太阳电池新进展

介绍了各种太阳电池技术和发展概况 ,其中晶硅太阳电池技术发展比较成熟 ,商业化程度最高 ,许多技术和理论问题带有普遍性 ,对其他电池的研究开发有借鉴作用 ,文章对此作了较详细的介绍 .薄膜电池是未来发展方向 ,文章对目前国际上研究得最多的几种薄膜电池 ,如非晶硅 (a Si)、碲化镉 (CdTe)、铜铟硒 (CuInSe2 ,CIS)、多晶硅、染料敏化TiO2 等电池的技术发展概况作了介绍 ,并简要说明了不同电池的商业化生产情况 .     

预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响

研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In_1-xGa_x)Se₂(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响.通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体.高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势.经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%.     

铜铟镓硒薄膜太阳能电池新型图形化透明前电极研究

为了优化铜铟镓硒薄膜太阳能电池的前电极,提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率,提出了一种可应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的AZO/图案化Ag薄膜/AZO结构的前电极,中间层的Ag薄膜与电池顶层的金属栅线具有完全相同的图案和尺寸,并且位于金属栅线的正下方,这种新型结构可以提高电池前电极的电学性能,但对电池来说不会带来额外的光学损失。对比了新型前电极结构与几种传统前电极的电学和光学性能,并且制备了相应的电池进行了性能对比。实验结果表明,新型的前电极结构可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的短路电流,相对传统AZO电极,电池效率从13. 83%提高到14. 53%。本结构可以明显提高电池效率。     

有机半导体光伏打电池--共轭聚合物及其与C60的复合体系

近年来，有机半导体太阳能电池引起科学工作者的极大兴趣，共轭聚合物/60复合体系在光伏打电池中的应用更是成为其中一个新的研究热点，文中介绍了有机半导体太阳能电池研究的背景，进展情况及存在的问题，并式材料合成，器件研究，机理探讨，薄膜制备等几个方面总结了文章作者在这一领域的研究工作进展。     

非晶/微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟

在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上，利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸 收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量，计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特 性及光谱响应；结果为随着本征层微晶成分的增多，电池的开路电压逐渐减小，短路电流逐 渐增大，本征层的最佳厚度逐渐增大，填充因子有降低的趋势，电池的效率随晶相比的增大 而减小. 电池的光谱响应曲线表明，随晶相比的增大电池的长波响应明显提高. 根据这些模 拟结果，分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下，非晶/微晶叠层电池的底电池采用 晶相比为40％—50％的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择. 关键词： 两相硅薄膜 太阳能电池 计算机模拟     

硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响

以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料，以硒粉为原料，尝试了几种特殊的硒化方案，包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案，研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响，比较了不同方法制备的CuInSe₂(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同. 系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe₂薄膜成分的影响，研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律，为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.     

光栅结构减反膜在钙钛矿太阳能电池上的应用

钙钛矿太阳能电池作为新型的光伏器件目前获得了广泛的关注,其光电转换效率不断提高.钙钛矿电池的光电转换性能除了和钙钛矿薄膜的光电性能有密切关系之外,还受到器件的结构、界面、光学设计等方面的影响.研究了钙钛矿电池的表面光学特性,在电池表面引入一层减反薄膜,从而降低光线在表面的反射损失,以期提高电池的转换效率.通过研究薄膜微...     

非晶硅/微晶硅叠层太阳电池中间层的研究

叠层结构是提高硅基薄膜太阳电池效率和稳定性的有效方法,其中子电池的电流匹配是提高叠层电池效率的关键,而中间层技术能有效地改善子电池电流的匹配情况。介绍了非晶硅/微晶硅叠层电池的中间反射层和隧道结的结构、特性及材料种类,结合两者的理论基础提出隧穿反射层的概念,分析其工作原理并给出了薄膜材料的选择原则和范围。隧穿反射层在叠层结构中不仅起到常规中间反射层的作用,解决电池内部的陷光问题,还可优化叠层太阳电池的隧道结,解决子电池对光生载流子的有效收集问题。     

不同成分比例CIGS薄膜及太阳电池的快速退火

研究了110~180 ℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明:对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说,150 ℃,2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中,退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大,这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用,从薄膜的电阻率有少量提高,器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证;而对于高Ga电池来说,填充因子FF的改善最大,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高,使得FF有较大的增加.     

具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池

采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO₂透明导电膜，将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中，对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析，并对电池进行了光、暗I-V，光谱响应和C-V测试.结果表明，在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显，但易形成微孔.引入高阻层后，能消除CdS微孔形成的微小漏电通道，有效保护p-n结，改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应，使载流子浓度增加，暗饱和电流密度减小，从而电池性能得到改善，电池转换效率增加了14.4%. 关键词： CdTe电池 过渡层 效率     

电沉积－退火工艺制备铜铟硒太阳能电池薄膜及表征

利用电沉积硒气氛下后续退火的工艺制备出了高结晶质量的铜铟硒薄膜．通过X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、紫外-可见-近红外光谱和阻抗谱技术对退火后的铜铟硒薄膜进行表征,结果表明530 oC硒化退火后的铜铟硒薄膜具有四方的黄铜矿晶体结构,晶粒尺寸达到微米量级,光学带隙为0.98 eV,经过KCN溶液去除表面高导电性的铜硒化合物后铜铟硒薄膜的载流子浓度在10¹⁶ cm^-3量级．利用硒化退火的铜铟硒薄膜作为光吸收层制备了结构为AZO/i-ZnO/CdS/CIS/Mo/glass的太阳能电池,在AM1.5光照条件下对其电流-电压特性测试后发现面积为0.2 cm²的电池可以达到0.96％的能量转换效率,并对限制电池效率的原因做出了初步的分析和讨论.     

CuInS2薄膜太阳能电池

近年来,CuInS2作为太阳能电池光吸收材料,由于其优异的综合特征已经引起人们的广泛关注.文章介绍了CuInS2太阳能电池的发展历史和研究现状,综述了有关CuInS2材料结构与特性,制备方法和反应动力学,元素掺杂和后处理工艺对电池性能的影响以及窗口材料等方面的研究成果,评述了CuInS2太阳能电池的产业化进展及基于电沉积-硫化方法制备CuInS2薄膜太阳能电池的低成本产业化技术,展望了CuInS2太阳能电池的发展前景.     

Solvent-free synthesis of oxides for CuInSe2 thin films fabrication

A low-cost non-vacuum process for fabrication of CuInSe₂ (CIS) films by solvent-free mechanochemical method and spin-coating process is described. First, highly monodisperse Cu, In oxides nanoparticles are synthesized via a facile, solvent-free route, which is the first applied in the CIS solar cells. Second, the oxide particulate precursors are deposited in a thin layer by spin-coating technique. Finally, the dry layers are sintered into CIS thin films with composition control by sequential reduction and selenization. Through X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), it is found that near stoichiometric CIS films with a micron-sized dense grains are obtained in our work. Three types of mixed nitrates are used to fabricate oxides, the influence of the degree of mixing on the CIS films have been investigated.     

Giant photovoltaic effect

A giant photovoltaic effect was revealed in silicon-type photoelectronic converters (solar cells) coated with specific antireflecting films developed by our research group. More specifically, it was found that the ratio of photoconversion efficiency for a solar cell with such an antireflective film on its surface to the efficiency for a solar cell without the film equals a second power of relation of photoelectromotive force of a converter with the film to the photoelectromotive force of a converter without the film. The film comprises an antireflecting coating that is high-efficient in the wavelength range of 450 to 1000 nm and that is synthesized on the basis of novel nanomaterials that provide the quasi-zero average complex refractive index of nanocomposite film.     

Electrically benign behavior of grain boundaries in polycrystalline CuInSe2 films

The classic grain-boundary (GB) model concludes that GBs in polycrystalline semiconductors create deep levels that are extremely harmful to optoelectronic applications. However, our first-principles density-functional theory calculations reveal that, surprisingly, GBs in CuInSe2 (CIS) do not follow the classic GB model: GBs in CIS do not create deep levels due to the large atomic relaxation in GB regions. Thus, unlike the classic GB model, GBs in CIS are electrically benign, which explains the long-standing puzzling fact that polycrystalline CIS solar cells with remarkable efficiency can be achieved without deliberate GB passivation. This benign electrical character of GBs in CIS is confirmed by our scanning Kelvin probe microscopy measurements on Cu(In,Ga)Se2 chalcopyrite films.     

氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响

采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO（BZO）薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明：在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4 mA/cm²,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。     

Evaluation of electrical and optical characteristics of ZnO/CdS/CIS thin film solar cell

In this study, device modeling and simulation are conducted to explain the effects of each layer thickness and temperature on the performance of ZnO/CdS/CIS thin film solar cells. Also, the thicknesses of the CIS and CdS absorber layers are considered in this work theoretically and experimentally. The calculations of solar cell performances are based on the solutions of the well-known three coupling equations: the continuity equation for holes and electrons and the Poisson equation. Our simulated results show that the efficiency increases by reducing the CdS thickness. Increasing the CIS thickness can increase the efficiency but it needs more materials. The efficiency is more than 19% for a CIS layer with a thickness of 2 μm. CIS nanoparticles are prepared via the polyol route and purified through centrifugation and precipitation processes.Then nanoparticles are dispersed to obtain stable inks that could be directly used for thin-film deposition via spin coating.We also obtain x-ray diffraction(XRD) peak intensities and absorption spectra for CIS experimentally. Finally, absorption spectra for the CdS window layer in several deposition times are investigated experimentally.     

蒸汽辅助溶液过程制备钙钛矿材料及钙钛矿太阳能电池

有机无机杂化钙钛矿材料被广泛应用于光电器件领域,特别是其作为太阳能电池的吸光材料,受到学术界和工业界越来越多的关注。钙钛矿太阳能电池的产业化进程正在进行中,而在进一步降低制备成本、提高电池转换效率的同时,研究出一种操作简单且可重复性高的制备钙钛矿薄膜的技术具有十分重要的意义。与其他传统的溶液处理方法不同,蒸汽辅助溶液过程(VASP)处理法避免了薄膜在生长过程中溶解以及溶剂化作用,抑制了晶核的形成,使薄膜快速重组,获得致密的高质量钙钛矿薄膜。目前报道,基于此薄膜制备的平面结构钙钛矿太阳能电池转换效率高达16.8%。本文综述了低温(150℃)VASP法制备的钙钛矿薄膜及光伏器件的相关研究进展,并对该技术的产业化前景做了展望。VASP制备过程简单、薄膜性能优异且可重复性高,为进一步制备大面积、高质量薄膜提供了可能。     

Crystalline Si thin-film solar cells: a review

The present review summarizes the results of research efforts in the field of crystalline silicon thin-film solar cells on foreign substrates. The large number of competing approaches can be broadly classified according to the grain size of the crystalline Si films and the doping of the crystalline absorber. Currently, solar cells based on microcrystalline Si films on glass with an intrinsic or moderately doped absorber film achieve efficiencies around 10%, whereas thin-film cells fabricated from large-grained polycrystalline Si on high-temperature-resistant substrates have efficiencies in the range of 15%. The paper discusses the limitations of various approaches and describes recent developments in the area of thin, monocrystalline Si films that may open the way towards 20% efficient thin-film Si solar cells. Received: 1 March 1999 / Accepted: 28 March 1999 / Published online: 24 June 1999