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M-Z型极化DANS聚合物电光波导强度调制器研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了Mach-Zehnder型极化聚合物电光波导强度调制器的制备工艺.器件采用DANS (4-dimethylamino-4′nitro-stlibene)聚合物为电光波导材料,由电光波导层、上下介质缓冲层、上下金属电极层构成五层波导结构.对五层光波导各层之间的光学、化学以及微加工工艺的相互兼容性进行了深入研究.采用紫外光漂白方法制备出侧壁光滑的条波导,采用钨丝电晕极化方法对DANS聚合物波导进行有效极化,使其具有电光特性.通过优化器件制备工艺,研制出工作波长为1300 nm的M-Z型电光波导强度调制器原型器件.实验测得器件半波电压约为10 V,调制带宽约为1 GHz. 相似文献
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给出一种透射式Teng-Man方法,方便而快捷地测出电晕极化有机非线性材料的电光系数,与二次谐波的测试结果一致。 相似文献
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设计了一种高线性度、无偏置聚合物Y型耦合器电光调制器,它由Y型分束器、Y型合束器、两节推挽极化电光耦合波导构成的电光区和一个微带行波电极构成,给出了器件结构并对其参数做了优化。通过对施加的电学调制信号做傅里叶变换并结合器件的传递函数,给出了一种新型数值方法来建模和表征器件的静态和动态特性,推导并得到了器件的状态函数、静态响应、调制响应、三阶内调响应等表达式。计算和分析结果显示,器件的半波电压为2.69V;3dB调制带宽约为143GHz;当调制系数为1%~10%时,基频信号对器件所产生三阶内调噪声的抑制比为60dB~90dB。所给出的理论和相关公式也可用于具有Y型耦合器结构的类似电光器件(如电光开关)的设计、建模和分析。 相似文献
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新型极化聚合物薄膜电光调制器研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用对硝基偶氮苯类为侧链的键合型聚合物,采用高温电晕极化的方法制作电光薄膜,设计并构造极化聚合物薄膜电光调制器。当通光方向和极化方向平行并且垂直于极化聚合物薄膜的表面时,利用法布里-帕罗(F-P)腔中多光束干涉,可以把通过的光由位相调制转化为强度调制,有利于电光调制器的小型化和高速封装。用这种聚合物薄膜电光调制器测量了锢锡氧化物共面波导上的电信号,并对系统的工作原理进行了分析。实验结果表明,薄膜调制器具有线性电光效应;当F-P腔的精细因子为20(为1.3μm的光),调制电场为1V/μm时,研制的极化聚合物电光调制器的调制深度可达到0.01%。 相似文献
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M-Z光波导是聚合物电光调制器的重要结构单元。利用有效折射率法计算聚合物脊形波导的横向折射率分布,将三维光波场传播简化为二维传播。从导模满足的标量波动方程出发,结合透明边界条件,采用Crank-Nicholson差分格式,得出有限差分束传播法的基本计算格式。通过对M Z型波导结构中TM模的传播及损耗特性进行理论分析,系统地研究了脊宽、分支角等结构参数对损耗的影响。研究表明,有效折射率法与二维有限差分束传播法的结合可以较好地解决脊形M Z波导的设计问题。该方法具有精度高、计算量小及效率高等优点,为聚合物电光调制器的制备提供了理论依据。 相似文献
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用连续波电光检测技术进行LiNbO3定向耦合波导调制器的场分布测量 总被引:2,自引:1,他引:1
本文介绍一种新颖的无损伤检测技术——连续波电光检测技术(OWEOP)对LiNbO_3定向耦合波导调制器模拟样品内场分布进行各种测量所获得的实验结果。采取了背射和端射两种测量方式,测出了波导电极条下,电极间隙区以及电极中断区电场的分布,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
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本文首次报道了在SBN:60(Sr_(0.6)Ba_(0.4)Nb_2O_6)单晶上观察到DC(直流)电光诱导光波导的形成,以及当反转上述DC极性时光由电极间隙下低折射率区折向衬底的现象,并根据上述现象演示了一种不同于以光相位调制为基础的新的低压高调制度的电光光强调制器。 相似文献
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Traveling-WaveElectroopticalModulatoronPolymericFilmwithReversalPolingStructure¥ZHOUYi;CHENYixin(DepartmentofAppliedPhysics,S... 相似文献
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ElectricFieldAnalysisofNon-coplanarElectrodesinElectroopticModulatorwithaRidgeWaveguideStructure¥ZHOUYi;YUYang;QIUWei;CHENYix... 相似文献
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用于产生太赫超宽边带光谱的新型电/光调制器 总被引:3,自引:1,他引:2
报道了利用周期性的极转技术制作准速度匹配型电/光调制器,并以这种调制器产生超宽边带光谱的结果。电光晶体LiTaO3的极性分布周期的反转之后,在16.25GHz的调制频率下,实现了微波与光波的准速度匹配,可以不局限于调制频率的高低,从而在增加相互作用长度的前提下充分提高调效率,调制度已达到57rad,产生的宽边带光谱的半值全宽为1.85THz。 相似文献
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电光调制器的温度特性及其最优化设计 总被引:5,自引:3,他引:5
利用线性电光效应的波耦合理论对铌酸锂晶体电光调制器的温度特性进行研究,给出了不同光波波矢和晶体光轴夹角情况下电光效应的温度变化特性,发现可以利用角度调节来克服电光调制器的温度敏感性;在此基础上,进一步对电光调制器进行了最优化设计,得到一个半波电压小(几十伏)、零场泄漏几乎为零(零电压出射光强和入射光强比为0.0027)、消光比达到365.6、温度性能稳定而且不需要透明电极的一个设计。 相似文献
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基于单通道反射型电光调制器实现不同路光同时调制的方法 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种利用单通道反射型聚合物电光调制器同时调制不同路光的方法。衰减全反射结构的电光调制器,其每一个衰减全反射(ATR)峰的位置分别对应于一个导波共振模式。实验系统中利用衰减全反射导膜峰作为调制通道,使其每一路光路的入射角分别对应于不同导波共振模式的工作角,就可以实现利用单通道的电光调制器同时调制不同路光。提出了三种实现两路光同时调制的模式,并给出了三种模式的调制结果。结果表明,作为调制通道的导模阶数越低,调制效率越高。在832 nm光波波长下,采用最低阶导模进行调制时可以获得42.9%的调制效率。 相似文献
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