全国中专物理试题统测样卷（2）

全国中专物理试题统测样卷（２）一、填空题（２Ｘ１６—３２分）１·自然界存在种电荷，电荷之间的相互作用力叫做力．２．一平行电容器的电容为５０卜Ｆ带电量为５Ｘ１０－’Ｃ，两板间电压为＿Ｖ，若极板间距离为５ｃｍ，两板间的电场强度为Ｖ／ｍ．３．金属导体中自由...     

低杂波电流驱动下硬X射线轫致辐射的测量与研究

用新研制的碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器，测量来自等离子体芯部，其能量范围在１５—１５０ｋｅＶ之间的Ｘ射线轫致辐射。当用２００—３００ｋＷ、２．４５ＧＨｚ、９０ｏ相位角和Ｎ‖＝２．７的低杂波进行电流驱动时，硬Ｘ射线辐射强度在垂直于磁轴的方向上是减少的；但在磁轴切线方向上，孔栏的轫致辐射［用碘化钠（ＮａＩ）探测器测量］是增加的。Ｘ射线能谱测量表明，在低杂波电流驱动（ＬＨＣＤ）情形下，出现非麦克斯韦分布的高能尾部电子，其垂直能量最高可达１５０ｋｅＶ，尾部电子温度（垂直）在１５—３０ｋｅＶ之间。     

光折变材料Cu∶KNSBN的晶格振动和d－d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡（Ｃｕ∶ＫＮＳＢＮ）和钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ）两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼（Ｒａｍａｎ）谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ２＋在晶体中形成两个深能级２．５０ｅＶ和２．６４ｅＶ。     

类Ne锌X射线激光的实验研究

介绍了在“星光”装置上进行的类Ｎｅ锌Ｘ射线激光实验．激光器输出能量为１８０～２００），单脉冲泵浦时观测到２６．２ｎｍ、２６．７ｎｍ（Ｊ＝２—１）两条激光线，加预脉冲方式泵浦时观测到了２１．２ｎｍ（Ｊ＝０—１）、２６．２ｎｍ、２６．７ｎｍ（Ｊ＝２—１）和３１．４ｎｍ（Ｊ＝２—１）四条激光线。     

NO在Cs／Ru（1010）表面上吸附的ARUPS研究

在１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，Ｈｅｌｌ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅ以下９．３ｅＶ（５σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附，ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＡＲＵＰＳ测得在Ｅ以下６．２，９．２，１１．１，１２．４和１４．９ｅＶ处有５个峰，和Ｎ２Ｏ气相的ＵＰＳ谱比较认定它们是Ｎ２Ｏ和ＮＯ共存的结果，表明ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ     

光折变材料Cu;KNSBN的晶格振动和d—d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡和钾钠铌酸锶钡两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ＾２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ＾２＋在晶体中形成两个深能级２．５ｅＶ和２．６４ｅＶ。     

（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．２５附近的突变     

铂(Ⅳ)-钼酸盐-乙基罗丹明B离子缔合显色反应研究

本文研究了在聚乙烯醇（ＰＶＡ）存在下用钼酸盐与乙基罗丹明Ｂ（ＥＲＢ）形成离子缔合物，该缔合物的最大吸收位于５８０ｎｍ，摩尔吸光系数为１．１２×１０６Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，服从比耳定律范围０—２．５μｇ／２５ｍＬ，缔合物至少稳定１周，考察了５０多种共存离子的影响，除生成杂多酸元素和Ａｕ（Ⅲ）、Ｏｓ（Ⅷ）、Ｐｄ（Ⅱ）、Ｉｒ（Ⅳ）外，大多数元素不干扰。测定铂的条件为：〔ＨＣｌＯ４〕＝１．２ｍｏｌ／Ｌ，〔ＭｏＯ４２－〕＝９．１×１０－４ｍｏｌ／Ｌ，〔ＥＲＢ〕＝３．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，０．０８％ＰＶＡ。缔合物的摩尔比为Ｐｔ（Ⅳ）∶ＥＲＢ＝１∶２，本法已用于铂矿中铂的测定，结果满意。     

取代环戊二烯基铬,钼或钨羰基物和有机铁硫砷簇合物UV—VIS…

通过对三种类型十个有机族合物在十种有机溶剂中紫外－可见光谱的测试及计算机辅助处理，得到了族合物在一些溶剂中ＵＶ－ＶＩＳ谱ＣＴ带的ｖｍａｘ／ｃｍ＾－１和溶剂极性参数（ｎ＾２－１）／（２ｎ＾２＋１），Ｚ值之间存在着好的性关系，其相关系分别到了０．９８４－０．９９０。本文还对ＣＴ带的ｖ／ｃｍ＾－１和（ｎ＾２－１）／（２ｎ＾２＋），Ｅｔ（３０）进行了二元线性回归处理，得到了更好的线性关系，相关系数为０．９     

电子波的群速与相速

电子波的群速与相速董庆祥（北京电子科技学院，北京１０００３９）（收稿日期：１９９６—１０—３１）我们首先回顾一下群速与相速这两个概念．在经典波动中，振幅均为Ａ，频率为ω１、ω２的两列简谐波，ｙ１＝Ａｃｏｓ（ω１ｔ－ｋ１ｘ）；ｙ２＝Ａｃｏｓ（ω２ｔ－ｋ...     

中专物理(下册)期中测试样卷

一、填空题（２×２０＝４０分）１．自然界存在种电荷,电荷之间的相互作用力叫做力．２．一平行板电容器电容为５０μＦ带电量为５×１０－３Ｃ,两析间电压为Ｖ,若极板间距离为５ｃｍ,两板间的电场强度为Ｖ／ｍ．３．金属导体中自由电子定向移动的方向,跟导体中电流...     

Ba（n，x）~（134）Cs，~（134）Ba（n，2n）~（133）Ba，

用中子活化法相对于５４Ｆｅ（ｎ，Ｐ）５４Ｍｎ反应，在１３．５０—１４．８０ＭｅＶ中子能区测量了Ｂａ（ｎ，ｘ）１３４Ｃｓ，１３４Ｂａ（ｎ，２ｎ）１３３Ｂａ，１４０Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１３９Ｃｅ，１４２Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１４１Ｃｅ和２３Ｎａ（ｎ，２ｎ）２２Ｎａ的反应截面．并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较，中子能量是用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ反应和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比法测定的。     

~（56，57）Fe，~（59）Co（α，d）核反应及拉长态性质的实验研究

利用△Ｅ—Ｅ望远镜及Ｑ３Ｄ磁谱仪，在ＨＩ－１３串列加速器提供的３５ＭｅＶα离子束轰击下，测量５６，５７Ｆｅ，５９Ｃｏ（α，ｄ）５８、５９Ｃｏ，６１Ｎｉ核反应的精细能谱和微分截面角分布，微观ＤＷＢＡ近似用来分析实验数据．在５６Ｆｅ（α，ｄ）５８Ｃｏ核反应观测的９个强激发能级中，重点分析和讨论了６．７９ＭｅＶ和６．４ＭｅＶ能级的性质，观测到迄今所能看到的最高拉长组态（１ｇ９／２，１ｇ９／２）９和首次确认了６．４ＭｅＶ能级Ｊπ＝１＋．在５７Ｆｅ，５９Ｃｏ（α，ｄ）核反应测量中，未看到孤立强激发能级，它意味着强度分散在许多能级上，以致看不到孤立拉长态存在的实验证据．     

高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射

我们制作了一种可在６—１１Ｖ偏压范围内均匀发射可见光的新型金属—绝缘体—金属结型发光器件，其内层结构是Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＦ２－Ａｎ（Ｃｕ），其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的Ｍ－Ｏ－Ｍ遂道结型发光器件．本文首次报导并论证了这一由Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子所激发的光发射及其物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在ＡＯ（Ｃｕ）－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ（Ｃｕ）－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合．这一图象与该器件的电流—电压（Ｉ—Ｖ）、电流—温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致．     

一甲基硫脲与支持电解质的阴离子在银电极上共吸附的拉曼光谱研究

本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱（ＳＥＲＳ）技术研究了ＭＴＵ在ＨＣｌＯ４、Ｈ２ＳＯ４和ＨＮＯ３介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为，发现ＣｌＯ－４、ＳＯ２－４和ＮＯ－３等弱吸附无机阴离子均能被ＭＴＵ诱导物理吸附在其质子化了的氨基（ＮＨ＋３）上，这三种无机阴离子被ＭＴＵ诱导物理吸附的强弱顺序是：在电极电位位于－０．２Ｖ～－０．７Ｖ区间时，ＳＯ２－４＞ＣｌＯ－４＞ＮＯ－３，在电位位于－０．８Ｖ～－１．２Ｖ区间时，ＣｌＯ－４＞ＳＯ２－４＞ＮＯ－３。     

压强的微观表达式-((H)/(V))_(qp)及其涨落

按照系综理论，压强ｐ是偏导数－（　Ｈ／ Ｖ）ｑｐ的统计平均值：ｐ＝〈－Ｈ／Ｖ）ｑｐ〉，人们由它引出结论：－（Ｈ／Ｖ）ｑｐ作为一个相函数乃是压强的瞬时值，但根据这一前提得到的压强涨落公式与准热力学理论矛盾，并引起了长期的争论．本文提出如下见解：偏导数－（Ｈ／Ｖ）ｑｐ与相变量（ｑ，ｐ）的选择有关，只有对于某种特殊的相变量，它才能表示压强的瞬时值．这时公式〈（２Ｈ／ Ｖ２）ｑｐ〉＝（ｐ／Ｖ）ｓ成立．而根据这一公式，可以从系综理论的压强涨落公式过渡到准热力学理论的压强涨落公式．     

关于l／η（1440）的结构分析

本文通过对Ｊ／ψ辐射衰变到Ｋ＋Ｋ－πＯ和终态中ｉｏｔａ能区的振幅分析，发现ｉｏｔａ峰下有一个０－＋共振态（Ｍ＝１４６７±３ＭｅＶ，＝８９±６ＭｅＶ）和两个１＋＋共振态（Ｍ＝１４３５±３ＭｅＶ，＝５９±５ＭｅＶ；Ｍ＝１４９７±２ＭｅＶ，＝４４±７ＭｅＶ），分别对应于η（１４４０），ｆ１（１４２０）和ｆ１（１５１０）．     

液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究

用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对发光及其声子伴线、以及与本征缺陷等有关的深能级发光三部分．通过与液封直拉（ＬＥＣ）生长的籽晶的光致发光谱比较表明，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，束缚于中性浅受主上的激子发光与籽晶中的相差不大；ＤＡ对发光的晶格弛豫比籽晶中的小；与本征缺陷等有关的深能级发光强度比籽晶中的弱．晶体的室温光致发光谱仅包含带—带发光，其发光强度形貌测试结果表明，ＬＥ－ＶＢ晶体的带—带发光强度比ＬＥＣ籽晶的强．用Ｈｕｂｅｒ法对晶片腐蚀的结果表明，在ＬＥ－ＢＶ晶体中，位错密度仅为ＬＥＣ籽晶中的三分之一．分析认为，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，本征缺陷和位错等浓度较低，可能是其带—带发光强度比在ＬＥＣ籽晶中强的物理起因．     

ESR研究非晶Ag￣＋导体的晶化

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法对非晶Ａｇ￣＋离子导体０．８５ＡｇＩ～０．１５Ａｇ＿４Ｐ＿２Ｏ＿７的热处理晶化过程进行研究，在样品中掺入微量（约１×１０￣（－３）ｇ／ｇ）的Ｍｎ￣（２＋）或Ｖ￣（４＋）离子作为自旋探针离子，它们的ＥＳＲ谱强度随升温线性减弱，当样品完全晶化时ＥＳＲ谱消失。这样测定的样品完全晶化的温度分别为９８℃（掺Ｍｎ的）和１０８℃（掺Ｖ的）．本文还对Ｍｎ￣（２＋）和Ｖ￣（４＋）的ＥＳＲ谱进行了分析。     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。