应用X射线无标样相定量法研究V_2O_5-TiO_2体系的表面分散

载在TiO_2上的V_2O_5是烃类氧化有活性和选择性的催化剂,许多作者对其物理化学性质和催化性能进行了研究,认为V_2O_5能在TiO_2表面上分散。北京大学物理化学研究所用X射线相定量等方法研究了某些催化剂活性组份在载体表面分散的自发倾向,对于比表面大的载体,活性组份晶相的消失或减少非常明显。X射线相定量通常需要有纯相标样,混合加入内标或参比物以测量X射线参比强度。无标样联立方程法不需用纯相标样和参比物,通过对不同含量的分析试样所建立的各相     

X射线衍射法钾混盐无标样定量相分析

采用EVD、TOPAS应用软件和TOPAS结构数据库以及无机晶体结构数据库,对一些混合盐样品(如钾混盐、尾矿等)进行了X射线粉末衍射无标样定量相分析全谱拟合模拟研究。在用Rietveld分析法对上述样品中无机盐成分的X射线衍射谱进行模拟过程中,选择基本参数函数为峰形函数,并通过March-Dolase择优取向校正拟合,提高了拟合精度。测得钾混盐样品中钾盐镁矾相含量为72.44%,岩盐相含量为27.56%,误差值Rwp(17.45),Rp(12.21)和拟合度S(4.91)均有所降低。     

X射线相定量法测单层分散阈值

本文简要介绍了自发单层分散现象及单层分散阈值效应 ,重点介绍了XRD(X光衍射 )相定量法测单层分散阈值的原理及简化方法     

V2O5在载体表面的分散状态与表面酸性

用ＸＲＤ，ＸＰＳ研究了Ｖ２Ｏ５在γ－Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２等载体上的分散状态，测定了最大分散容量。结果表明，Ｖ２Ｏ５在γ－Ａｌ２Ｏ３和ＳｉＯ２上能形成亚单层分散，分散容量分别为理论单层量的６０％和４５％；Ｖ２Ｏ５在ＴｉＯ２上优先形成单层，然后形成多层结构。Ｖ２Ｏ５在γ－Ａｌ２Ｏ３上分散可使表面酸性有所增加；Ｖ２Ｏ５在ＳｉＯ２上分散使表面酸性剧增，酸位数和表面Ｖ＾５＋的摩尔比高达０．５左右；     

P2O2-V2O5-TiO2的表面结构

P_2O_5-V_2O_5-TiO_2(简写为P-V-Ti)对芳烃氧化有良好的催化效果.丁烷氧化催化剂P-V体系的体相和表面结构已有一些报道.但P_2O_5对V-Ti的影响文献较少报道.本文用XRD,IR,TPD和ESR考察了P-V-Ti体系. 1.试剂和催化剂:草酸、偏钒酸铵、二氧化钛均为化学纯.将V_2O_5:TiO_2=11:89(重量)样品分别按 P/V原子比为0.1,0.3,0.6,1.0,1.5和2.5制成编号为P-0.1,P-0.3,P-O.6,P-1.0,P-1.5和P-2.5的催化剂.     

负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面V2O5和TiO2的相互修饰作用

 采用表面改性法制备了负载型复合半导体材料V2O5-TiO2/SiO2,并用X射线衍射、比表面积测定、拉曼光谱、程序升温还原和紫外-可见漫反射光谱等技术对固体材料的结构和光响应性能进行了表征. 结果表明,V2O5和TiO2在负载型复合半导体V2O5-TiO2/SiO2表面有相互修饰的作用. 一方面,V2O5能扩展TiO2的光响应范围,使TiO2的吸光区域由紫外光区拓宽至可见光区,从而提高了复合半导体对光能的利用率; 另一方面,TiO2则有助于提高V2O5在载体表面的分散程度,抑制VOx的聚合,减小V2O5的微晶尺寸,提高固体材料的能隙值和氧化还原能力.     

V2O5在硅胶表面的分散及助剂K2SO4作用的研究

用原位XRD方法证明V_2O_5能在硅胶表面自发分散, 但所需温度较高. 水汽对V_2O_5的分散有一定的阻碍作用. K_2SO_4可显著加快V_2O_5在SiO_2表面的分散速度, 并能降低V_2O_5/SiO_2的表面酸性. 被中和的主要是强酸位. 这可能是K_2SO_4能够改善V_2O_5/SiO_2催化剂在选择氧化反应中选择性的重要原因之一.     

Ni-Cr烤瓷合金的X射线荧光无标样定量分析

介绍了X射线荧光光谱的无标样定量分析软件应用于医疗用Ni-Cr烤瓷合金的检测,分析了合金中Ni、Cr、Mo、Al、Co、Ti、Si、Fe、Cl等元素的含量．结果表明该方法的分析速度快、准确度高,是一种实用的应用软件．     

X射线荧光光谱无标样分析在轻合金中的应用

基于X射线荧光光谱仪,运用其无标样分析软件以及元素灵敏度系数校正,分析了镁合金、铝合金样品的元素组成及其含量。结果表明,X射线荧光光谱仪无标样定量分析镁合金、铝合金,其测量结果具有非常高的可靠性和准确度。通过对元素灵敏度系数的校正,可以进一步提高合金的测量精度。     

X射线荧光光谱无标样分析法在催化剂检测中的应用

建立了X射线荧光光谱法无标样分析测定催化剂中主次量元素的方法。用熔融制样法将粉状催化剂制成玻片,应用UniQuant无标分析软件对其中的Al,Si,Gr,Ce,La等元素的含量进行了检测。测定结果的相对标准偏差(RSD,n=9)在0.11%~1.9%之间。通过与化学法测定结果比对,数据吻合良好。     

V2O5表面氧和晶格氧的热脱附性能

V_2O_5是一种重要的烃类选择氧化催化剂,ESR研究表明,在V_2O_5/SiO_2上存在有O~-,O~(2-)和O_3~-等物种。但是氧吸附物种的ESR研究迄今仍局限于较低温度,与实际催化反应条件尚存相当差距。用程序升温脱附(TPD)法研究,恰好能补其不足。但是关于V_2O_5表     

MoO3/γ-AI2O3, MoO3/TiO2, MoO3/SiO2的氨溶性质及表面状态的研究

本文用浸渍法制备了不同含量的MoO_3/γ-Al_2O_3、MoO_3/TiO_2、MoO_3/SiO_2系列样品, 用氨溶、水溶, XPS、XRD等实验手段对这三个体系进行了研究。氨溶实验表明MoO_3在γ-Al_2O_3和TiO_2表面呈单层分散, 其分散阈值(即最大分散量)与XPS强度比法, XRD相定量法所测结果基本一致。这二个体系氨溶曲线在阈值前斜率分别为0.71和0.66, 说明分散在γ-Al_2O_3或TiO_2上的单层MoO_3分为氨水可溶和不可溶二种状态, 这二种状态以确定的比例共存于阀值前的整个浓度区间。这一现象也为氮溶前后样品XPS强度比的比值所证实。实验还表明MoO_3/γ-Al_2O_3样品的氨溶残渣经脱水加热可产生大量可溶的MoO_3, 随着烘烤温度的提高, 时间的延长, 新生成的可溶MoO_3分率趋近样品氨溶前的可溶分率。我们认为分散在γ-Al_2O_3或TiO_2上的单层MoO_3分为二种结构状态, 一种是Mo~(6+)处在氧八面体空隙中, 另一种则处在氧四面体空隙中。二种状态相互邻接, 共用O~(2-)离子, 以特定连结方式(类似于γ-氧化铝Mo_4O_(11)形成“单层聚集小片”。这样的小片是热力学稳定态。由于二种结构状态与载体的相互作用强弱不同而造成了氨水可溶或不可溶二种状态。MoO_3/SiO_2体系, 对氨溶而言, 只有一种状态, 分散在SiO_2上的MoO_3几乎全部溶解。由此可见, MoO_3与SiO_2表面的作用比上述二个体系弱得多。     

合成气制乙醇Rh-Nb2O5/SiO2催化剂中的SMPI和助催剂作用本质的研究

使用负载型催化剂由合成气制乙醇是一碳化学研究的一个重要发展。本实验室前已报道用化学反应法检验出Rh-Nb_2O_5/SiO_2表面上除了铑位外同时还存在氧化铌位。本文为兰部分工作所组成: (1)进一步用氢还原过的Nb_2O_5/SiO_2催化乙炔聚合成聚乙炔的化学方法推断Rh-Nb_2O_5/SiO_2上可能存在着Nb—H键。(2)用FTIR法检测上述催化剂的红外光谱吸收带, 1740(w) cm~(-1)为V_(Rh-H), 1560 cm~(-1)(broad, m)、1269 cm~(-1)(s)为与Nb—H有关的吸收, 后者可能属于桥式Rh—H—Nb的吸收。(3)XPS检测出合成气处理的Rh-Nb_2O_5/SiO_2表面上存在Rh~0、Rh~Ⅰ、Nb~Ⅴ、Nb~Ⅳ和两种不同的沉积碳。根据这些结果, 提出活性中心可能为A(参见正文图3)简写为B(见图3), CO转化的主要途径是而后C—O还原断裂生成=CH_2***, 再与CO偶联为CH_2=C=O, 最后还原为乙醇或乙醛。根据实验结果对本体系催化剂中SMPI和助催剂作用的实质作了讨论。     

MoO3/γ-Al2O3, MoO3/TiO2和MoO3/SiO2的还原性质及表面状态研究

本文以XPS为检测手段研究了浸渍法制备的MoO_3/γ-Al_2O_3、MoO_3/TiO_2和MoO_3/SiO_2三个系列样品的还原性质。用XPS测定还原后与还原前强度比的比值, 实验结果表明阈值后的样品还原后强度比急剧增大, 说明晶相MoO_3从内孔向颗粒外表面大幅度迁移。而单层MoO_3的性质却各不相同, TiO_2上的单层MoO_3还原后部分凝聚, SiO_2上单层则部分迁移, 而γ-Al_2O_3上的单层MoO_3既不迁移也不凝聚, 亦即单层MoO_3的稳定性是Mo(Al)>Mo(Ti)>Mo(Si)。这也是MoO_3与这三个载体表面作用力强弱的顺序。用计算机对Mo3d谱峰解叠, 结果表明, 几乎所有样品还原后都只含有四价和五价钼。Mo(Al)和Mo(Si)体系还原后Mo~Ⅳ的百分数随负载量的增大而增大。我们认为反映了两种载体表面区域的不均匀性。Mo(Ti)体系还原后Mo~Ⅳ百分数在阈值附近出现转折点, 阈值前各点还原性质相同, 说明在应用还原为探测手段时, TiO_2表面表现为均匀的。以Mo~(Ⅳ)百分数衡量时, 三个体系的还原性为Mo(Al)相似文献   

CrO3在γ-Al2O3和SiO2载体表面的分散状态

用X光衍射(XRD)方法研究了CrO_3/SiO_2和CrO_3/γ-Al_2O_3体系。用相定量外推法测定活性组份在载体表面的最大分散量。在干燥气氛中将CrO_3与载体混合, 并在低于CrO_3熔点的温度下烘烤制备样品, 实验得到CrO_3在SiO_2或者γ-Al_2O_3表面的最大分散量都随温度的升高而增大。CrO_3在SiO_2表面的最大分散量由101 ℃的0.27gCrO_3/g SiO_2到170 ℃的0.38g CrO_3/g SiO_2; CrO_3在γ-Al_2O_3表面的最大分散量由120 ℃的0.22g CrO_3/g γ-Al_2O_3到171 ℃的0.42g CrO_3/g γ-Al_2O_3。CrO_3在SiO_2或γ-Al_2O_3表面的最大分散量超过密置单层量, 可由易聚合形成同多酸根来解释。     

低镍甲烷化催化剂中镍和氧化镧的分散研究

本文用X射线衍射法(XRD), 透射电镜(TEM), 配合电子衍射对Ni/Al2O3,Ni/γ-Al_2O_3-La_2O_3等催化剂中镍晶粒度和La_2O_3的分散状态进行了测量和讨论。用透射电镜测量了不同La_2O_3含量的催化剂中镍晶粒度分布, 其平均直径可与X射线宽化法测定值相比较。催化剂中随La_2O_3加入量的增加, Ni晶粒有细化趋势, 从而提高了甲烷化催化活性。对La_2O_3在γ-Al_2O_3表面作密置单层分散的模型提出了新的旁证, 并推断由于La_2O_3在γ-Al_2O_3表面高分散并产生较强相互作用, 使γ-Al_2O_3接近表层晶格发生畸变。     

ZnO/γ-Al2O3体系的状态和表面结构的研究(Ⅰ)

本文用X射线衍射和X射线光电子能谱法研究了用浸渍法制取的ZnO/γ-Al_2O_3样品。实验表明, ZnO 极易与γ-Al_2O_3发生固相反应, 经240 ℃烘烤就可以观察到反应的进行。样品的结构和形态依其组成和焙烧条件而异。氧化锌含量较低的样品由缺锌铝酸锌构成, 基表相Zn浓度取决于样品组成和焙烧温度。氧化锌含量较高的样品分两种情况: 低温焙烧的样品由Zn_xAl_2O_(3+x)(x<1)和晶相ZnO构成; 高温焙烧的样品可生成化学计量比的ZnAl_2O_4, 其上还单层分散着一层ZnO。仅当ZnO/ZnAl_2O_4中ZnO的含量超过此分散量时, 才有晶相ZnO析出。     

PbO-Bi2O3-Nb2O5系中新相Pb3Bi0.1Nb2O8.15单晶的熔剂法生长及其结晶学研究

计算PbO—Bi_2O_3—Nb_2O_5系化合物的声光品质因数M_2在14—19范围,可与PbO·MoO_3相比,故选择此系统作为开拓新声光材料的研究对象。 用X-射线相分析、电子探针、差热分析等手段,确定了一个新的化合物,其组成为3PbO·Nb_2O_5:Bi_2O_3=20:1(mole),属3PbO·Nb_2O_5—Bi_2O_3膺二元系中一稳定化合物,采用熔剂法生长了外形为六角形、深桔色的透明片状单晶。用透射Laue、Weissenberg照相及四园衍射仪,对其结晶学特征进行了研究。     

ZnO/γ-Al2O3体系的状态和表面结构的研究(Ⅱ)

The state of ZnO/γ-Al_2O_3 samples was observed by transmission electron microscopy. The crystalline substances in the samples were identified by electron diffraction experiment. The main view points mentioned in the previous paper[1] were demonstrated intuitively. The reaction between ZnO and γ-Al_2O_3 can occur easily.The lattice constant of the formed Zn_xA1_2O_(3+x) is slightly larger than that of γ-Al_2O_3. It can be observed by THM that when ZnO content is higher than a certain value, crystalline ZnO begins to appear. The higher the temperature of calcination, the larger the value....     

BaB2O4—CdO和BaB2O4—ZnO二元系相图的研究

本文用差热分析和X射线衍射方法测定了BaB_2O_4-CdO和BaB_2O_4-ZnO二元系相图。在BaB_2O_4-CdO体系中存在着一新化合物BaCdB_2O_5,在785±3℃同成份熔化。在BaB_2O_4-ZnO体系中,由包晶反应形成一新化合物BaZn_3B_2O_7,反应温度为903±3℃。在富BaB_2O_4区形成一个宽的低温相BaB_2O_4固溶区。研究结果表明,用Zn~(2 )替代BaB_2O_4中Ba~(2 )形成固溶体,不能将高温相BaB_2O_4稳定到室温,证实了“经验函数关系式”的预测结果。