纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟

介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序，该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程，并利用该程序，对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟。     

纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟

介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序.该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程.并利用该程序,对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟.     

量子器件的计算机模拟

综述了量子器件的几种输运模型及其模拟结果 ,并对量子器件物理模型及其辅助设计提出了设想。     

扫描电子显微学中二次电子发射过程的蒙特卡洛模拟

利用蒙特卡洛模拟固体中电子散射轨迹的计算方法，系统地研究了扫描电镜中二次电子信号的发射过程。该模拟电子与固体相互作用的蒙特卡洛模型包含了级联二次电子产生的过程，并且采用光学介电函数方法描述电子的能量损失和相伴的二次电子激发。由于模拟计算可以给出背散射电子和二次电子的绝对产额，以及它们随加速电压和样品的原子序数的变化关系，因此可以用于模拟元素衬度和形貌衬度像。还计算得到了关于二次电子产生和发射的其它分布，并与实验结果作了比较。     

单电子隧道结隧穿特性研究与仿真

基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真结果进行分析,将该模型应用于单电子盒进行仿真验证,出现了明显的库仑台阶,仿真曲线印证了理论分析结果.利用Matab强大的计算功能进行单电子器件特性仿真对单电子器件的应用研究有重要意义.     

蒙特卡洛模拟方法在扫描电子显微学中的应用

用于模拟固体中电子散射轨迹的蒙特卡洛方法已经在电子探针、电子束微分析和电子束光刻等领域得到极其广阔的应用。扫描电子显微学中，借助于该方法我们可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程，从而理解各种衬度形成的物理机制。     

RTD的器件模型和模拟——共振隧穿器件讲座(9)

阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介绍了基于物理参数I-V方程RTD模型和高斯函数、指数函数RTD直流模型;利用ATLAS器件模拟通用软件对RTD进行了器件模拟,得到了势垒和势阱宽度、E区掺杂浓度等对RTDI-V特性的影响;以包含RTD电路的SPICE电路模拟中的文字逻辑门为例,通过电路模拟验证了其逻辑功能,对设计该电路起到指导和参考作用。     

光子扫描隧道显微镜光子隧穿可视化数值模拟

提出了一种新的入射波设置“三波法”,即将光子扫描隧道显微镜(PSTM)系统中的入射波、全内反射波和透射的隐失波同时设置为时域有限差分(FDTD)计算区域的入射源,克服了PSTM中应用FDTD所遇到的存在样品台(分层界面)和全内反射等困难。给出了PSTM中探针针尖与样品相互作用和光子隧穿的物理图像。模拟了PSTM探针等高扫描过程。给出了PSTM图像,比较了单光束照射与π对称照射等高度扫描曲线的不同,前者有一定的偏移,后者可纠正偏移。     

耦合双量子点中基态电子的隧穿特性

介绍了以Si/SiO2系统构成的量子异或门的工作原理,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性.研究结果表明,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化.目前模拟的特征变化曲线表明,可获得实验上理想的隧穿时间(工作频率)和相应的栅压(工作电压).     

耦合双量子点中基态电子的隧穿特性

介绍了以Si/SiO2系统构成的量子异或门的工作原理,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性.研究结果表明,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化.目前模拟的特征变化曲线表明,可获得实验上理想的隧穿时间(工作频率)和相应的栅压(工作电压).     

单电子器件的Monte Carlo模拟

文章介绍了一种利用正统理论与Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序,对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。     

适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法

讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ）,探讨了确定自由飞行时间的自散射方法,并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。     

全表格化的稳态Monte Carlo模拟

<正> 一、引言 Monte Carlo模拟的方法可以较精确地反映材料和器件内部的热电子效应和热噪声的影响。它的限制主要在于耗费了大量的计算机时间。通过实践,本文提出了Monte Carlo模拟的全表格化处理方法。这种方法能以少量存贮空间为代价,大幅度减少计算时间,并保证足够精度。     

在Monte Carlo器件模拟中确定自由飞行时间的自散射方法

在半导体器件 Monte Carlo模拟中 ,自散射的引入是为了简化确定自由飞行时间的计算。文中证明了自散射的引入不改变真实散射的时间分布 ,从而使各种自散射方法有了统一的理论依据。     

组织光学中的Monte Carlo方法

介绍了Monte Carlo方法产生的背景、基本思想及其在组织光学应用中的重要意义，评述了其在组织光学应用中的研究进展，对其发展趋势作了展望。     

用Monte-Carlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布

在大型薄膜生产设备中,膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法,计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影响,并把计算结果与实际测量进行了比较。     

Monte Carlo Simulation of Nanoscale SOI MOSFETs

A comparative review is presented of the current research on the quantum-mechanical and classical Monte Carlo simulation of SOI MOSFETs. A quantum-mechanical simulation method is proposed whereby the energy of transverse channel quantization is represented by a correction term. A newly developed simulation program, called BALSOI, is outlined. A comparison is made between the results of a 2D classical Monte Carlo simulation and those obtained by the quantum-mechanical method. It is observed that the differences are much smaller than what one might expect. This finding is explained as due to the considerable effect of the space charge, which is mainly governed by the classical, longitudinal motion of carriers through the channel. An analytical formula is derived for the effect of channel quantization on the gate–channel capacitance. The strength of tunneling current through a short-channel transistor in the off state is considered.     

电子束曝光的Morte Carlo模拟

建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型，运用Monte Carlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA-衬底中的散射过程，研究不同曝光条件对沉积能密度的影响，获得的沉积能分布规律是：有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层，提高曝光分辩率。     

单电子加法器的Monte Carlo模拟

建立了一个单电子加法器的物理模型,采用Monte Carlo法对其进行数值模拟,分析了温度、栅极电容及隧道结电容等参数对单电子加法器的电学特性的影响。发现加法器对温度和栅极电容器的电容变化非常敏感,而改变隧道结的电容、电阻对单电子加法器的电学特性的影响不明显。