锰锌铁氧体单晶生长及应用

引 言 锰锌铁氧体单晶是一种尖晶石结构的人工合成晶体.它具有良好的高频性能和耐磨损特性,是制作磁记录头的良好材料. 近年来,空间科学、电视科学、电子计算机等迅速发展,大量的信息处理是通过磁记录技术完成的,其中关键部件是磁头.特别是磁带录象机,工作在视频频段,并且在磁头和磁带相接触情况下,要以每秒十几米或几十米相对速度运动.因此,对磁头材料提出如下主要要求:(1)在使用频段有尽可能高的磁导率;(2)有良好的耐磨性能;(3)机械加工性能好.本文适应此种需要,设计制造出充氧气氛的锰锌铁氧体单晶炉.生长出满足上述性能要求的锰锌铁氧体…     

锰锌铁氧体单晶氮气热处理

人们早就知道铁氧体在低温（６００－１０００℃）和高温（１０００℃以上）热处理性能常常是不一样的［１］．由于Ｍｎ３＋Ｆｅ２＋在定量分析方面的困难,影响了锰锌铁氧体在这方面工作的进展．近年来Ｒ.Ｍｏｒｉｎｅａｄ等人［２－４］在多晶锰锌铁氧体气氛热处理方面做了大量工作并指出,在高温（＞９００℃）该铁氧体还原倾向是主要的．我们认为用单晶样品进行试验可能要比多晶更好一些．本文给出了锰锌铁氧体单晶....     

热处理对鑥铁氧体和锰铁氧体单晶铁磁共振的影响

本文观察了不同的热处理对于石榴石型的镥铁氧体(Lu₃Fe₅O₁₂)和尖晶石型的锰铁氧体(MnFe₂O₄)单晶的铁磁共振的影响。两次热处理分别为在700℃空气中加热1小时,和在700℃氧气中加热10小时,发现这样的热处理对K₁/M_s和g-因子无显著的影响,但却使共振线宽△H的各向异性显著减小,热处理对镥铁氧体的△H影响较小,但却使锰铁氧体的△H每经一次热处理后都成倍地增长。讨论了△H随热处理变化的原因,并由X射线衍射照相证实了锰铁氧体样品在热处理后有少量α-Fe₂O₃的脱溶。     

掺钛的锰锌铁氧体的中子衍射

锰锌铁氧体广泛用于各种有线通讯设备中,其使用的频率为几百kHz到几十MHz。但纯的锰锌铁氧体的磁导率(μ)的温度系数(在—40℃至80℃范围内)较大,在应用中使频率发生漂移,给使用造成了困难。为了改善μ(T)曲线,而添加了少量的各种元素进行试验,其中发现Ti对改善μ(T)曲线的效果较好。为了弄清Ti的作用,对含Ti的(Mn-Zn)Fe₂O₄的结构进行了中子衍射分析,得到的结果是:Ti择优占据B位,Mn及Zn择优占据A位,并测定了分子磁矩。最后对结果进行了初步的讨 关键词：     

锰锌铁氧体纳米粒子制备与热磁性研究

采用化学共沉淀法制备锰锌铁氧体磁性颗粒并进行了表征,用X射线荧光光谱仪（XRF）、X射线衍射（XRD）测试分析了颗粒组成、结构、平均粒径,表明制备的样品为锰锌铁氧体纳米粒子,平均粒径约为17nm.用振动样品磁强计（VSM）测量了颗粒的磁滞回线和热磁特性.     

粉末压片法XRF分析锰锌铁氧体磁性材料的成分

试样经研磨、过筛,硼酸垫底,压成片样,用X射线荧光光谱法（XRF）测定锰锌铁氧体Mn3O4、ZnO、Fe2O3成分含量,同时自制一套参考标样作标样。方法快速、精确、稳定,可以满足生产及研发定量分析要求。     

镍铁氧体单晶的制备

以前曾报导过以硼砂,PbO和Na_2CO_3作为溶剂生长出镍轶氧体单晶。但是,采用以上物质作为溶剂,其结晶温度较高,一般最高熔融温度均达1350℃,这样就会增加铂坩埚在高温时的挥发量,缩短坩埚使用寿命。而PbO在高温时对坩埚的腐蚀作用也较大。J.W.Nielsen曾采用PbO-PbF_2系,而A.Γ.则应用PbO-B_2O_3系作为溶剂生长出钇铁石榴石型单晶(YIG)。利用这两系溶剂来生长YIG单晶可以降低熔点,有助于晶体生长及改进晶体的质量。以后,Makram等人在1962年亦用PbO-     

硅酸铋单晶的生长及其性能

一、引言在某些微声表面波器件里,希望有一种低声速的材料,同时要求它具有一定的压电性能,例如锗酸铋（Ｂｉ_１２;ＧｅＯ_２０,简称ＢＧ）单晶就是这样的材料．能否获得这方面性能比锗酸铋更好的材料呢？这是我们关心的课题．我们在生长锗酸铋单晶的基础上,考虑到硅（Ｓｉ）与锗（Ｇｅ）同是ＩＶＡ族元素,都有＋４价的氧化物,其离子半径相近（锗为０．５５埃,硅为０．４０埃）,它们的配位数都具有４,６两种可能的数?...     

掺铟的铋钙钒石榴石铁氧体单晶生长与磁性

用助熔剂法生长了石榴石型铁氧体(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂)单晶,成分为x=1.35±0.02,y=0—0.388。采用本文所述工艺,对不同掺铟量的材料都长出了线度在10毫米以上的包容物很少的单晶。这个系列的单晶材料和Ga-YIG相比居里温度要高10—30℃;磁晶各向异性常数随非磁性离子铟的代入量的增加而很快下降;各向异性场随饱和磁化强度的降低开始略有下降,而后缓慢增加,饱和磁化强度在530—200高斯范围,各向异性场都在40奥以下;X波段共振线宽随饱和磁化强度的降低而增加,似乎存在着与偶极致窄相联系的损耗机构,在上述饱和磁化强度范围,线宽为1—4奥。目前获得的最好材料其磁晶各向异性场为16奥,线宽0.7奥。这些结果表明,这个系列的材料适用于低微波频率单晶器件。     

新型压电单晶PMNT的生长、性能及应用

通过对PMN -PT二元体系在高温下的相结构、相稳定性以及相图的研究 ,确立了PMNT单晶的生长方法 ,用Bridgman方法生长出了大尺寸高质量的PMNT单晶 .目前制备的PMNT单晶尺寸达到40× 70mm ,晶片尺寸为2 0× 2 0× 1mm ,其主要性能为 :介电常数ε～ 5 0 0 0 ,介电损耗tanδ <0 9%,压电系数d3 3 >15 0 0pC N ,机电耦合系数k3 3～ 94%.在准同型相界附近 ,PMNT单晶的压电活性比较高 ,但其结构比较复杂 ,实际应用时应该考虑单晶的综合性能 ,生长组成略为离开相界的PMNT单晶 .在扫描电声显微镜中 ,我们将PMNT单晶用于其压电换能器 ,明显提高了电声像的分辨率 ,充分显示出PMNT在超声成像、水声换能器以及高应变驱动器中有广泛的应用前景 .     

铌酸锂大单晶的生长及其性能

用直拉法沿[0001]方向和(1014)晶面法线方向从熔体中提拉生长成功直径100毫米,高50毫米的铌酸锂单晶,测试表明,大单晶的压弹介性能与通常的铌酸锂一样,并具有较好的均匀性。 关键词：     

硒化锌(ZnSe)单晶的汽相化学输运生长及性质

引言 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体是良好的发光材料。具有禁带宽度大,发光效率高等优点。但它们的熔点高,蒸汽压高,只有在高温高压下才能熔融。一般条件下难以实现熔体生长。 我们以前用汽相化学输运法进行了ZnSe,ZnS及其固熔体的晶体生长。此法的优点是能在较低温度下(对该物质熔点而言)生长晶体;可以获得低温晶形;晶体完整性较好;生长设备简单。缺点是生长周期长。     

铟钕掺杂钽酸锂单晶的生长及光学性能

采用提拉法生长了双掺杂钕离子(Nd3+)和铟离子(In3+)的同成分LiTaO3单晶。测量了该单晶的紫外-可见光吸收光谱,分析了该晶体的缺陷结构,得到了铟离子的掺杂浓度阈值。当铟离子掺杂浓度达到该阈值时,In∶Nd∶LiTaO3晶体的抗光损伤能力显著增强。铟离子取代晶体中的反位TaLi4+,使晶体光电导增大,减弱了光折变效应。In∶Nd∶LiTaO3晶体在光波长0.808μm处的吸收峰的半峰全宽为15nm,吸收截面为5.26×10-21 cm2。采用0.808μm半导体激光作为抽运源,钕离子在光波长1.06μm处出现强烈的荧光带。这些研究结果表明,In∶Nd∶LiTaO3作为多功能晶体可以应用于高功率的光子学或光电子学器件中。     

用脱水热磷酸抛光石榴石铁氧体单晶

一、引言越来越多的应用和研究要求铁氧体单晶有光洁、无损伤的表面,如磁畴观察［１,２］、铁磁共振线宽测量等［３］．传统的机械抛光很难满足这些要求．无论多么小心,在机械抛光的表面上总要留下一层厚度正比于抛光粉粒度的损伤层,这里晶格畸变严重,内应力很大．根据研究单晶铁氧体的要求及球形样品的特点,我们摸索出适于抛光的磷酸热过程,并设计了相应的抛光设备．对ＹＩＧ,ＢｉＣａＶＩＧ,掺Ｉｎ的ＢｉＣａＶＩＧ?...     

高纯CdS单晶生长及光学性质

本文报道用物理蒸气输运(PVT)法,通过对原料的提纯和控制组分蒸气压生长出高纯CdS单晶.叙述了控制晶体化学比的方法并通过比较CdS的激子光谱以评价材料的纯度.     

具有双分子结构的 锌的单晶结构和光学性能

合成了一种具有双分子结构的 锌 。通过X射线单 晶衍射的方法确定了它的分子结构。单晶数据如下:空间群为三斜,P-1晶系,a=0.971 9(2) nm,b=1.124 8(2) nm, c=1.190 2(2) nm; α=73.099(3)°, β=81.498(3)°, γ=76.476(3)°。两个分子间存在有π-π相互作用。Zn(5-MeBTZ)₂具有良好的热稳定性,熔点为319 ℃。以Zn(5-MeBTZ)₂为发光层,NPB为空穴传输层材料的双层结构器件 的电致发光光谱有较大的半峰全宽,几乎覆盖整个可见光区域。这种宽的EL谱是由于在NPB和Zn(5-MeBTZ)₂界面的激基复合物产生的。优化的OLED器件结构和性能将在以后的论文中介绍。     

碳化硅单晶的生长

一、引言工业碳化硅炉內生长的α-碳化硅具有半导电性是早为人們所熟知的。同时对它的性能和結构也进行了一些研究。但是由于科学和生产的发展对它沒有提出迫切的需求,同时也因其制备技术上的某些困难,因而,对碳化硅单晶生长的研究一直沒有引起人們的重视。     

HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究

本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.     

锌铊共掺碘化钠晶体的生长及闪烁性能

采用坩埚下降法生长了NaI∶Zn(0,0.05%,0.08%,0.4%),Tl(0.18%)晶体。对晶体样品进行了X射线粉末衍射、电感耦合等离子体发射光谱以及紫外可见近红外透射光谱测试。结果表明,生长的晶体具有单一的物相,Zn和Tl离子掺杂并没有改变NaI的晶体结构;随着Zn掺杂浓度的增加,晶体内的Zn2+离子浓度增加、Tl+离子浓度下降;晶体透过率随Zn掺杂浓度的增加呈现先增大后减小的趋势,Zn掺杂浓度为0.08%时,样品的透过率最高,且所有样品在350～700 nm波段的透过率均高于70%。经过切割、打磨、抛光、封装等工序将NaI∶Zn,Tl晶体封装成辐射探测元件。闪烁性能测试结果表明,在137Cs放射源激发下,Zn掺量为0.05%、0.08%时的NaI∶Zn,Tl晶体的能量分辨率≤6.80%,光输出相对于NaI∶Tl晶体增加6%～10%,这有利于NaI晶体在高能粒子探测领域的进一步应用。     

镉、锌硫系化合物的单晶薄膜生长与电学性质

本文研究了 CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe和 ZnTe薄膜的外延生长。这种生长是在10~(-4)—5×10~(-5)乇真空条件下进行的。在广阔的外延与蒸发温度范围内,在云母上可用凝集的方法制成单晶薄膜。单晶薄膜的蒸发温度T_(eV)和外延温度 T_(EP)之间的关系如下: 当 T_(EP)≤310℃时,T_(eV)=A_1+T_(EP) 当 T_(EP)≥320℃时,T_(eV)=A_2-2T_(EP) 同时得到了单晶薄膜生长的温度条件与硫系化合物分子量的关系。最完整的单晶薄膜生长的外延温度是300—320℃。并且研究了载流子迁移率和电阻率与单晶薄膜的生长温度条件之间的关系。获得的单晶薄膜具有多种性质。例如合成的CdSe单晶薄膜具有10~5欧姆厘米量级和10~1—10~2欧姆厘米量级的电阻率,并具有十分高的电子迁移率,20—32厘米~2/伏·秒。