La_(1．6-x)Nd_(0．4)Sr_xCuO_4超导电性的反常特性

分析并讨论了La_(1．6-x)Nd_(0．4)Sr_x CuO_4系列单相性样品(x=0．08～0．25)的晶体结构和超导电性。结果表明,晶体结构随着Sr掺杂量的变化规律与La_(2-x)Sr_x CuO_4系列相似。超导电性方面,La_(1．6-x)Nd_(0．4)Sr_x CuO_4系列超导转变温度均远小于相应的La_(2-x)Sr_xCuO_4系列组分。同La_(1．875)Ba_(0．125)CuO_4相似,La_(1．48)Nd_(0．4)Sr_(0．12)CuO_4处出现显著的极小值8K但高于La_(1．875)Ba_(0．125)CuO_4。La_(1．6-x)Nd_(0．4)Sr_x CuO_4系列的超导电性明显与La_(2-x)Sr_x CuO_4系列有着不同的特性,虽然同La_(2-x) Ba_xCuO_4系列相似但仍有区别。我们从其晶体结构的反常变化的角度对La_(1．6-x)Nd_(0．4)Sr_x CuO_4系列反常的超导电性做了初步的解释。     

原电池法室温制备Ba_(1-x)Ca_xMoO_4固溶体薄膜

在含Ca_~(2+)和Ba~(2+)的碱性溶液中,通过原电池法在室温条件下制备了Ba_(1-x)Ca_xMoO_4多晶固溶体薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和荧光分析(FA)对所制备的薄膜进行了分析表征,研究了Ba摩尔分数对薄膜的晶相结构、表面形貌和发光性能的影响。结果表明,原电池法制备的Ba_(1-x)Ca_xMoO_4薄膜致密、均匀、结晶完好,为四方相结构。随着初始溶液中Ba含量的增加,所得Ba_(1-x)Ca_xMoO_4固溶体薄膜的形貌逐渐从CaMoO_4微晶的球形转变为BaMoO_4微晶的四方锥形。在290nm紫外光的激发下,制备的薄膜均在350nm和495nm附近呈现两个宽的发射带,其中495nm的蓝光发射明显强于350nm的紫光发射。初始溶液中的Ba/Ca的量比对所制备的Ba_(1-x)Ca_xMoO_4固溶体薄膜的发射光谱的形状和发射波长影响甚微,但对其发射强度有明显影响。     

YBa_2Pb_xCu_(3-x)O_y的临界电流特性

本文系统地研究了 Y Ba_2Pb_xCu_(3-x)O_y(0≤x≤0.4)高温超导体的正常态电阻率,交流磁化率,临界温度和临界电流密度等参量之间的关系.结果表明,在0≤x≤0.4范围内,样品的 T_c只有很小的变化,而电阻率和临界电流密度则随 x 发生显著的变化.特别是当 x=0.1时,样品的电阻率最小而相应的临界电流密度最大,在液氮温度下 J_c 为单相 Y Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的三倍多.作者还发现样品内界面层对临界电流的影响比超导相所占比例更大.作者应用McMillan 理论和 Ambegaokar-Baratoff 理论结果分析了实验数据.     

新型特效Na离子吸附剂Li1+xAlxTi2-x(PO4)3的光谱研究

采用高温固相法合成了新型特效Na离子吸附剂Li1 xAlxTi2-x(PO4)3.用XRD,FTIR,Raman等手段研究了其结构形态;对材料的激光拉曼光谱和红外光谱进行了研究和指认;并对其吸附性能进行了研究.结果表明少量Al的加入未影响到LiTi2(PO4)3的晶体结构,但使Li1 xAlxTi2-x(PO4)3对Na离子产生了特效吸附作用,可用于高纯锂盐制备过程中微量杂质钠离子的分离.其最佳吸附条件为:当x=0.4时,在pH值为10.0～11.0条件下,Li1 xAlxTi2-x(PO4)3的吸附容量达到11.76 mg·g-1.     

YBa_(2-x)Sr_xCu_3O_y体系的正电子湮没辐射一维角关联谱研究

通过对YBa_(2-x)Sr_xCu_3O_y高温超导体系正电子湮没辐射一维角关联谱的测量,并结合超导临界温度Tc、氧含量以及晶体结构的综合分析,发现:Sr的替代,使体系的正交化程度减弱,T_c系统地下降,氧含量基本不变,也没有影响Cu-O链的电子结构,但却引起了Cu-O面电子结构的较大变化。据此,作者认为Cu-O面的局域电子结构是1:2:3相高温超导体中高温超导电性的决定因素。     

Ba-Y-Ag-Cu-O体系的超导电性及其结构的研究

本文采用了以部分Ag替代在高温超导体中起重要作用的Cu的方法,制备了Ba_(1.2)Y_(1.8)Ag_(0.2)Cu_(1.8)O_(7-δ)体系的陶瓷材料。电阻测量结果表明,样品的零电阻温度达到90K。样品的X射线衍射及Raman光谱分析均表明了少量Ag离子的加入并没有产生新的物相和破坏原来的晶体结构。     

YBa2-xPrxCu3O7-δ体系中的Pr替代效应

报道了YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)(0≤x≤0.15)体系的超导电性和正常态输运性质的测量。实验结果表明随着Pr在Ba晶位替代量的增加,超导转变临界温度T_c和由Hall系数推算的荷电载流子浓度P_H均单调下降。通过与Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)和Nd_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)体系的比较研究,作者发现上述三个体系的T_c变化均与载流子浓度的变化相关联。作者进而提出,在YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中Pr的空穴填充效应 关键词：     

Y_(3-x)Ba_xCu_2O_(7-y)体系的物相与超导电性

对Y_(3-x)Ba_xCu_2O_(7-y)(0.3≤x≤2.4)体系材料的低温电阻测量和X射线衍射分析表明:1.0相似文献   

氧化物超导体的热电势率

测量了 YBa_2Cu_3O_(7-x),Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)和 Bi_(1.5) Pb_(0.5),Ca_2Sr-2Cu_3Oy 等氧化物超导体的热电势率与温度的关系,发现在超导转变前,都有一明显的峰.在温度较高时,热电势率与温度的关系可用 S=AT+B/T 表示,因而,在这些高温超导体中声子曳引热电势不能忽略,存在电-声子相互作用,我们还由热电势数据估计了上述三种氧化物超导体的费米能,它们分别为1.05eV、2.98eV 和3.24eV.     

YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中的Pr替代效应

报道了YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)(0≤x≤0.15)体系的超导电性和正常态输运性质的测量。实验结果表明随着Pr在Ba晶位替代量的增加,超导转变临界温度T_c和由Hall系数推算的荷电载流子浓度P_H均单调下降。通过与Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)和Nd_(1 x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)体系的比较研究,作者发现上述三个体系的T_c变化均与载流子浓度的变化相关联。作者进而提出,在YBa_(2-x)Pr_xCu_3O_(7-δ)体系中Pr的空穴填充效应导致可迁移空穴浓度下降,从而压制T_c;而在Y_(2-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)体系中载流子浓度的下降则是主要来源于Pr替代对空穴的局域作用,T_c同样被压制。Pr的拆对效应不明显。     

高温超导体的电子结构研究

高温超导的机理是凝聚态物理研究中的一个核心问题。为了揭示超导如何发生,一个直接的手段就是观测高温超导材料内部电子结构的演变。本文主要综述运用角分辨光电子能谱(ARPES)及共振X-射线散射对铜氧化物高温超导体及铁基超导体展开的研究。重点介绍对铜氧化物高温超导体Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ),YBa_2Cu_3O_(7-x)/La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3异质结以及SrTiO_3衬底上生长的FeSe薄膜的研究。最后作者对高温超导电子结构研究的现状进行了总结与展望。     

Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_(3-x)M_xO_(7-δ) (M=Fe,Ni)体系的超导电性

本文报道,通过对Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_(3-x)MxO_(7-δ)(M=Fe,Ni)体系样品的晶体结构、氧含量、正常态电阻率与温度的关系,以及超导转变温度等测量,并与YBa_2Cu_(3-x)MxO_(7-δ)(M=Fe,Ni)体系进行比较,发现Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)体系的Tc显著地高于相应x值的YBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)体系,而Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_(3-x)Ni_xO_(7-δ)体系则相反,Tc低于仅Ni替代的体系,表明Ca和Fe同时替代时两者引起的载流子浓度(n_H)变化相互补偿,抑制了仅Fe替代时引起的n_H和Tc急剧下降;而作Ca和Ni同时替代时主要的不是两者引起载流子浓度变化的相互补偿,Ca和Ni替代效应之间的关联较弱。作者认为,对Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)体系属于CuO_2平面外的元素替代,这时载流子浓度是决定Tc的主要因素;而对Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_(3-x)Ni_xO_(7-δ)体系,由于Ni~(2+)离子主要占据Cu(Ⅱ)位,它导致磁拆对效应,Ni~(2+)离子的拆对效应是引起Tc下降的直接原因。     

BaF_2-InF_3系统中各个相的离子电导研究

在BaF_2-InF_3系统中存在一个萤石型固溶体Ba_(1-x)In_xF_(2+x)(0相似文献   

Al~(3+)/Mo~(6+)双离子取代ZrV_2O_7中Zr~(4+)/V~(5+)实现近零膨胀

采用固相烧结法制备了Zri_(1-x)Al_(2-x)V_(2-x)Mo_xO_7(0≤x≤0.9),并通过调整Al~(3+)/Mo~(6+)对ZrV_2O_7中的Zr~(4+)/V~(5+)离子替代量来实现近零膨胀,对于较小的x值(x≤0.3),材料保持了与ZrV_2O_7相同的立方相结构.随着Al~(3+)/Mo~(6+)替代量的增加,(Al/Zr)~-和(Mo/V)~+之间的库仑相互作用逐渐加强,这种库仑相互作用导致材料中未发生畸变的立方相晶体结构逐渐减少.当x≥0.7时,材料中立方相晶体结构完全消失.在425-750 K温度区间内,Zr_(0.5)Al_(0.5)M_(0.6)O_7展示出近零膨胀性质(-0.39×l0~(-6)K~(-1)).Zr_(0.5)Al_(1.5)V_(1.5)Mo_(0.5)O_7的低热膨胀性能可能与Al~(3+)/Mo~(6+)对ZrV_2O_7中Zr~(4+)/V~(5+)部分替代引起部分晶体结构发生的畸变及其对未替代部分的晶格结构的影响有关.     

Y_1Ba_2Cu_3O_7的维度特性分析

本文中利用变换生成函数的技术计算了在Y_1Ba_2Cu_3O_7晶格上无规行走的逃逸几率,得到了弱耦合极限下的渐近表达式,推算了Y_1Ba_2Cu_3O_7的维度与Cu-O层间的耦合参量的关系,并得到从低维到三维的渡越(crossover)。理论计算表明,Y_1Ba_2Cu_3O_7是一个十分接近三维的体系。     

Doping effect on the structure and physical properties of quasi-one-dimensional compounds Ba_9Co_3(Se_(1-x)S_x)15(x=0–0.2)

A series of samples of Ba_9Co_3(Se_(1-x)S_x)15 (x=0,0.05,0.1,0.15,0.2) with quasi-one-dimensional (1D) structure were successfully synthesized under high-temperature and high-pressure conditions.The influence of partial substitution of S for Se on the structure,electronic transport,and magnetic properties of Ba_9Co_3(Se_(1-x)S_x)15 has been investigated in detail.The x-ray diffraction data shows that the lattice constant decreases linearly with increasing S-doping level,which follows the Vegrad’s law.The doped S atoms preferentially occupy the site of Se atoms in CoSe_6 octahedron.Physical properties measurements indicate that all the samples of Ba_9Co_3(Se_(1-x)S_x)15 are semiconducting and display spin glass behavior.As the replacement of Se by smaller size S,although the inter-chain distance decreases,the electronic hopping between CoSe/S_6 chains is weakened and leads to an increase of band gap from 0.75 e V to 0.86 e V,since the S-3p electrons are more localized than Se-4p ones.Ba_9Co_3(Se_(1-x)S_x)15 exhibits 1D conducting chain characteristic.     

(Ca_(1-x)Ba_x)_2SiO_4∶Eu荧光粉相变和光谱调控

采用高温固相法在1 170℃还原气氛下保温3.5 h制备了(Ca_(1-x)Ba_x)_(1.95)SiO_4∶0.05Eu(x=0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.6, 0.7, 0.8, 0.9, 1.0)系列新型荧光粉,并研究了其基体晶相、 Eu离子价态、光谱性能。随着x值增大,粉末物相组成发生如下改变:γ-Ca_2SiO_4(x=0)→T相和γ-Ca_2SiO_4混合物(0≤x0.7)→T相(0.7≤x0.9)→Ba_2SiO_4相(x≥0.9),即(Ca_(1-x)Ba_x)_2SiO_4粉末只在富Ba端形成有限置换型固溶体,即T相和Ba_2SiO_4相粉末。点阵参数精确分析表明:随着Ba离子增加, T相荧光粉(0.7≤x0.9)处于M1, M2, M5点位碱土离子配位数增大进而晶格参数增大较为明显,而Ba_2SiO_4相荧光粉(x≥0.9)中碱土离子配位数无变化晶格参数变化也较小; Eu离子以取代碱土离子方式进入晶格,对晶格影响较小。T相和Ba_2SiO_4相荧光粉XPS全谱分析结果类似,均出现Ba(3p_(3/2)), Ba(3d_(3/2)), Ba(3d_(5/2)), O(1s), Eu(4d), Si(2p_(3/2))电子结合特征峰;其O(1s)核心电子结合能精细谱也类似,有2个光电子峰组成,分别对应晶格氧、间隙氧缺陷(Eu~(3+)取代+2碱土离子造成);进一步Eu(4d)高分辨XPS分析表明,随着x值增大, T相粉末Eu~(2+)/Eu~(3+)比值增大(Eu离子形成+2可能性增大),而Ba_2SiO_4相粉末Eu~(2+)/Eu~(3+)比值变化不明显。在254和365 nm紫外激发下Ca_(1.95)SiO_4∶0.05Eu(γ-Ca_2SiO_4相荧光粉)可用作红色荧光粉,而(Ca_(1-x)Ba_x)_(1.95)SiO_4∶0.05Eu(x≥0.7,即T相(其绿光宽谱发射峰中心在455 nm附近)或Ba_2SiO_4相荧光粉(其绿光宽谱发射峰中心在510 nm附近))可用作绿色荧光粉; T相荧光粉绿光发射比Ba_2SiO_4相荧光粉绿光发射对应波长更短;随着x值增加T相和Ba_2SiO_4相荧光粉发射光谱发生蓝移(即T相粉末中(Ca_(0.3)Ba_(0.7))_(1.95)SiO_4∶0.05Eu绿光发射波长最长, Ba_2SiO_4相粉末中(Ca_(0.1)Ba_(0.9))_(1.95)SiO_4∶0.05Eu绿光发射波长最长);随着x值增加, T相荧光粉亮度提高,而Ba_2SiO_4相荧光粉亮度降低,即(Ca_(0.1)Ba_(0.9))_(1.95)SiO_4∶0.05Eu粉末的绿色荧光最亮(荧光寿命571.8 ns、量子效率55%)。由绿色荧光粉(x≥0.7)精细发射光谱可知:x值会影响Ba_2SiO_4相Eu~(2+)占位倾向,x值越大Eu~(2+)在Ba_2SiO_4相荧光粉中进入高配位点几率越小(x值小, Ca离子占据9配位点位,有促进Eu离子倾向进入10配位作用),但在T相中的x值作用则不明显。由此可见:改变固溶度(即控制x值),可实现该系列荧光粉物相组成、晶格参数、离子价态、荧光颜色及亮度的调控。     

固相法制备新型红色荧光粉K_6Ba_4B_8O_(19):x%Eu~(3+)的研究

通过固相反应法合成了一种新型硼酸盐荧光粉K_6Ba_4B_8O_(19)∶x%Eu~(3+),并测得其荧光量子效率。结果表明,实验合成了接近纯相的K_6Ba_4B_8O_(19)基质;当合成温度为750℃时,K_6Ba_4B_8O_(19)∶5%Eu~(3+)的X射线衍射谱与K_6Ba_4B_8O_(19)标准卡片符合较好;在395nm波长激发下,K_6Ba_4B_8O_(19)∶Eu~(3+)在592nm(~5D_0→~7F_1)和613nm(~5D_0→~7F_2)处分别有橘红光和红光发射峰;荧光发射强度随Eu~(3+)摩尔分数的增大而增大,当Eu~(3+)摩尔分数为6%时达到最大值。测得K_6Ba_4B_8O_(19)∶6%Eu~(3+)在激发波长395nm下的荧光量子效率值为4.51%。获得的粉体呈不规则颗粒状。     

Ba_2CaWO_6-Sr_2CaWO_6赝二元系的研究

用差热分析、X射线物相分析和点阵常数的精确测定,研究了Ba_2CaWO_6-Sr_2CaWO_6赝二元系的相平衡和相变。发现在高温(860℃以上)时,形成连续固溶体。在室温时,在富Ba_2CaWO_6一侧,形成以Ba_2CaWO_6为基的固溶体;在富Sr_2CaWO_6一侧,形成以Sr_2CaWO_6为基的固溶体,相变点在成分为Ba_2CaWO:Sr_2CaWO_6=25:75(克分子比)处。 同时研究了作为高压钠灯灯丝涂层材料的Ba_xSr_(2-x)CaWO_6的几个重要性质:电子发射和多次启动时的灯压升高等。发现成分为BaSrCaWO_6时,性质最好。     

外延生长Re-Ba-Cu-O(Re=Y,Er,Ho,Gd,Sm)超导薄膜的结构研究

利用平面靶直流磁控溅射装置成功地制备了外延生长 ReBa_2Cu_3O_(7-x)(Re=Y,Er,Ho,Gd,Sm)超导薄膜,其中 YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的临界电流密度(77.3K)达到了1.4×10~6A/cm^2.利用 X 射线衍射和小角掠入射高能电子衍射技术分析了外延薄膜的晶体结构、晶格参数及外延取向.在(100)和(110)SrTiO_3衬底上外延生长的 ReBa_2Cu_3O_(7-x) 薄膜,由于衬底取向、衬底温度和氧分压的不同,显示出有四种不同外延取向的趋势.文中还讨论了影响薄膜外延生长的因素.