等离子蚀刻技术

在半导体工艺中,采用等离子技术(除胶)已经十年了。十年来,在保持环境清洁,提高工艺合理性,和节省原料等方面取得了一定的效果。这就是众所周知的,利用由电子、正负离子、各种能级的激励分子、自由原子团、光子等组成的所谓等离子干式剥离     

微波等离子蚀刻装置

前言成为微细加工技术应用先驱的半导体MOS存储器,现正迎来正式批量生产兆位级器件的时代,为适应这一时代,微细加工技术也要适应各种新加工(例如金属硅化物、Al-Cu-Si、Si基板、多层抗蚀剂以及象多晶硅那样的多层膜等)工艺的要求,干法蚀刻工艺也要不断多样化,一方面,为了提高器件的生产率、圆片的大直径化也要和     

氮化硅薄膜的等离子干法蚀刻

本文简述了干法腐蚀的现状、原理及其反应装置.给出了在圆筒型反应器中氮化硅薄膜的均匀刻蚀以及硅表面的平滑抛光的工艺条件,同时,也给出了在此工艺条件下,单晶硅、氮化硅、热生长二氧化硅、砷化镓以及光致抗蚀剂的腐蚀速率.对硅表面在高频场和等离子体轰击下表面性质的改变作了初步研究.并通过此工艺在制管中的成功应用,可看到它在降低成本,减少公害,以及进行微细加工方面所显示出来的优越性.目前,对实验结果和现象的分析尚处于定性的阶段.     

蚀刻技术

蚀刻技术（日本电气）平川克则金子若彦木下胜行１引言薄膜晶体管液晶显示器（ＴＦＴ－ＬＣＤ）以其图像清晰、超薄型、重量轻、耗电少等优点，将成为下一代显示器件的主流。为了满足ＬＣＤ在大型化、色调好、亮度高、耗电少和价格低等方面更严格的要求，对工艺技术的要求...     

蚀刻技术

本文着重叙述具有代表性的光蚀刻短波长化和超分辨率技术、以及电子束的高速化、X射线高精度化等最新蚀刻技术动向和最新技术课题.     

高精度蚀刻技术

本针对传统湿法蚀刻的固有弊端，提出了避免传统蚀刻方法固有弊端的四种高精度蚀刻。     

碱性蚀刻技术

化学基本原理 碱性蚀刻的基本机理就是碱性氯化铜化学反应（见图1）是二价铜离子氧化金属铜生成亚铜离子。这种平衡同样在酸性氯化铜中的二价铜氧化浸蚀铜金属。所以，在碱性环境条件下，发生亚铜离子和二价铜离子的氨的络合物。更进一步利用通入空气使酸性氯化铜蚀刻液中亚铜离子氧化成二价铜离子。如下反应：     

纳米级蚀刻技术

1.前言 近三年来,动态随机存储器(DRAM)的高密度化和微细化,以三～四倍的速度发展,16M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.5～0.6μm)处于批量生产的初期阶段,256M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.2～0.3μm)也达到开发阶段,已开始试制其样品。这类DRAM的生产要求达到设计尺寸的     

等离子蚀刻微导通孔技术——积层工艺会满足对密度的需求

球栅阵列(BGA)、芯片级组装(CSP)以及其它发展中的结构因素的广泛使用表明,为了安装具有极紧密间距和较小的几何形状的PCBs元件,必须采用新的制造技术。快速脉冲速度和信号带宽同时还要求板的形状能够克服射频干扰(RFI)及电磁干扰(EMI)作用于成品产品性能上的负影响。不断复杂化的半导体要求制造更小、更密、更快的互连板,这在成本和技术上限制     

等离子蚀刻挠性PI基材制作悬空引线及其参数优化

悬空引线的制作是挠性印制线路板制作的难点之一,需要在基材的某些区域蚀刻掉PI（聚酰亚胺）基材来满足设计的要求。目前采用的在基材上开窗口的方法有机械冲切、数控铣、化学试剂蚀刻法和等离子蚀刻法等。其中,等离子蚀刻法加工精度高、操作简便、清洁环保,但由于运行成本相对较高使其生产应用受到了限制。本文通过正交设计试验优化等离子蚀刻PI的参数,以达到充分利用气体、缩短等离子蚀刻时间的目的,从而大大降低等离子蚀刻过程的成本。并最终完成悬空引线的制作。     

芯片强度改进--减薄前划片+等离子包蚀刻

对于目前的多层芯片封装和IC卡, 不仅在组装工艺的提高良品率中要求芯片强度高, 而且在封装之后还要求有更好的使用期限。根据更薄晶圆的要求, 引入了消除晶圆减薄引起损伤的各种应力解除方法, 但在应力解除之后的划片中又引起了机械损伤, 通过这些方法不可能使芯片强度达到最大。因此, 我们开发了一种结合减薄前划片(DBG)的等离子蚀刻的应力解除方法。减薄前已完成划片工序的晶圆可在其底面和划切面同时用氟基蚀刻, 从而消除机械损伤。我们已能够通过比较经历过常规应力解除芯片来确认被改进芯片强度的平均、最小、最大值。可以预期这项技术将被用于提高今后将进一步扩展的IC卡(即信用卡, 身份证)的寿命要求。     

真空蚀刻技术：一项改良的超细线路蚀刻技术

蚀刻过程是PCB生产过程中基本步骤之一，简单的讲就是基底铜被抗蚀层覆盖．没有被抗蚀层保护的铜与蚀刻剂发生反应，从而被咬蚀掉．最终形成设计线路图形和焊盘的过程，当然．蚀刻原理用几句话就可以轻而易举地描述，但实际上蚀刻技术的实现还是颇具有挑战性，特别是在生产徽细线路时，很小的线宽公差要求，不允许蚀刻过程存在任何差错．因此蚀刻结果要恰到好处，不能变宽。也不能过蚀。     

铝蚀刻技术及其装置

有关半导体器件或集成电路的批量生产中的晶体生长、扩散、氧化工艺等加工技术跟电气特性的关系已讨论的比较详细了。而电极形成工艺,除特殊器件外,一般满足于作成欧姆接触就行,而过去未加以详细讨论。最近,对半导体器件或集成电路的高性能、高可靠性的要求变得非常严格起来。在这种性能、可靠性方面,认识到成问题的器件恶化的主要原因,与其说由扩散、氧化工艺引起的,还不如说是由抗蚀剂、电极形成工艺方面引起的。     

应材蚀刻技术大突破

正半导体设备大厂应用材料推出最先进的蚀刻技术—AppliedCenturaAvatar介电层蚀刻系统,这项突破性的系统是解决建立3D存储器架构的严峻挑战;3D存储器架构可提供高密度兆位元储存容量,为未来资料密集型移动装置所必需。应用材料表示,Avatar系统可在复合薄膜堆叠层中进行孔洞性蚀刻及沟槽性蚀刻,深宽比可高达80比1,单一制程能同时蚀刻出各种不同深度的结构,以     

利用蚀刻技术制作光学晶体

日本原子能技术研究机构的研究人员采用呈周期形成柱形的特有蚀刻技术,制成硅光学晶体.首先在硅基板上排列好铁原子聚合物后,以其为核心制作掩模,然后刻蚀基板,制成平顶峰状的圆柱.该方法的特点是柱的大小和柱之间的间隔均保持一致.具体方法是在50μm的四方形基板上,以270nm的间隔形成约4万个直径40nm、高1μm的硅圆柱.并确认其无论是在空中,还是在水中,只反射波长800nm的光.     

等离子腐蚀技术

用腐蚀复印图形是微电子生产的一个组成部分。化学(湿法)腐蚀是最早的刻蚀技术,它有一定的局限性,包括掩模与衬底的附着力差,缺乏各向异性的化学性质,因而不能复印微米或亚微米尺寸的拓朴元件。还有腐蚀液难于渗入狭窄的、高纵横比的拓朴元     

无故障蚀刻

电路板的蚀刻系统是由化学药品与机器设备组成的。如果蚀刻剂适用于产品而且又能保持一定的浓度,那么这种化学药品就能持续产出线路边缘整齐的电路板。如果蚀刻机械也处于良好状态时,则电路板生产就能很平稳地转送到下道工序。 选择蚀刻剂和浓度应是工艺工程师和化学工程师的责任,尽管机器是由操作工日常操作的,但工艺工程师也应负责选择蚀刻机,因为一台蚀刻机也是整个工厂大