Z→3γ和γγ→γγ极化张量的一般形式

在标准模型下,讨论了Z→3γ衰变和γ→γ散射过程的单圈极化张量的一般形式.利用S₃对称性和规范不变性对这种极化张量进行限制,从而得到一组约束方程.本文介绍了这种方法的主要步骤,并且将W玻色子圈的结果与费米子圈的结果作了比较.     

任意磁化方向铁氧体电磁散射时域有限差分分析的Z变换方法

利用坐标系转换矩阵给出实验室系中饱和磁化铁氧体的频域磁化率张量, 采用部分分式展开方法通过Z变换得到磁化率张量的Z域形式, 给出了任意磁化方向铁氧体电磁散射的Z变换-时域有限差分算法. 计算了饱和磁化铁氧体球的同极化和交叉极化后向雷达散射截面, 结果表明了算法的正确有效性. 关键词： Z变换 饱和磁化铁氧体 电磁散射 时域有限差分方法     

荷电标量分子对光子与光子散射振幅贡献的精确解析表达式

计算了荷电标量介子的圈图对光子与光子散射的四阶极化张量和圆极化散射振幅的贡献,得到了它们依赖于三个超越函数B(u),T(u)和I(u,v)的精确解析表达式.     

磁化冷等离子体球的太赫兹散射特性

基于位函数的引入与介质参量无关,将各向异性目标内外的电场展为级数形式,得到了任意各向异性目标n阶散射场、目标内场的递推表达式,给出了介电常量张量的变换关系,在平面波任意入射的条件下,并给出了传播单位矢量与极化单位矢量的一般关系.以磁化冷等离子体为例,给出了一阶散射场的具体表达式,并对二阶散射场引起的误差进行了评估.在THz波段和光波段,对所得结果进行了部分仿真.结果表明:微分散射对电波频率和极化状态等因素的影响较为敏感,介电常量张量的非对角元素对散射的影响不大,当波长与目标尺寸一定时,仿真结果不仅适用于THz波段,对其它波段也成立.     

双向隐形传态方案及安全性分析

基于位函数的引入与介质参量无关,将各向异性目标内外的电场展为级数形式,得到了任意各向异性目标n阶散射场、目标内场的递推表达式,给出了介电常量张量的变换关系,在平面波任意入射的条件下,并给出了传播单位矢量与极化单位矢量的一般关系.以磁化冷等离子体为例,给出了一阶散射场的具体表达式,并对二阶散射场引起的误差进行了评估.在THz波段和光波段,对所得结果进行了部分仿真.结果表明:微分散射对电波频率和极化状态等因素的影响较为敏感,介电常量张量的非对角元素对散射的影响不大,当波长与目标尺寸一定时,仿真结果不仅适用于THz波段,对其它波段也成立.     

光纤马赫-曾德尔干涉法测量极化聚合物的电光系数

报道了用光纤马赫曾德尔干涉法测量极化聚合物电光系数的方法和原理。该方法不仅可以测量聚合物薄膜的电光系数而且可以测量聚合物波导的电光系数,并且该方法可以同时测量聚合物的电光系数张量元r13和r33。该方法最突出的优点是不必在聚合物薄膜的表面制备第二个电极,因此尤其适合于在电光聚合物试制阶段测试聚合物的电光系数。干涉仪的输出被反馈到参考臂中控制相位偏置点的压电陶瓷,从而实现对干涉仪相位偏置点的闭环控制,因此降低了对环境稳定性的要求并且提高了测量精度。实际测试了极化聚合物薄膜PMMA-DR1的电光系数张量,其测量值r13=8.3 pm/V,r33=25.7 pm/V。     

荷电标量分子对光子与光子散射振幅贡献的精确解析表达式

计算了荷电标量介子的圈图对光子与光子散射的四阶极化张量和圆极化散射振幅的贡献，得到了它们依赖于三个超越函数Ｂ（ｕ），Ｔ（ｕ）和Ｉ（ｕ，ｖ）的精确解析表达式．     

近化学计量比钽酸锂畴反转特性研究

采用助熔剂提拉法生长了非掺杂及掺镁近化学剂量比钽酸锂晶体.氢氟酸腐蚀晶片的金相显微镜观察结果显示,化学剂量比钽酸锂的畴结构为六边形.利用自行研制的极化设备对晶体进行极化实验,采用外加短脉冲极化电场,测定了近化学计量比钽酸锂单晶的畴反转特性,得到了完全反转的畴结构. 关键词： 近化学剂量比钽酸锂 畴结构 矫顽场 极化电流     

核子中夸克的极化

根据强子张量和向前的虚光子康普顿散射振幅之间的关系,用虚光子总吸收截面表达了核子的自旋结构函数和它的第一矩. 在夸克模型中计算了小动量转移区的虚光子的总吸收截面,进而得到了第一矩的理论结果,导出了质子中夸克的极化. 合理地解释了EMC和SLAC的实验结果.     

关于三光子Raman效应问题的讨论

李荫远已对三光子Raman效应作了理论分析。本文即在文献[1]的基础上作进一步的讨论,特别是进一步考虑了实现三光子Raman效应的实验条件。 在文献[1]中曾得出三光子Raman效应的三阶极化张量为(见文献[1]的附录A) (1)其中     

关于透明电介质晶体的非线性折射率

近年来,光学由线性现象扩展至非线性现象,高功率激光的发展,使很多非线性光学效应容易出现,激起人们对研究非线性光学和材料的非线性光学性质的广泛兴趣。目前关于非线性光学的理论日趋完善,但我们不能满足于一般地描述材料的诸非线性张量,应该深入地了解其机制以及诸非线性系数和材料的原子、分子结构以及其他物理化学性质的关联,这是为广泛地寻找许多新的光学材料的物理判据。 透明电介质晶体的宏观极化矢量P可以表示为 P=X(1)E+X(2) E2 + X(3)E3十…,(1)其中 X为各次极化张量,E 为电场强度。不存在对称中心的晶体皆具有二次(三阶)极…     

Compton散射下等离子体球太赫兹散射特性

为了研究Compton散射对等离子体球太赫兹(THz)散射特性的影响,将多光子非线性Compton散射模型引入到该研究中,提出了将Compton散射作为影响等离子体球太赫兹散射的重要因素,给出了各向异性等离子体球散射场修正方程及介电常数张量、观测方位、极化状态等因素对THz波散射的影响,并进行了仿真实验。结果表明:微分散射截面随THz波频率变化近乎呈准谐振规律变化,较散射前增大了0.001;微分散射截面随观测方位和极化状态的变化较散射前增大了0.002。     

掺镧锆锡钛酸铅陶瓷极化强度变化量对电子发射电流强度的影响

铁电阴极因其优异的电子发射性能在高功率微波管的电子束源、平板显示技术以及宇航推进器等领域 有着广阔应用前景而日益受到人们的重视.大量研究表明,铁电阴极电子发射性能受阴极材料性能的影响. 在激励电场作用下,铁电阴极材料会产生表面非屏蔽电荷而引起极化强度的变化, 这表明铁电阴极电子发射性能可能与阴极材料的极化强度变化量存在着某种关系. 为研究阴极材料极化强度变化量对铁电阴极电子发射性能的影响,以掺镧锆锡钛酸铅铁电和反铁电陶瓷样品 作为阴极材料,通过正半周电滞回线测试得到阴极材料在不同电场强度下的极化强度变化量, 测量得到电子发射电流强度随激励电场的变化曲线,并分析了电子发射电流强度与极化强度变化量的关系. 结果表明,两种样品电子发射电流强度与极化强度变化量正相关.     

对称陀螺分子转动反对称极化率

使用半经典微扰理论和角动量理论,研究了对称陀螺分子转动磁能级的共振反对称极化率,结果表明磁能级反对称极化率不仅存在而且同对称极化率具有相同的数量级.以NH3为例,计算了这些量.     

钯膜分离氢氦过程中浓差极化现象

根据设计,未来聚变堆等离子体排灰气中除了氘氚还含有以惰性气体为主的杂质气体,会在钯膜纯化氢同位素的过程中产生不容忽视的浓差极化现象,降低排灰气的处理效率。针对这一现象,以氢氦混合气为源项,研究了钯膜在分离氢氦过程中浓差极化对渗氢性能的影响,利用极化系数对浓差极化的程度进行评估,并考察了渗氢驱动力、氦气浓度以及原料气流量对极化系数的影响。结果表明:在150,300,450kPa时的H2/He选择性分别为37 460,18 347和7935,可以看出钯膜致密性良好;浓差极化系数随着渗氢驱动力和氦气浓度的升高而增大,对于原料气流量的变化则呈现相反趋势。     

低温隔板极化器研制

利用三维电磁场仿真软件计算工作频率为8.3~8.6GHz的低温极化器初始尺寸,并通过热分析软件提取低温环境下极化器产生的结构变形量,进而采用结构参数补偿的方式,确定低温隔板极化器结构尺寸。测试结果表明,研制的低温极化器在8.3~8.6GHz频段内,实现了线圆极化信号间的极低噪声转换。     

对称陀螺分子转动反对称极化率

使用半经典微扰理论和角动量理论，研究了对称陀螺分子转动磁能级的共振反对称极化率，结果表明磁能级反对称极化率不仅存在而且同对称极化率具有相同的数量级。以NH3为例，计算了这些量。     

静电场作用下电介质的极化性质

本文概述了静电场中电介质的极化机理与性质，对综合反映电介质极化行为的主要宏观量χ、ε与微观量α的关系进行了分析讨论．     

光调制与器件

TN761 2004010500 新型极化聚合物薄膜电光调制器研究=Electro-optie modulator utiliziing polar polymer film[刊,中]/张大明(中科院长春光机所.吉林,长春(130022)),揣晓红…∥发光学报.—2003,24(2).—147-151 用对硝基偶氮苯类为侧链的键合型聚合物,采用高温电晕极化的方法制作电光薄膜,设计并构造极化聚合     

多叶应力区扭转光纤的耦合模理论

从线性极化模的耦合模理论出发,分析了双叶应力区扭转光纤,即扭转保偏光纤,和四叶应力区扭转光纤.推导应力引起的在光纤芯区各向异性的介质张量表达式;利用该表达式得到线性极化模在有转角时的多叶应力区光纤中传输的耦合模方程;从而推得多叶应力区扭转光纤中的超本地模,由超本地模的相位常数来确定该光纤的双折射.在双叶、四叶应力区理想对称的条件下,前者可以得到较高的椭圆双折射,而后者则无任何双折射.同样的结论可推广到8叶或16叶的扭转光纤,都无任何双折射.