铁电体电容器的电容量

用电介质热力学理论和朗道的二级相变理论计算了铁电体电容器的电容，给出了电容器的容量与电场和温度的关系，发现在小电场情况下，在临界点处会出现临界慢化现象。     

线性电压扫描法测量硅的体产生寿命和表面产生速度的研究`

本文采用 Rab bain 的 产 生 区 宽度模 型,导 出了描述线性 电压 扫描 作用下 M O S 电容 器的电容 一 时间瞬态特性的微分方程,通过积分这一微分方程,得到 了描述线性 电压 扫描作用的M O S 电容器的 电容 一时 间瞬 态特性方 程.依据这 一方 程,提出了一 种确定体产生寿命和 表面产生速度的计算方法.     

电容层析成像

介绍了作者在电容ＣＴ重建算法、测量装置方面所进行的工作，并较为详细地介绍一种基于网络理论的新算法，这种算法是将介质分布映射为一个电容网络，网络中的电容值直接与介质分布有关。为了解决从测量电极所测得的电容计算网络内部电容这一逆问题，分析和利用了附加的网络结构约束。将测量过程等效为相应的四端网络，利用迭代方法进行求解，得到了较好的实验结果。     

基于经典控制理论的控制系统计算机辅助设计软件

频率法和根轨迹法是经典控制理论的两个基本的控制系统设计与分析方法。本文主要介绍的两个计算机辅助设计（ＣＡＤ）软件，分别建立在频率法和根轨迹法的基础上。通过这两个ＣＡＮ软件，可以根据给定的单输入单输出（ＳＩＳＯ）控制系统数学模型，进行各种计算，从而得到我们所需要的结果．     

一种由非平面3×3单模光纤耦合器构成的可调分束比2×2单模光纤耦合器

介绍一种可调分束比２×２单模光纤耦合器。该耦合器由一个非平面３×３单模光纤耦合器将其中一对输入榆出端用反馈光纤连接，通过调节反馈光纤的长度来调节另外两输出端的输出光功率比，而成为一个２×２可调分束比单模光纤耦合器。对这一结构所进行的理论分析给出了在给定３×３耦合器特性情况下，分束比与反馈光纤长度之间的关系。数值计算给出了这一调节关系曲线，同时对这一结构进行了初步的实验分析，制成了带无接点反馈光纤环路的非平面３×３耦合器。通过ＰＺＴ调节反馈光纤环路的长度，达到了对两输出端光功率比的调节。实验结果与理论计算的结果基本一致。     

锂的卤化物LiX(X=F,Cl,Br,I)的镜像势态

基于局域密度近似的密度泛函理论,运用多体摄动理论的GW近似,计算了碱金属锂的卤族化合物LiF (001)-(1X1)、LiCl (001)-(1X1)、LiBr (001)-(1X1)、LiI (001)-(1X1)表面的准粒子能带结构.GW近似改进了密度泛函理论对于电子交换关联的处理,计算出的带隙与实验值吻合.由GW近似计算得出的LiF、LiCl和LiBr的(001)表面能带具有负亲和能,由于绝缘体表面外真空中电子与绝缘体表面极化电荷的相互作用,在真空中产生了镜像势态.利用GW近似研究了镜像势态波函数沿表面法线方向的分布,并将由GW近似计算得到的镜像势态的单粒子势能与经典的镜像势能进行了比较.但是,从GW近似给出的表面能带结构可看出,LiI(001)表面具有正亲和能,因而不存在镜像势态.     

基于状态转换图的555单稳态触发器设计方法

提出555时基电路的输出信号与输入信号之间具有时序特征.根据反映时序特征的状态转换图及单稳态触发器的工作特点,系统地研究了555单稳态触发器的设计方法,分析了外加触发信号的输入方式、电平幅度、持续时间要求、RC电路定时单元的接法及电容的充放电过程,并发现了一些新的设计方案.Multisim仿真及实际硬件验证证明了所提出设计方案的正确性.     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

纳米金属颗粒膜的二次谐波增强效应

纳米尺寸金属颗粒膜可以产生较大的表面二次谐波增强。本文测量了用溅射法制备的钠米尺寸Ａｕ颗粒的反射二次谐波，其增强因子可达１０２数量级，理论计算了局域场因子与波长的关系曲线。对于用Ｎｄ：ＹＡＧ激光器输出的１．０６μｍ波长的基频光，可以获得较强的倍频光的局域场增强，对金属颗粒尺寸对局域场因子的影响进行了计算和分析。     

基于互连线电容耦合的SR锁存电路研究

通过对线间电容耦合模型的研究, 提出了一种基于互连线电容耦合的SR锁存电路设计方案. 该方案首先分析互连线间电容耦合关系, 利用MOS管栅极电容模拟互连线电容; 然后利用电容耦合结构与线计算特性, 设计或非逻辑门电路, 在此基础上实现基于互连线电容耦合的SR锁存电路; 最后在TSMC 65nm Spectre环境下仿真验证. 结果表明 所设计的电路逻辑功能正 确, 且具有低硬件开销特性.     

静电场中离子气体的内能

从离子气体的微观理论出发,借助平板电容器,球形电容器,探讨了静电场中离子气体的内能。得到了切合实际的结果。     

异型声表面波器件特性分析

报道了在128°旋转Y切割X传播方向的LiNbO3 压电基片上研制的异型声表面波器件,它将输入换能器激发的声表面波轴对称分成两路,分别由各自输出换能器检测输出.应用耦合模理论和P矩阵法详细分析自行研制的异型声表面波器件在输入换能器激发,一输出换能器检测输出及在非正常工作模式下,一输出换能器激发,另一换能器检测输出时的特性,并应用网络分析仪测量上述情况下的异型声表面波器件特性.结果表明,理论计算值与实验结果相近,尤其是耦合模理论得到的器件特性更接近于实验结果.本文研究为分析声表面波器件提供一种有效的分析工具.     

主从型D触发器的动态功耗分析

主从型D触发器的动态功耗同触发器内部节点上的信号跃迁情况和节点电容有关。基于D触发器的电路结构与MOS管参数，本文对主从型D触发器各个节点电容进行了计算，利用对各节点电容的计算值，便可估算在某一激励输入序列的D触发器的动态功耗，Pspice模拟证实了该一动态功耗算的准确性，搞清了D触发器内部诸结点电容与MOS管参数之间的关系亦为降低它的动态功耗提供了参考依据。     

射孔带渗透率计算式的推导与应用

为进一步提高射孔的预测水平及工程应用效果,基于渗流力学理论及等效两套裸眼完井产能公式,推导了射孔带渗透率计算式。给定实际射孔参数,经计算得到:射孔带渗透率与穿深比、孔眼半径、射孔密度呈正相关;穿深比、射孔密度、孔眼半径对射孔带渗透率的影响依次减小。实测验证得到,模型的计算精度可达90%,对现场应用具有一定指导作用。     

产生区宽度模型与产生寿命的确定

本文建议了一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。C}7于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差，因此无论使用Fierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明，对于同一个MOS电容器样品，从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致.     

钨合金和钛合金绝热剪切破坏研究

介绍了中国科学技术大学在钨合金和钛合金的绝热剪切变形和破坏研究方面的工作．对截头圆锥形和预扭斜切圆柱形钨合金试件进行了分离式Hopkinson压杆试验，通过微观观察和数值模拟分析了试件中剪切失稳和绝热剪切带形成的机理，发现钨合金的细观结构和试件的应力状态对绝热剪切带形成的敏感性和位置有重要影响．通过钛合金板的冲塞实验研究了绝热剪切和动态破坏的联系，发现由于沿剪切带的孔洞形核和合并过程而出现断裂，最后导致冲塞，所有这些情况下，绝热剪切带在裂纹形成和扩展中起支配作用，正是绝热剪切带造成了试件的动态断裂．     

带泊松跳的随机脉冲时滞偏微分方程的指数稳定性(英文)

带泊松跳的随机脉冲系统的适定性解的稳定性问题至今尚未得到解决.基于不动点理论,研究了随机脉冲时滞偏微分方程的适定性解的稳定性,得到了一些确保所证结论的充分条件.由于考虑了脉冲和泊松跳,文中的结论推广了Luo所得到的结论.     

铜纳米薄片双轴应变弹性响应的第一性原理研究

近年来,在纳米尺度的研究中应用到很多表面的技术和概念.然而,以往针对表面的研究中对象为单晶块体样品,这些研究结果将不再适用纳米材料.为了研究表面对纳米体系弹性响应的影响,选取较为简单的铜纳米薄片为研究对象,构建了铜（111）面和（001）面的薄片模型,使用第一性原理方法计算了铜纳米薄片的双轴泊松比,分析了纳米薄片与体材料的差异,研究不同厚度纳米薄片中表面对内层原子的影响.计算结果显示,表面原子层的双轴泊松比大于内部原子层,并且其收敛速度和数值大小均和薄片取向有关.根据双轴泊松比随厚度的变化特性,可以得到不同取向的纳米薄片中表面对弹性响应的临界厚度.     

基于高低电平预充电方案的功耗恒定型门电路设计

功耗分析攻击（power analysis attack,PAA），即通过分析数字电路中寄生电容和负载电容充放电引起的功耗变化得到与之相关的信息，因此，消除功耗与数据的相关性已成为防御功耗攻击的重要研究方向，功耗恒定电路便是比较有效的方案之一。基于动态差分逻辑的门电路，设计了可较好消除功耗与存储和计算信息关系的电路，从根本上消除了功耗分析所依赖的功耗-数据相关性的物理基础，提出了一种改进型低功耗、低成本的功耗恒定门电路，设计了高电平预充电和低电平预充电2种方案，并比较了2种方案在功耗恒定性和能耗上的差异。结果表明，与已有方案相比，设计的2种预充电方案均具有更小的功耗偏差，且低电平预充电方案的电路总能耗更低。     

利用飞秒激光双光子技术制备微电极的研究

基于飞秒激光双光子聚合微加工技术,利用负光刻胶刻蚀方法制备了内部镂空特殊结构的微电极光刻胶样品,并结合剥离法成功制备了一种镀银的金属微电极,最后利用直通管将微电极进行封装,测试了当直通管填充不同的介质(空气、丙酮、水)时微电极的电容变化值.实验结果表明,所制备微电极样品的电容值与介质的介电常数成正相关,实测值与理论计算值的变化趋势一致.