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报道了600MeV 18O轰击natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势. 相似文献
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利用102MeV16O6+束轰击同位素靶117Sn,通过熔合蒸发4n反应产生核素129Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区.通过化学分离来制备待测的Ce样品,与此同时用16O束轰击117Sn的两种相邻的同位素靶118Sn和116Sn,并比较上述3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素.结果一种半衰期为4.1min的活性被鉴定为129Ce.基于X–γ–t和γ–γ–t符合测量,建议了包括51条射线在内的129Ce的(EC/β+)衰变纲图.其中,129Ce基态直接馈送到129La基态的份额(26±7)%是用观测到的129La衰变的278.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的.另外还给出了用La-Kα-X射线和68.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱. 相似文献
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MPGeγ探测器的γ能量信号与4πΔEβ探测器的β射线能损信号符合后再与BGO探测的β+衰变的正电子湮灭511keV γ信号作反符合组成一种新的探测系统. 该系统可使γ谱测量的康普顿本底下降约一个数量级. 对缺中子同位素衰变γ射线的探测作强抑制的同时,丰中子同位素衰变γ射线的探测仍能保持相对单谱为(46±3)%的高效率. 使用该系统对已被合成的丰中子核素208Hg的半寿命进行了一次新的测定. 所得新的208Hg半寿命测定值41.5+min,与以往用放射化学母牛法给出的结果一致,测量误差有较大改进. 相似文献
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利用16O重离子束轰击142Nd和147Sm同位素靶分别生成153Er和157Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图.从中指认出153Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出157Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间. 相似文献
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利用活化方法测量了14MeV中子引起的Pb(n,x)203Hg,W(n,x)182Ta和W(n,x)183Ta的反应截面.中子注量由监督反应93Nb(n,2n)92mNb给出,中子能量利用90Zr(n,2n)89m+gZr和93Nb(n,2n)92mNb反应的截面比来确定. 相似文献
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