光电子技术与器件 光电成像与器件

TN144 2005010470 微通道板电子透射膜的工作特性=Operating effectiveness of electron transmission film at the input of MCP[刊,中]／阎金良(烟台师范学院物理系．山东,烟台(264025))∥光子学报．-2004,33(2)．-164-166 利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4 nm厚 Al2O3非晶态电子透射膜．此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染。探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了 MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性。实验表明．4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子。图4参6(严寒)     

微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染. 探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性. 实验表明,4 nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子.     

微通道板防离子反馈膜新工艺

微通道板防离子反馈膜在三代象管中起到延长寿命的作用.本文叙述了微通道板防离子反馈膜的传统工艺和传统工艺对微通道板电性能的影响,提出了一种制备微通道板防离子反馈膜的新工艺.结果表明,新工艺没有给微通道板通道内表面带来碳污染,不影响微通道板电性能.     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2004053087 MCP电子透射膜的制备及半视场特性=Fabrication of electron transmission film at the input of MCP and its half view properties[刊,中]/闫金良(烟台师范学院物理系,山东,烟台(264025))∥半导体光电,—2004,25(3),—188-190,241 介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的     

紫外光辐照清洗带膜MCP的工艺研究

介绍微通道板（MCP）防离子反馈膜在Ⅲ代微光像增强器中的作用，指出微通道板防离子反馈膜的制备工艺对微通道板电性能的影响，提出清洗带膜微通道板的工艺方案，测量清洗前后带膜微通板的电学特性。     

一种透射式软X光带通方法研究

基于微通道板(MCP)X射线光学, 提出了一种透射式软X光带通方法. 通过三种通道结构的MCP-X光传输特性比较, 给出了带通设计方法. 利用北京同步辐射装置开展了方孔MCP和滤片标定. 结果表明, MCP透射谱具有宽能带选择范围和高效率的特点, 并且在1 keV以下可以在多个多能点实现100 eV带宽的带通设计. 关键词： X射线光学 微通道板 软X光带通     

一种玻璃成分优化的微通道板

降低微通道板（MCP）的离子反馈噪声、提高像增强器的成像质量和工作寿命是MCP玻璃成分优化研究的主要目标，指出通过调整碱金属氧化物的引入种类和总量，并采用高温氢还原工艺获得一种玻璃成分得到优化的MCP，可提高玻璃的转变温度，耐500℃以上的高温烘烤且电性能相对稳定。该方法改善了通道内壁表面结构和MCP的耐电子冲刷能力，降低了气体吸附量且易于去除气体。文章最后给出了优化MCP玻璃成分所需开展的工作：在玻璃成分优化上增加SiO2的引入量，调整芯皮玻璃的温度粘度匹配及酸溶速率比，以及开展体导电玻璃MCP和硅MCP的研究。     

低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究

为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击,提高微光像增强器的工作寿命,开展了低磁控溅射率法沉积微通道板（MCP）Al₂O₃防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺,获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压1000V,溅射气压(4～5)×10^-2 Pa,沉积速率0.5nm/min等。研究结果表明：在此工艺条件下,能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件,制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续,且通孔不能满足要求。     

硅微通道板的研究进展

 基于微通道板（microchannel plates, MCP）高性能与绿色制造的要求,探索铅玻璃微通道板（lead silicate glass microchannel plates, LSG-MCP）的替代材料已成为MCP研究的热点。近20年来,以硅为替代材料的微通道板研究取得显著进展,并成为最具应用前景的微通道板类型之一。综述了硅微通道板（Si-MCP）的研究进展,主要概述Si-MCP的基底材料、制备技术、性能和应用领域,尤其是微孔阵列及其内壁表面功能层的成形技术。并将其与传统LSG-MCP比较,分析了Si-MCP制备技术与性能的优劣。最后,展望了Si-MCP的进一步发展方向。     

三代管MCP离子阻挡膜研究

三代管中GaAs光电阴极的表面Cs-O层经不住正离子的轰击,但在MCP的通道内,由于二次电子倍增,在MCP通道的输出端,电子密度较大,所以MCP通道内的残余气体分子就会被电离,正离子在电场的作用下向阴极方向运动,最终轰击阴极的表面Cs-O层,使阴极的灵敏度衰退.所以在MCP的输入端制作一层Al₂O₃离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用.本文介绍了MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺.     

用气熔压工艺改善6μmMCP的空间结构和视场清晰度

高分辨率微光像增强器对微通道板(MCP)的孔径、空间结构和视场清晰度有着极为严格的技术要求。我们在引进的气熔压设备上，通过对压力、温度、保温保压时间等相互制约的工艺参数进行大量实验，已探索出孔径为6μm、孔间距为8μm的MCP的最佳工艺，即第一平台温度为500℃左右、熔压温度为560～590℃、压力为0.5～0.9Mpa，保温保压时间为60min左右。在光学显微镜和扫描电子显微镜下观察我们制作的MCP，发现复丝排列规整、边界相邻的两排单丝变形较小且排列有序、复丝顶角无畸变(即无扭曲、梅花丝、孔洞、错位)。与Photonis公司同种型号的MCP相比，我们制作的MCP的梅花丝少1／3左右。在标准输入下，我们的MCP增益比较高，增益均匀性有所改善，固定图像噪声在0～1级，视场清晰度得到了较大程度的提高。     

Sputtering in the high-voltage electron microscope

The 1.0 MeV electron microscope has been used to observe and analyse transmission sputtering caused by the electrons in the incident beam. The method, reviewed here, is particularly suitable for investigating low energy collision events. Total sputtering yields and angular distributions of sputtered atoms have been measured for (111) gold films to within a few eV of the sputtering threshold energy. It is shown that the results can be explained by the sputtering of surface atoms either directly by electrons, or indirectly by collision sequences generated down 〈110〉 directions. The necessity of using a many-body collision model to interpret the results is stressed. High resolution electron microscopy has been used to study the surface structure of (111) gold films during sputtering on a near-atomic level. It is shown how the results confirm a model where surface roughness develops due to the migration and agglomeration of surface vacancies produced during sputtering. The future scope of the 1.0 MeV electron microscope as an analytical tool for sputtering is also discussed. It is suggested that the rôle of long range focussed collision sequences in sputtering may be determined for materials of medium atomic number. A need for further high resolution studies of sputtered surfaces is identified; such studies are seen as complementary to those by other surface analysis techniques.     

微通道板输入信号利用率提高研究

分析了微通道板输入信号损失的原因,提出了在微通道板输入端镀制绝缘层,从而提高微通道板输入信号利用率的方法,并进行了试验.试验结果表明:在微通道板输入端镀制一层15nm的绝缘层,可以提高微通道板输入信号的利用率,从而提高微通道板的增益.绝缘层的二次电子发射系数越高,微通道板输入信号的利用率越高,增益提高的比例越大.对SiO2膜层而言,可以提高12%左右;对Al2O3膜层而言,可以提高35%左右.在微通道板增益提高的同时,像增强器的分辨力和调制传递函数会降低,并且绝缘层的二次电子发射系数越高,分辨力和调制传递函数降低的比例越大.但微通道板分辨力和调制传递函数降低的比例远低于增益提高的比例.本文提出的提高微通道板输入信号利用率的方法具有一定的实用性,可以推广使用.     

玉米蛋白质基底上射频磁控溅射法制备ZnO薄膜

采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响。结果表明,较小的靶基距有助于ZnO薄膜的c轴择优取向生长。我们还发现,沉积于玉米蛋白质基底的ZnO薄膜存在不同程度的张应力,当Ar/（Ar+O₂）为0.7时,ZnO薄膜内的张应力最小。ZnO近带边发光峰有不同程度的红移,我们认为,这是由于晶界势垒和氧空位V_o造成的。随着溅射功率的增大,薄膜生长速率显著加快,晶粒尺寸增大,ZnO的近带边发光峰位逐渐趋向于理论值。     

The evolution of catalyst layer morphology and sub-surface growth of CNTs over the hot filament grown Fe-Cr thin films

In this study a hot filament chemical vapour deposition (HFCVD) technique was used to prepare Fe-Cr films on Si substrate as catalysts for thermal CVD (TCVD) growing of carbon nanotubes (CNTs) from liquid petroleum gas (LPG) at 800 °C. To characterize the catalysts or CNTs, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and Raman spectroscopy were used. The XPS spectra obtained at different stages of Ar⁺ sputtering revealed that in the depth of catalyst layers, the relative Fe-Cr concentrations are higher than the top-surface. SEM images of samples after TCVD indicate a significant CNT growing at the backside of catalyst layer compared with its top which is accompanied with morphological changes on catalyst layer such as formation of cone-shape structures, rippling, cracking and rolling of the layer. These observations were attributed to the more catalytic activity of the sub-surface beside the poor activity of the top-surface as well as the presence of individual active islands over the surface of the catalyst thin film.     

降低微通道板输入面电极反射率的技术途径

 为了降低透明或半透明光电阴极的光子在微通道板输入面上引起的散射噪声,通过对微通道板输入面蒸镀Ni-Cr电极后对反射率影响的定性分析以及镀膜方式、镀层厚度、电极深入通道内的深度和微通道板的开口面积比等测试分析,在兼顾微通道板对输入电极其他要求的前提下,获得了降低反射率的有效技术途径,即：采用电子束加热的蒸镀方式,用表面电阻大小来间接表征膜层厚度,使其控制在100 Ω左右;电极深入通道内的深度为通道直径的35%;微通道板的开口面积比尽可能大些,可把反射率降低到4%以下,以此降低微光像增强器的光子散射噪声。