Eu掺杂对Ca_3Co_4O_9磁性、电输运和热电性质的影响

采用固相反应法制备了单相的Ca3-xEuxCo4O9(x=0.00,0.10,0.20,0.30)系列多晶样品,并系统地研究了其磁性、电输运和热电性质.结果表明,随着Eu掺杂浓度的增加,亚铁磁转变逐渐消失,低温导电机制由热激活半导体转变为二维变程跳跃;热电势也随着掺杂量x而增加,当x增加到0.2时热电势在低温呈现陡然的上翘,导致热电优值(ZT)大幅度增加.我们将低温热电势行为归结于两个方面的原因:一是三价Eu3+离子替换二价Ca2+引起载流子浓度减小,导致电子关联效应增强;二是掺杂破坏磁有序引起自旋熵的增加.     

氧缺位对多相YBaCuO体系热电势率的影响

测量了多相Y Ba Cu O体系的热电势率与温度的关系,结果表明:在高温区热电势率为负,在低温区热电势率为正。由此推断在高温区以电子导电为主,在低温区以空穴导电为主,并且由实验结果推测,空穴导电与氧缺位正相关,即氧缺位越多,越无序,空穴导电的温区越宽。     

不锈钢/碳钢爆炸复合板消除应力热处理

 为了消除爆炸焊接不锈钢/碳钢复合板界面的残余应力，对实验样品进行了消除应力热处理，并做了力学性能测试、显微硬度测量、扫描电镜分析和金相分析。结果表明，不论是否经过热处理，界面两侧的成分都有互扩散发生；热处理温度小于550 ℃时，力学性能、金相组织和显微硬度变化不大；热处理温度高于650 ℃时，硬度曲线下降到接近原材的硬度，但同时界面近区碳钢表层发生脱碳现象；热处理温度在750 ℃时，碳钢内部还发生相变。因此不锈钢/碳钢复合板的最佳热处理温度可能在600 ℃左右。     

Nd2CuO4及其微量Zn掺杂单晶样品的传输性质研究

用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品，并系统地研究了在15-300K范围内样品的电阻率和热电势行为．两者在25-200K之间的温区都表现相同的物理行为—高温区为半导体热激活行为，低温区为二维变程跳跃行为．在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象．我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论．退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响，其本征的物理性质还需要深入的研究．     

高温超导体全载流子范围内的热电势

热电势表示为；Ｓ（Ｔ）＝Ｓｇ（Ｔ）＋Ｓｄ（Ｔ），Ｓｄ（Ｔ０和Ｓｇ（Ｔ）分别是扩散热电势和曳引热电热。高温超导体大量的热电势数据呈现随载流子浓度的系统变化，低载流子浓度区和高载流子浓度区的热电势具有相同的函数形式，这说明从欠掺到过掺杂的热电势应由统一的理论描述。     

四方和正交YBa2Cu3O7-x体系的输运性质

测量了一系列在不同淬火温度下制得的单相YBa₂Cu₃O_7-x样品的电阻和热电势率。热电势率与温度的关系表明,在正交结构的超导体中,存在声子曳引峰,而在四方结构的样品中,声子曳引峰消失,说明电-声子相互作用对超导电性有影响。根据热电势率数据,估算了样品的费密能和载流子浓度。 关键词：     

钾掺杂铊青铜Tl0.3MoO3的电输运性质研究

我们测量了几种成份钾掺杂铊青铜Ｔｌ０．３ＭｏＯ３单晶的电阻及热电势随温度变化的性质。结果显示，与未掺杂样品一样，无论是高于或低于Ｐｅｉｅｒｌｓ相变温度Ｔｐ，掺杂样品热电势的温度特性均满足一个经验公式Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ／Ｔ。然而，由于掺杂，样品的电阻，热电势的绝对值以及相变温度Ｔｐ均减少；但其热电势符号变化的温度Ｔｓ却增加。我们在漂移散射和声子曳引的基础上，引入杂质的施主效应以及弱的链间偶合的影响讨论了上     

快速测量单晶样品低温热电势的新方法

对传统的热电势倒相测量方法进行了改进,发展了一种快速的、针对毫米级样品的准连续的热电势测量方法,在不降低测量精度的情况下大幅度提高了热电势的测量速度.我们用高温超导材料Nd1.84Ce0.16CuO4单晶样品对该法进行了不同变温速率的测试,并与传统的倒相法进行比较,一定变温速率(<30K/hr)下和传统方法数据吻合很好,有很高的测量精度.由于此法为准连续测量法,变温速率可精确设定,所以对有明显热滞效应的材料如电子型超导体母体材料Nd2CuO4等的热电势测量有十分重要的意义.     

Bi2Sr2—xLaxCaCu2Oy体系正常态热电势的研究

测量了掺Ｌａ的Ｂｉ２２１２系统的随温度变化（８０￣３００Ｋ）的热电势。结果表明，热电势随掺杂浓度的增加（载流子浓度减少）而增大。定性解释了绝样样品的热电势的宽峰移动，并且用Ｎ－Ｌ模型及双带模型对热电势的结果进行了定量分析。     

Tb4O7掺杂的WO3陶瓷的高温热电现象

采用传统的固相烧结技术，制备Tb₄O₇掺杂的WO₃陶瓷. 测量了其高温热电行为，发现样品升温和降温时相变分别出现在350℃和270℃，有80℃的热滞.并且样品在500℃的恒定温度下有稳定的电能输出，这种现象用现有的温差电效应和热(释)电效应理论都不能解释.这是一种新的热电效应，利用它有可能找到热能—电能转换的新途径. 关键词： 3陶瓷')" href="#">WO₃陶瓷 热电转换 相变 热释电     

内锡法Nb3Sn超导线A15相组成及TC的特征研究（英文）

设计并制备四组不同组成的内锡法Nb3Sn单组元线和两组不同结构设计的多芯线.先将所有样品进行210℃/50hr+340℃/25hr的Cu-Sn合金化热处理,接着进行A15相成相热处理.四组单组元线的成相热处理程序是在675oC,700oC和725℃三种温度下热处理100小时和200小时;而两组多芯线的成相热处理程序是在675℃,675℃,700℃和725℃四种温度下热处理128小时和200小时.将所有热处理样品采用X-射线EDS进行A15相组成分布测定,采用SQUID磁化法测定临界温度TC.所得结果表明,经过足够热处理时间后各种内锡法Nb3Sn超导线的最终A15相组成和TC与热处理温度、导线复合体组成和结构设计以及第三元素的合金化掺杂无关,而是由这种扩散与固相反应的机制本质所决定的.     

氧化物超导体的高压热处理及烧结

 本文利用高温高压条件，对氧化物超导体进行了不同条件的高压热处理及烧结。发现对SrLa(CuAg)₁O_x在空气中烧结的超导体，适当条件的高压热处理，使T_c从20 K提高到28 K。在Y₁Ba₂Cu₃O_7-δ系氧化物中，无论是对空气中烧结的已超导样品的高压热处理，或者直接在高压下烧结样品，均未使T_c得到提高，但是，经过高压烧结，超导样品的硬度显著提高，密度也有所增加，并且改变了超导相的晶格常数。     

GaP的缺陷随温度变化的PAT研究

我们对LEC法制成的掺S的GaP单晶,从室温至1000℃,每隔50℃恒温30分钟,在Ar气保护下进行热处理。用正电子湮没技术(PAT)对样品中的缺陷进行了分析研究。结果指出,随着热处理温度的升高,GaP中的点缺陷组态发生变化。测试结果表明,正电子湮没寿命可分解为两个寿命。其中捕获态寿命τ2随热处理温度的升高,由310ps变为330ps;进而在高温下变为280ps.相应地捕获强度I2随温度而发生变化,它反映出GaP单晶中的空位浓度也在随温度发生变化。     

东方弧菌荧光酶的分离纯化和性质研究

东方弧菌518菌株于20℃摆床液体培养十六小时,菌数达最大,菌体内荧光素酶含量也较高,此时收获菌体.用超声波振动破碎细胞从中提取荧光酶粗液,经DEAE-纤维索和DEAE-sephadex柱层析得到纯化的酶.用葡聚糖凝胶层析法测得该酶分子量为87000道尔顿,用SDS-PAGE法测得该酶两个亚基分子量分别为44000(α)和41000(β). 该酶在pH6.8、18℃时活性最佳,对热不稳定.以FMNH2为底物催化发光反应,最高发射波长为490nm左右.其光谱特征与文献报道的东方孤菌整体发光的光谱相一致.     

Fe-Cr-Co永磁合金的高温X射线衍射研究

本文用高温X射线粉末衍射法研究了成分为(重量百分比)62Fe-23Cr-15Co的可加工永磁合金热处理条件与晶体结构的关系。对高温淬火后只经过时效的样品,以及经过淬火、磁场热处理和时效的样品摄取了高温德拜·谢乐相,观察了高温相变的差异,测量了时效样品点阵常数随温度的变化。我们发现:只经过淬火和时效的样品在610℃左右出现一新的过渡相(X相)。 关键词：     

急冷Al-Si-Ge合金的微观结构及正常-超导转变特性

本文研究了急冷Al-8.3at％Si-8.5at％Ge合金的微观结构及正常-超导转变特性,结构分析表明,样品中存在晶态及非晶态两种不同的区域,经100℃/50hr热处理后,电阻-温度及电阻-磁场转变曲线上均出现明显的台阶。 关键词：     

聚集态和陷阱对交联聚乙烯真空沿面闪络特性的影响

研究了半结晶聚合物交联聚乙烯的聚集态和陷阱等对真空沿面闪络特性的影响.交联聚乙烯(XLPE)在135℃下恒温10min后,分别经过-56℃,-25℃淬火处理,自然降温,或1℃/min,0.5℃/min慢速降温等热处理过程,测量了热处理后试样的电气性能、显微结构、陷阱分布和真空中的沿面闪络特性.实验结果表明,与未热处理试样相比,热处理试样的直流闪络电压最高提高了76%,脉冲闪络电压最高提高了19%.认为热处理改变了XLPE试样的聚集态和陷阱,从而提高了XLPE试样的真空沿面闪络性能,提出了可以通过控制半结晶聚合物的聚集态和缺陷结构提高其真空沿面闪络性能.     

锑化铟的热处理

本文叙述N型InSb单晶和含有大晶粒的双晶样品(n～1.23×10¹⁴—2.40×10¹⁵cm^-3,μ_e～5.15×10⁵cm²/V·sec—2.10×10⁵cm²/V·sec),在500℃下、不同气氛中进行热处理产生受主,引起热转换,而整块地变为P型样品,当继续热处理使温度达到熔点以上时,这种P型样品中的热受主消失了,而转变回到原来的N型样品;若把这种N型样品再在500℃下进行热处理,则它又整块地变为P型样品。我们对这一新发现的过程进行了一些研究,发现这种现象与材料的不同制备条件和热处理时的环境气氛不同有关,并对不同气氛下的循环热转换过程和熔化效应作了论述。在500℃下进行热处理所引起的热受主浓度与热处理时间的关系中,发现在热处理起始的一段时间内,热受主形成速率较大;随着热处理时间的增加,热受主浓度达到一个饱和值;若再加长热处理时间,则热受主浓度开始下降,这现象与硅的热处理现象相似。根据实验得到的新结果进行分析,认为这种热处理现象不象是外来因素的影响所引起的,而是一种原来存在于InSb中的内在因素所起的作用,推测可能是与氧和氢有关。最后我们对解释这种热处理现象的可能的机理进行了探讨。     

退火处理对SnO2薄膜光致发光性质的影响

实验研究表明,SnO2薄膜经过退火处理后其光致发光谱有明显的变化。在氧和氮两种不同气氛中进行热处理,其变化也有差异。这种变化主要是由于SnO2膜中氧空位和自由载流于浓度变化所致。     

碳遮光石英气凝胶传热机制与热性能数值模拟

建立了碳遮光石英气凝胶传热机制及热性能数值模拟方法,在交叉立方阵列导热模型、热辐射传输谱带模型、辐射导热耦合传热模型基础上,采用蒙特卡罗方法与有限体积法数值模拟了气凝胶内的热辐射传输及辐射导热耦合传热,并以表观导热系数描述气凝胶传热性能.以某石英气凝胶为例,定量模拟了热性能、各种传热方式的作用及温度依赖性,分析了应用Rosseland扩散近似引起的误差.