铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜II.电位对阳极膜生长的影响

本文使用线性电位扫描法还原预恒电位法氧化形成的阳极膜,研究电位对Pb-7Sb,Pb-7Sb-0.3Ag和Pb-5Sb-0.2As三种合金在30℃,4.5MH2SO4溶液中的阳极膜的生长速度的影响,在铅锑合金中添加银可降低合金阳极膜的生长速度,但在高电位1.4V(vs.Hg2SO4电极时,Pb-7Sb-0.3Ag合金上的PbO2膜的生长速度在上述三合金中居首,这可能是由于在银上的氧析出超电势较低的缘故,本文讨论了这种阳极膜的生长机理。     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜IV.方波电位对阳极膜生长的影响

The effects of sq. wave potential on the growth rate of the anodic films on Pb-7 Sb and Pb-5 Sb-0.2 As in 4.5 mol/dm3 H2SO4 at 30?were studied by a cathodic linear potential sweep method. By applying the sq. wave potential with period of 3600 s, the potentials of the lead alloys were cycled between that corresponding to the charged conditions of a Pb-acid battery (3 different charge potentials were studied: 1.4, 1.3 and 1.2 V vs. Hg/Hg2SO4, resp.) and that to the discharged condition (1.0 V). The anodic films contain grains with many voids among them as observed with SEM. The surface layer of the grain is PbO2, however, the major constituent of the grain is probably PbO.PbSO4. The relation between the quantity of electricity used to form PbO.PbSO4 and the no. of charges is linear for a certain no. of charge-discharge cycles. The conductance of the film is mainly due to the high conductivity of the PbO2 boundary layers of the grains, especially when the grains are in close contact with one another under pressure.     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜——Ⅰ.早期阳极膜生长动力学

本文用线性电位扫描法(20 mV·s~(-1)),自1.2 V(vs.Hg/Hg_2SO_4)扫描至-1.2V,研究了三种铅锑合金在4.5 MH_2SO_4溶液中(30℃),经一定时间(60,600,1200,和2400s)1.2 V 阳极极化形成的阳极膜.该阳极膜的主要成分可能是 PbO·PbSO_4,其表面为 PbO_2.本文推导出与实验一致的此种阳极膜的生长动力学方程式,并利用该式测得氧原子在阳极膜中的扩散系数.     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜 Ⅳ.方波电位对阳极膜生长的影响

前文以快速三角波电位法模拟铅蓄电池充放电循环.此法的优点是测试方法简单,缺点是电位变化范围和速度与实际电池充放时的差别较大.本文以周期为3600s的方波电位代替前文周期为120s的三角波电位.方波电位的高电位(相应于铅蓄电池正极板栅于充电时的     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜 Ⅲ.循环电位对阳极膜生长的影响

铅蓄电池中的正极板栅铅锑合金在充电时能形成多种氧化膜.根据我们先前的工作,可以认为其中主要为PbO_2和PbO·PbSO_4膜,后者在20mV·s~(-1)的线性扫描电位曲线中于-0.82V(vs.Hg/Hg_2SO_4,下同)时给出还原电流峰.因铅蓄电池在放电时,其正极的电极电位在1V左右,所以正极板栅上的PbO·PbSO_4膜不会在放电时被还原.如此,电池经一定次数的充放电循环后,PbO·PbSO_会否因其不被还原以致积累而成为阳极膜的主要成份?为了弄清这一问题,本文模拟铅蓄电池充、放电时正极所处的电极电位范围,采用循环伏安法研     

铅锑合金在硫酸溶液中的阳极膜-——Ⅱ.电位对阳极膜生长的影响

本文使用线性电位扫描法还原预恒电位法氧化形成的阳极膜,研究电位对Pb-7Sb,Pb-7Sb-0.3Ag和Pb-5Sb-0.2As三种合金在30℃,4.5MH_2SO_4溶液中的阳极膜的生长速度的影响。在铅锑合金中添加银可降低合金阳极膜的生长速度。但在高电位1.4V(vs.Hg_2SO_4电极)时,Pb-7Sb-0.3Ag合金上的PbO_2膜的生长速度在上述三合金中居首,这可能是由于在银上的氧析出超电势较低的缘故。本文还讨论了这种阳极膜的生长机理。     

锑对在硫酸溶液中形成的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的半导体性质的影响Ⅲ. 交流阻抗法研究阳极Sb~2O~3膜

应用交流阻抗方法研究锑在0.005mol.dm^-^3SO~4+0.5mol.dm^-^3Na~2So~4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^3SO~4)生长3h的阳极Sb~2O~3膜的半导体性质.从Mott-schottky曲线可知.此膜 为n型半导体.平带电位为-0.34v(vs.Hg/Hg~2SO~4/0.005mol.dm^-^3SO~4).施主密度为4.0×19^1^9cm^-^3.讨论了锑增加铅锑合金极PbⅡ氧化物膜施主密度的原因.     

硫酸溶液中Ce^3＋离子在PbO2电极上阳极氧化过程动力学

用“分解极化曲线”法研究ＰｂＯ２电极上Ｃｅ＾４＋阳极形成的动力学。测得电位在１．７￣１．９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）区域和高于１．９Ｖ区域的Ｏ２和Ｃｅ＾４＋的极化曲线的Ｔａｆｅｌ斜率和两者的动力学方程。推测了ＰｂＯ２电极上Ｃｅ＾４＋形成和Ｏ２析出的机理及两区域内反应机理的差别。所推得的动力学方程均与实验相符。     

高氯酸与硫酸溶液中铂电极上氧阳极析出动力学与机理

本文研究了不同浓度的HClO₄和H₂SO₄溶液中铂电极上氧阳极析出过程的动力学。稳态极化曲线上有三个区域:电位突跃前的低极化区,突跃区和突跃后的高极化区。前两个区域内对于α_w的反应级数均为1,在后一区域内对于α_w·α_ClO4^-或αw·α_HSO4^-的反应级数接近于1/2。文中对在各区域内的反应机理和产生电位突跃的原因进行了探讨。     

铅上阳极硫酸铅膜的还原过程

采用线性电位扫描法、电位阶跃法, 结合交流阻抗跟踪对铅在4.5mol.dm^-^3H2SO4中-0.6V(vs. Hg/Hg2SO4/4.5mol.dm^-^3H2SO4)极化20min形成的阳极硫酸铅膜的阴极还原进行研究。实验结果表明该膜大部分能被还原, 其中的硫酸铅颗粒先在表面按扩散控制下的三维瞬时成核与生长机理被还原, 然后Pb^2^+自颗粒内径向扩散至已生成的铅层表面上进行还原。颗粒中微粒间的液膜为离子输运的主要途径。     

铅及铅锑合金阳极膜中硫酸铅的氧化过程

应用电位阶跃和交流阻抗法分别研究铅和Pb-5wt% Sb合金在4.5mol·dm^-^3H~2SO~4(30℃)中于1.3V(vs. Hg/Hg~2SO~4, 下同)生长20min后的阳极膜在0.9V还原5min后再在1.4V将膜中硫酸铅氧化的过程。实验结果表明在0.9V还原二氧化铅而得到的硫酸铅能在1.4V于1min内氧化为二氧化铅。这是由于此种硫酸铅处于硫酸铅颗粒表层的缘故。至于颗粒内部由铅直接生成的硫酸铅的氧化为二氧化铅就要缓慢得多。合金中的锑能使二氧化铅晶核形成和生长速率显著降低。     

阳极二氧化铅膜的阴极还原为硫酸铅的机理

应用旋转环盘电极, 和静止电极线性电位扫描法(LSV)研究铅上阳极PbO~2膜的阴极还原为PbSO~4的机理。实验结果表明相应于Pb盘上阳极膜中PbO~2还原时所产生的Pb-7w/oSb环电流是原先PbO~2膜生长时析出的氧扩散入膜中以及膜内的PbO~2微粒中的品种逸出而被还原所致。无可溶性中间体可被检出。扫速对静止Pb上阳极膜中PbO~2的LSV法还原的影响符合薄膜反应的规律。本文提出了上述反应机理。     

溶出伏安法中玻碳镀汞电极表面的汞膜状态

本文对不同条件下形成的汞D$的形成过程丶汞膜形态与其形成条件的关系以及对溶出峰的影响.结果表明: 玻碳表面的汞膜是由视直径小于10μm, 的微汞滴构成, 其分布密度随镀汞电位的负值增加而增加;微汞滴在电析过程中不断长大并相聚成更大一些的微汞滴, 在旋转玻碳电极上, 汞膜的最大平均厚度大会超过5μm, 而适用于溶溶出分析的范围为0.05~1μm, 比文献记载的范围(0.001~10-5M时虽经长时间镀汞用的Hg2+ 浓度的适用范围为1X10-5 ~2x10-4 m; Hg 2+浓度为2X10-ⅴM 时虽经长时间镀汞亦不易产生较大的微汞滴. 实验还表明峰高的重现性与电极表面载汞量有关. 还观察到较大的微汞滴在电极表面滑动以致被甩离电极表面的现象, 严重时会引起峰的下降.     

循环伏安法研究金属铅在硫酸溶液中形成PbO~2的过程

测取了硫酸浓度为0.5～5.1mol.dm^-^3、扫描速度为1～70mV/s的铅的循环伏安曲线.得到两个PbO~2形成峰I和II,相应地假设为PbO和PbSO~4的氧化.在较低的扫描速度下以及稀硫酸溶液中,峰值电位ψpI与扫描速度S几乎无关,峰值电流ipI近似地与(S)^1/2呈直线关系,并与PbSO~4在硫酸溶液中的溶解度相应,所以过程可能受Pb^2+离子在表面膜孔隙内的扩散所控制.在较高的扫描速度下,δψpi/δlogS=50mV,属于不可逆过程,对于峰II PbSO~4的氧化过程也进行了初步讨论.     

生长硼酸铝钕晶体的高温溶液体系的挥发动力学

用热天平法在不同的恒温温度,时间和降温速度条件下测定了助熔剂体系K~2SO~4-MoC~3和晶体生长体系Nd~2O~3-Al~2O~3-H~3BO~3-K~2SO~4-MoO~3的溶剂挥发情况,提出了挥发一级动力学模型,并用方程的近似解对挥发过程进行了解析,取得了与实验一致的结果.在恒温条件下,相对挥发量与挥发时间成正比,挥发速率常数与温度关系遵从Arrhenius方法,求得的溶剂体系的挥发活化能为18.7kJ.mol^-1.在匀速降温条件下,整个挥发过程的规律取决于挥发温度函数f(x)0f(x)可以从恒温热重分析或变温热重分析实验中求得.     

脂族酰基过氧化物分解动力学的研究VII. 过氧化丁酰、己酰和辛酰在苯中的分解动力学及机理

本文报道氧化丁酰(2)、,过氧化己酰(3)和过氧化辛酰(4)在苯中于30～70℃的分解动力学以及4在苯中于50℃分解产物的鉴定.2～4与过氧化月桂酰(1)一样,起始浓度较低时分解动力学为一级,当过氧化物浓度高于发生诱导分解所需的最低浓度[Po]cr时为一级加二分之三级,测定了2～4的[Po]cr值,该值随分解温度升高而下降,估算了诱导分解的速率和活化焓,速率常数为10^4～10^5mol^-^1.h^-^1,活化焓为40.9～47.7kJ.mol^-1,后者约为相应的酰基过氧化自发分解的活化焓的三分之一.