共查询到17条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
本文使用线性电位扫描法还原预恒电位法氧化形成的阳极膜,研究电位对Pb-7Sb,Pb-7Sb-0.3Ag和Pb-5Sb-0.2As三种合金在30℃,4.5MH2SO4溶液中的阳极膜的生长速度的影响,在铅锑合金中添加银可降低合金阳极膜的生长速度,但在高电位1.4V(vs.Hg2SO4电极时,Pb-7Sb-0.3Ag合金上的PbO2膜的生长速度在上述三合金中居首,这可能是由于在银上的氧析出超电势较低的缘故,本文讨论了这种阳极膜的生长机理。 相似文献
2.
The effects of sq. wave potential on the growth rate of the anodic films on Pb-7 Sb and Pb-5 Sb-0.2 As in 4.5 mol/dm3 H2SO4 at 30?were studied by a cathodic linear potential sweep method. By applying the sq. wave potential with period of 3600 s, the potentials of the lead alloys were cycled between that corresponding to the charged conditions of a Pb-acid battery (3 different charge potentials were studied: 1.4, 1.3 and 1.2 V vs. Hg/Hg2SO4, resp.) and that to the discharged condition (1.0 V). The anodic films contain grains with many voids among them as observed with SEM. The surface layer of the grain is PbO2, however, the major constituent of the grain is probably PbO.PbSO4. The relation between the quantity of electricity used to form PbO.PbSO4 and the no. of charges is linear for a certain no. of charge-discharge cycles. The conductance of the film is mainly due to the high conductivity of the PbO2 boundary layers of the grains, especially when the grains are in close contact with one another under pressure. 相似文献
3.
本文用线性电位扫描法(20 mV·s~(-1)),自1.2 V(vs.Hg/Hg_2SO_4)扫描至-1.2V,研究了三种铅锑合金在4.5 MH_2SO_4溶液中(30℃),经一定时间(60,600,1200,和2400s)1.2 V 阳极极化形成的阳极膜.该阳极膜的主要成分可能是 PbO·PbSO_4,其表面为 PbO_2.本文推导出与实验一致的此种阳极膜的生长动力学方程式,并利用该式测得氧原子在阳极膜中的扩散系数. 相似文献
5.
6.
铅蓄电池中的正极板栅铅锑合金在充电时能形成多种氧化膜.根据我们先前的工作,可以认为其中主要为PbO_2和PbO·PbSO_4膜,后者在20mV·s~(-1)的线性扫描电位曲线中于-0.82V(vs.Hg/Hg_2SO_4,下同)时给出还原电流峰.因铅蓄电池在放电时,其正极的电极电位在1V左右,所以正极板栅上的PbO·PbSO_4膜不会在放电时被还原.如此,电池经一定次数的充放电循环后,PbO·PbSO_会否因其不被还原以致积累而成为阳极膜的主要成份?为了弄清这一问题,本文模拟铅蓄电池充、放电时正极所处的电极电位范围,采用循环伏安法研 相似文献
7.
本文使用线性电位扫描法还原预恒电位法氧化形成的阳极膜,研究电位对Pb-7Sb,Pb-7Sb-0.3Ag和Pb-5Sb-0.2As三种合金在30℃,4.5MH_2SO_4溶液中的阳极膜的生长速度的影响。在铅锑合金中添加银可降低合金阳极膜的生长速度。但在高电位1.4V(vs.Hg_2SO_4电极)时,Pb-7Sb-0.3Ag合金上的PbO_2膜的生长速度在上述三合金中居首,这可能是由于在银上的氧析出超电势较低的缘故。本文还讨论了这种阳极膜的生长机理。 相似文献
8.
应用交流阻抗方法研究锑在0.005mol.dm^-^3SO~4+0.5mol.dm^-^3Na~2So~4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^3SO~4)生长3h的阳极Sb~2O~3膜的半导体性质.从Mott-schottky曲线可知.此膜 为n型半导体.平带电位为-0.34v(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^-^3SO~4).施主密度为4.0×19^1^9cm^-^3.讨论了锑增加铅锑合金极PbⅡ氧化物膜施主密度的原因. 相似文献
9.
硫酸溶液中Ce^3+离子在PbO2电极上阳极氧化过程动力学 总被引:4,自引:0,他引:4
用“分解极化曲线”法研究PbO2电极上Ce^4+阳极形成的动力学。测得电位在1.7 ̄1.9V(vs.SCE)区域和高于1.9V区域的O2和Ce^4+的极化曲线的Tafel斜率和两者的动力学方程。推测了PbO2电极上Ce^4+形成和O2析出的机理及两区域内反应机理的差别。所推得的动力学方程均与实验相符。 相似文献
10.
11.
12.
铅及铅锑合金阳极膜中硫酸铅的氧化过程 总被引:2,自引:0,他引:2
应用电位阶跃和交流阻抗法分别研究铅和Pb-5wt% Sb合金在4.5mol·dm^-^3H~2SO~4(30℃)中于1.3V(vs. Hg/Hg~2SO~4, 下同)生长20min后的阳极膜在0.9V还原5min后再在1.4V将膜中硫酸铅氧化的过程。实验结果表明在0.9V还原二氧化铅而得到的硫酸铅能在1.4V于1min内氧化为二氧化铅。这是由于此种硫酸铅处于硫酸铅颗粒表层的缘故。至于颗粒内部由铅直接生成的硫酸铅的氧化为二氧化铅就要缓慢得多。合金中的锑能使二氧化铅晶核形成和生长速率显著降低。 相似文献
13.
14.
溶出伏安法中玻碳镀汞电极表面的汞膜状态 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对不同条件下形成的汞D$的形成过程丶汞膜形态与其形成条件的关系以及对溶出峰的影响.结果表明: 玻碳表面的汞膜是由视直径小于10μm, 的微汞滴构成, 其分布密度随镀汞电位的负值增加而增加;微汞滴在电析过程中不断长大并相聚成更大一些的微汞滴, 在旋转玻碳电极上, 汞膜的最大平均厚度大会超过5μm, 而适用于溶溶出分析的范围为0.05~1μm, 比文献记载的范围(0.001~10-5M时虽经长时间镀汞用的Hg2+ 浓度的适用范围为1X10-5 ~2x10-4 m; Hg 2+浓度为2X10-ⅴM 时虽经长时间镀汞亦不易产生较大的微汞滴. 实验还表明峰高的重现性与电极表面载汞量有关. 还观察到较大的微汞滴在电极表面滑动以致被甩离电极表面的现象, 严重时会引起峰的下降. 相似文献
15.
测取了硫酸浓度为0.5~5.1mol.dm^-^3、扫描速度为1~70mV/s的铅的循环伏安曲线.得到两个PbO~2形成峰I和II,相应地假设为PbO和PbSO~4的氧化.在较低的扫描速度下以及稀硫酸溶液中,峰值电位ψpI与扫描速度S几乎无关,峰值电流ipI近似地与(S)^1/2呈直线关系,并与PbSO~4在硫酸溶液中的溶解度相应,所以过程可能受Pb^2+离子在表面膜孔隙内的扩散所控制.在较高的扫描速度下,δψpi/δlogS=50mV,属于不可逆过程,对于峰II PbSO~4的氧化过程也进行了初步讨论. 相似文献
16.
用热天平法在不同的恒温温度,时间和降温速度条件下测定了助熔剂体系K~2SO~4-MoC~3和晶体生长体系Nd~2O~3-Al~2O~3-H~3BO~3-K~2SO~4-MoO~3的溶剂挥发情况,提出了挥发一级动力学模型,并用方程的近似解对挥发过程进行了解析,取得了与实验一致的结果.在恒温条件下,相对挥发量与挥发时间成正比,挥发速率常数与温度关系遵从Arrhenius方法,求得的溶剂体系的挥发活化能为18.7kJ.mol^-1.在匀速降温条件下,整个挥发过程的规律取决于挥发温度函数f(x)0f(x)可以从恒温热重分析或变温热重分析实验中求得. 相似文献
17.
本文报道氧化丁酰(2)、,过氧化己酰(3)和过氧化辛酰(4)在苯中于30~70℃的分解动力学以及4在苯中于50℃分解产物的鉴定.2~4与过氧化月桂酰(1)一样,起始浓度较低时分解动力学为一级,当过氧化物浓度高于发生诱导分解所需的最低浓度[Po]cr时为一级加二分之三级,测定了2~4的[Po]cr值,该值随分解温度升高而下降,估算了诱导分解的速率和活化焓,速率常数为10^4~10^5mol^-^1.h^-^1,活化焓为40.9~47.7kJ.mol^-1,后者约为相应的酰基过氧化自发分解的活化焓的三分之一. 相似文献