报道了在 Bi-Sr-Ca-Cu-O 体系中发现120K 相的实验结果.样品的电阻在130K 时开始超导转变,在120K 时下降到约为130K 时的8%,最后在98K 出现零电阻.文中对样品进行了相分析和显微结构观察.     

La1.85Cr0.15Cu1—xFexO4—y的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＲＩＤ直流磁强研究了Ｌａ１．８５Ｃｒ０．１５Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯ４－ｙ（ｘ＝０．０，０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｉｓｓ行为。与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．     

高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。     

Low-Temperature Specific Heat of the Underdoped La2-xSrxCuO4 Single Crystals

We report the low-temperature specific heat of La2-xSrxCuO4(x=0.063) single crystals before and after annealing in the temperature region of 2-10K and magnetic fields up to 12T.The data confirm the √H dependence of the linear term coefficient γ predicted for d-wave paring in the Volovik theory at T=0 K.However,the data do not satisfy the proposed Simon-Lee scaling law at finite temperatures,i.e.CDOS/(T^2)=fT√H),where f is an unknown scaling function and CDOS is the extra specific heat contributed by the nodal quasiparticles due to the Doppler effect.Possible reasons for this failure are presented.     

MgB2超导体的同位素效应

本基于双带模型，通过引入非电子—声子相互作用并利用自洽近似方法在贴理论框架内讨论了硼化镁超导体的同位素效应，并探讨了非电子。声子相互作用对体系超导电性的作用。