锰锌铁氧体单晶生长及应用

引 言 锰锌铁氧体单晶是一种尖晶石结构的人工合成晶体.它具有良好的高频性能和耐磨损特性,是制作磁记录头的良好材料. 近年来,空间科学、电视科学、电子计算机等迅速发展,大量的信息处理是通过磁记录技术完成的,其中关键部件是磁头.特别是磁带录象机,工作在视频频段,并且在磁头和磁带相接触情况下,要以每秒十几米或几十米相对速度运动.因此,对磁头材料提出如下主要要求:(1)在使用频段有尽可能高的磁导率;(2)有良好的耐磨性能;(3)机械加工性能好.本文适应此种需要,设计制造出充氧气氛的锰锌铁氧体单晶炉.生长出满足上述性能要求的锰锌铁氧体…     

锰锌铁氧体单晶氮气热处理

一、序 言 人们早就知道铁氧体在低温(600-1000℃)和高温(1000℃以上)热处理性能常常是不一样的[1].由于Mn3 Fe2 在定量分析方面的困难,影响了锰锌铁氧体在这方面工作的进展.近年来R.Morinead等人[2-4]在多晶锰锌铁氧体气氛热处理方面做了大量工作并指出,在高温(>900℃)该铁氧体还原倾向是主要的.我们认为用单晶样品进行试验可能要比多晶更好一些.本文给出了锰锌铁氧体单晶在600-1200℃范围内经高氮(99.99%)处理后一些性能——起始磁导率、比饱和磁化强度、电阻率的变化和Mn2 ,Fe3 变价.并且用Mn2 的氧化、Fe3 的还原对结果进行了讨论,…     

锰锌铁氧体纳米粒子制备与热磁性研究

采用化学共沉淀法制备锰锌铁氧体磁性颗粒并进行了表征,用X射线荧光光谱仪（XRF）、X射线衍射（XRD）测试分析了颗粒组成、结构、平均粒径,表明制备的样品为锰锌铁氧体纳米粒子,平均粒径约为17nm.用振动样品磁强计（VSM）测量了颗粒的磁滞回线和热磁特性.     

硬盘磁头-碟界面润滑剂失效机理及添加剂X-1P的性能研究

采用热重分析 (TGA)、傅立叶红外光分析 (FTIR)和磁头起飞降落 (CSS)等试验方法 ,研究了硬盘磁头 碟界面润滑层PFPE的失效机理以及添加剂X 1P在磁头 碟界面润滑剂中的作用 .研究结果表明 ,高温条件下磁头材料Al2 O3 会诱导磁头 碟界面润滑剂PFPE发生歧化降解 ,造成磁头 碟界面润滑层失效 ;添加剂X 1P因其特殊的分子结构和化学性能 ,可作为一种有效稳定剂添加到磁头 碟润滑剂PFPE中 ,减弱磁头材料Al2 O3 作为催化反应中心的催化反应活性 ,减缓磁头 碟界面润滑剂PFPE的高温歧化降解 ,改善磁头 碟界面的CSS性能     

高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展

文章着重介绍了最近研制出的高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的三种制备方法和结构特性 :(1)用射频溅射法在Si衬底上制备出立方相含量在 90 %以上 ,Eg>6 .0eV的c-BN薄膜 ;(2 )用离子束辅助的化学气相沉积法(CVD) ,在金刚石上外延生长出立方含量达 10 0 %的单晶c -BN薄膜 ;(3)用微波电子回旋共振CVD法 (MW -ECR-CVD)在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜 .这些高纯c -BN薄膜 ,可应用于制作各种半导体 (主要是高温、高频大功率 )电子器件 .     

+35°YLiNbO_3单晶的生长

LiNbO_3(简称LN)晶体是60年代发展起来的新材料。它是铁电体,具有压电、电光、声光等多种效应,且易于用提拉法在c轴方向生长出大块单晶,故应用颇为广泛。由于其压电性,它在超声领域中也占有重要地位。尤其LN+35°Y切板,具有机电耦合系数较高、频率常数较高、介电常数较低以及高温性能好等多种优点。很适宜于作高频和高温超声检测器的压电元件。因此,常希望采用此种晶体切板。     

分子晶体萘的生长技术

本文描述了一种将区域融熔法与Bridgman方法相结合的单晶生长炉,用它可生长直径为1—1.3cm、长度可达15cm且适用于超声研究用的萘(Naphthalenc)单晶.该晶体生长炉具有结构简单、操作方便以及随时可以观察炉内单晶生长情况等优点.文中讨论了晶体容器的形状对单晶生长的影响,也简单介绍了汽相生长萘单晶薄片的实验.萘是较软的单晶体,所以本文提及的研磨和抛光方法对制备其它软的单晶体(同样适用于声学测量)也许具有参考价值.     

无氟PA-MOD法制备SmBa2Cu3O7-x薄膜的热处理研究

采用无氟(PA-MOD)在(00l)取向的LaAlO3单晶基底上制备SmBa2Cu3O7-x(SmBCO)超导薄膜,研究了不同成相热处理温度对薄膜性能的影响.X射线衍射(XRD)分析结果表明,经过高温处理的SmBCO薄膜其晶粒具有良好的c轴生长取向.扫描电镜(SEM)分析表明,790℃成相的SmBCO薄膜的表面更加平整致密.物理性能测试系统(PPMS)测试结果表明SmBCO样品的超导临界温度Tc为89.74K.研究了高温热处理过程中不同熔融温度制备SmBCO薄膜的影响.     

掺钛的锰锌铁氧体的中子衍射

锰锌铁氧体广泛用于各种有线通讯设备中,其使用的频率为几百kHz到几十MHz。但纯的锰锌铁氧体的磁导率(μ)的温度系数(在—40℃至80℃范围内)较大,在应用中使频率发生漂移,给使用造成了困难。为了改善μ(T)曲线,而添加了少量的各种元素进行试验,其中发现Ti对改善μ(T)曲线的效果较好。为了弄清Ti的作用,对含Ti的(Mn-Zn)Fe₂O₄的结构进行了中子衍射分析,得到的结果是:Ti择优占据B位,Mn及Zn择优占据A位,并测定了分子磁矩。最后对结果进行了初步的讨 关键词：     

化学蒸汽输运法生长完整硫化锌单晶

用化学蒸汽输运法(VT),以碘为输运剂,在封闭的生长安瓶内,生长温度900℃,蒸发源与生长中的晶体间温差(△T)为5—6℃,在园锥形安瓶顶端以取向的单晶作子晶,可以生长成完整的ZnS单晶.在大管径的安瓶中对流控制的质量输运可以快速长成具有大晶面,中间有空隙的梨晶.用控制对流并适当降低△T值在低蒸气过饱和下可以生出1厘米3以上量级无孪生的单晶.ZnS单晶为立方结构,位错密度104·cm-2n型导电,电阻率8×1012Ω·cm.晶体具有蓝色CRL、PL及EL,用掺有锰的多晶在同样条件下可以生长出ZnS:Mn2+单晶.     

火焰原子吸收光谱法测定生物样品中锌、铜和锰

生物样品经消化处理后,用火焰原子吸收光谱法测定样品中锌、铜和锰的含量,平均加标回收率为97.3%-102.4%,相对标准偏差(RSD)为0.65 %-1.40%.锌、铜和锰在给定范围内呈现良好的线性关系,相关系数分别为0.9994、0.9994和0.9983,方法简便,快速,结果可靠.     

OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性

本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延层。以光泵浦作激发研究了OMVPE ZnSe薄膜的受激发射性质并测量其光学增益。利用ZnSe/GaAs的自然解理面形成的光反馈腔制成了激光器。该激光器的工作温度可以延续到150K。     

玻璃微球内氘结晶行为研究

为研制出满足惯性约束聚变(ICF)实验的氘氚(DT)冷冻靶, 需要控制DT结晶生长过程, 实现DT单晶生长, 由此减少影响冰层均匀化及聚变实验的晶体缺陷. 本文运用晶体生长形态动力学理论建立了密排六方晶体(hcp)单晶生长模型, 实验中通过对靶室进行± 3 mK精确控温, 采用可见光背光成像技术在线表征了低温下玻璃微球内氘(D₂)的结晶生长过程, 结果表明: 在20–100 Pa低温氦气导热环境下, 通过缓慢降温可显著降低氘晶体生长过程中形成的缺陷; 当降温速率达到2 mK/min时, 观测到了氘燃料的两种单晶生长过程, 实验具有可重复性; 建立的hcp单晶生长理论模型与实验结果符合, 并与美国利弗莫尔国家实验室(LLNL)的DT单晶生长过程进行了对比, 提出了冷冻靶内D₂/DT燃料的单晶生长方法.     

助熔剂法和浮区法生长Nd_(2-x)Ce_xCuO_4单晶及其热传导研究北大核心CSCD

本文研究了用助熔剂法和浮区法两种方法生长Nd2-x Cex CuO4(NCCO)单晶的生长条件和NCCO单晶的热传导性质.用助熔剂法方法可以生长出组份为x=0至x=0.18的一系列单晶样品.用X射线衍射表征了单晶的结构和品质,并观测了不同的退火过程对样品的超导转变的影响.在浮区法方面,生长NCCO(x=0.15)单晶也取得了很好的结果.另外,本文还测量了不同组份的单晶样品的低温热导率,发现Nd3+离子磁性对热导率的影响以及掺杂Ce后热导率的变化情况.     

新型压电单晶PMNT的生长、性能及应用

通过对PMN -PT二元体系在高温下的相结构、相稳定性以及相图的研究 ,确立了PMNT单晶的生长方法 ,用Bridgman方法生长出了大尺寸高质量的PMNT单晶 .目前制备的PMNT单晶尺寸达到40× 70mm ,晶片尺寸为2 0× 2 0× 1mm ,其主要性能为 :介电常数ε～ 5 0 0 0 ,介电损耗tanδ <0 9%,压电系数d3 3 >15 0 0pC N ,机电耦合系数k3 3～ 94%.在准同型相界附近 ,PMNT单晶的压电活性比较高 ,但其结构比较复杂 ,实际应用时应该考虑单晶的综合性能 ,生长组成略为离开相界的PMNT单晶 .在扫描电声显微镜中 ,我们将PMNT单晶用于其压电换能器 ,明显提高了电声像的分辨率 ,充分显示出PMNT在超声成像、水声换能器以及高应变驱动器中有广泛的应用前景 .     

硅酸铋单晶的生长及其性能

一、引 言 在某些微声表面波器件里,希望有一种低声速的材料,同时要求它具有一定的压电性能,例如锗酸铋(Bi_12;GeO_20,简称BG)单晶就是这样的材料.能否获得这方面性能比锗酸铋更好的材料呢?这是我们关心的课题. 我们在生长锗酸铋单晶的基础上,考虑到硅(Si)与锗(Ge)同是 IVA族元素,都有 4价的氧化物,其离子半径相近(锗为0.55埃,硅为0.40埃),它们的配位数都具有4,6两种可能的数值,因此我们就用硅代锗生长了硅酸铋(即Bi_12SIO_20,简称BS)单晶体,并研究其性能. 在进行这项工作的过程中,我们看到了国外一些有关的报导.如利文(Levin)等报导…     

Dy_(0.9)Sm_(0.1)FeO_3单晶中的自旋组态和磁化翻转效应

我们用光学浮区法生长了稀土正铁氧体Dy_(0.9)Sm_(0.1)FeO_3(DSFO)单晶,并通过劳厄衍射法确定了单晶样品的方向.对DSFO单晶的磁性研究表明:在DyFeO_3中掺杂10%的Sm后,体系的自旋重取向转变温度从51 K(DyFeO_3)降低到9 K,而且相变过程变成了由Γ_4到Γ_(42)再到Γ_1.在12—300 K区间DSFO处于Γ_4组态,沿c方向Fe离子磁晶格有一个净的磁矩和一个由它诱导的稀土离子的净磁矩.稀土磁矩和Fe磁矩之间本征地反平行耦合,但一个较小的磁场可以改变反平行耦合到平行耦合.在场冷降温模式下的磁化-温度曲线测试中,我们发现在不同的磁场下磁化曲线会在不同的位置发生跳变;这一现象由稀土磁矩和Fe磁矩之间的平行反平行转变导致,有望作为特定条件下的自旋开关而应用于自旋电子学器件中.     

热处理对鑥铁氧体和锰铁氧体单晶铁磁共振的影响

本文观察了不同的热处理对于石榴石型的镥铁氧体(Lu₃Fe₅O₁₂)和尖晶石型的锰铁氧体(MnFe₂O₄)单晶的铁磁共振的影响。两次热处理分别为在700℃空气中加热1小时,和在700℃氧气中加热10小时,发现这样的热处理对K₁/M_s和g-因子无显著的影响,但却使共振线宽△H的各向异性显著减小,热处理对镥铁氧体的△H影响较小,但却使锰铁氧体的△H每经一次热处理后都成倍地增长。讨论了△H随热处理变化的原因,并由X射线衍射照相证实了锰铁氧体样品在热处理后有少量α-Fe₂O₃的脱溶。     

高矫顽力和大矩形比钡铁氧体垂直磁记录薄膜

用对向靶直流溅射系统制备了c轴垂直取向的钡铁氧体薄膜.用少量的Al来取代Fe,从而制备了成分为BaAlxFe12-xO19(x=0,1,2)的钡铁氧体薄膜.研究了Al取代Fe对其结晶学性能、磁学性能的影响.研究了退火效应及基板温度对薄膜性能的影响.获得了c轴垂直取向的具有高矫顽力和大矩形比的钡铁氧体薄膜 关键词： 钡铁氧体薄膜 铝取代 高矫顽力 大矩形比     

镍铁氧体单晶的制备

以前曾报导过以硼砂,PbO和Na_2CO_3作为溶剂生长出镍轶氧体单晶。但是,采用以上物质作为溶剂,其结晶温度较高,一般最高熔融温度均达1350℃,这样就会增加铂坩埚在高温时的挥发量,缩短坩埚使用寿命。而PbO在高温时对坩埚的腐蚀作用也较大。J.W.Nielsen曾采用PbO-PbF_2系,而A.Γ.则应用PbO-B_2O_3系作为溶剂生长出钇铁石榴石型单晶(YIG)。利用这两系溶剂来生长YIG单晶可以降低熔点,有助于晶体生长及改进晶体的质量。以后,Makram等人在1962年亦用PbO-