共查询到17条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
半导体量子点激光器研究进展 总被引:11,自引:0,他引:11
首先简要地回顾了半导体激光器发展的历史和量子点激光器所特有的优异性能,进而介绍半导体量子点及其三维量子点阵列的制备技术,然后分别讨论了量子点激光器(能带)结构设计思想,实现基态激射时所必须具备的条件和近年来国内外半导体量子点器的研究进展。最后分析讨论了量子点激光器研制中存在的问题和发展趋势。 相似文献
2.
半导体微结构物理效应及其应用讲座 第2讲 量子阱、超晶格物理及其在光电子领域中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了半导体量子阱、超晶格的基本物理,以及它在光电子领域中的应用,包括量子阱、量子线、量子点、激光器、光调制器、自电光效应器件、量子点器件等. 相似文献
3.
4.
5.
6.
本文介绍量子点结构的自组织生长方法及量子点的光学性质。着重介绍量子点结构中的声子和拉曼散射的测量结果。此外,也介绍了自组织生长的量子点的形貌结构特性,电子结构和发光特性,电注入式量子点激光器的制备和性能 相似文献
7.
建立了圆柱状量子点量子导线复合系统中激子满足的方程,用微扰论求出激子能量.以CdS/HgS/CdS/HgS/CdS圆柱状量子点量子导线复合系统为例,研究了系统中电子的概率分布和系统线度对激子能量的影响.结果表明:系统中电子、空穴以及激子的能量均随量子点高度h0的增大而减小,电子-空穴相互作用对基态激子能量的影响要大于激发态;电子沿径向方向的概率分布呈起伏状,在轴线和表面附近的概率趋于零,而在R/2附近概率最大;在量子点附近电子沿轴向方向的概率分布呈振荡特征
关键词:
量子点
量子导线
激子
能量 相似文献
8.
近年来,随着太赫兹科学技术的兴起,Ga N基量子级联激光器成为进一步提高太赫兹源工作温度潜力的研究方向之一。半导体量子点由于其优越的量子限制效应对改善光电器件的特性有重要的作用。本文系统研究了引入Ga N量子点后,Ga N量子点层厚度对双阱结构周期的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN太赫兹量子点级联激光器的有源区结构优化设计的影响,并考虑了各种不同掩埋量子点的阱层厚度的影响。发现该结构中量子点层厚度越小,跃迁发光能级的能量间隔越小,且处于太赫兹光能量范围内;反之量子点层厚度越大,明显超出了太赫兹范围,尤其超过2 nm后压电极化效应使量子点左侧的阱中的三角形势垒抬高,更加不利于发光跃迁的进行。因此量子点级联激光器要产生太赫兹波段的辐射需要量子点层厚度足够小,对该结构来说应小于等于1 nm。此外还发现总体上跃迁发光的能级间隔几乎不受掩埋量子点的阱层厚度的影响。这些研究结果可为引入Ga N量子点的AlxGa1-xN/AlyGa... 相似文献
9.
铅盐量子点的最低量子态的多重简并和胶体量子点与谐振腔耦合难度大,阻碍了近红外胶体量子点激光器的发展.本文利用基于Ag2Se量子点的自组装激光器解决了上述问题.利用最低量子态二重简并的Ag2Se量子点代替铅盐量子点来实现低阈值的近红外光增益.使用有限元法深入分析了咖啡环微腔的模场分布和振荡机制,结果表明光场在横截面内沿之字形路径传播振荡,量子点与腔模式实现了强耦合.分析了腔长与自由光谱范围和激光发射波长的关系,基于此关系以及Ag2Se量子点的增益谱特性设计了单模近红外激光器,分析了该激光器的激光特性.以仿真结果为指导,实验制备了阈值低至158 μJ/cm2,线宽为0.3 nm的单模近红外激光器.通过增加激光器腔长,使发射波长从1300 nm增至1323 nm.此外,由于Ag2Se量子点的毒性几乎可以忽略,所以本文推进了环境友好的近红外激光器向实用型激光器发展. 相似文献
10.
采用激发波长800 nm、脉宽50 fs、重复频率1 kHz的Ti:sapphire放大飞秒激光器作为激发光源,利用开孔Z扫描技术研究了不同粒径的CdTe:Mn量子点的非线性吸收性质。理论计算结果表明,同一生长时间CdTe:Mn量子点的双光子吸收系数是CdTe量子点的1.1倍,其双光子吸收系数随量子点尺寸的减小而增大,这是由于CdTe:Mn量子点非线性吸收属于反饱和吸收,掺杂了Mn元素,减小了表面缺陷浓度,表明掺杂量子点具有很好的双光子吸收现象。 相似文献
11.
铁电体-半导体量子点复合材料 总被引:2,自引:0,他引:2
文章介绍了这一领域的最新研究进展,并重点报道了一类新型铁电体基纳米复合材料-铁电体半 量子点复合材料的制备与光学性质,该材料在新型电致光元件及量子点激器中有着很好的应用前景。 相似文献
12.
13.
14.
15.
16.
利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/AlGaAs量子点结构。通过原子力显微镜观察表明,InAlAs量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大;发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌,光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围,并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要昌受量子点的横向尺寸影响。 相似文献
17.
Atomic hydrogen induced step bunching and fabrication of quantum wire arrays on GaAs(311) A Substrate by molecular eam epitaxy
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Atomic hydrogen assisted molecular beam epitaxy (MBE) is a novel type of epitaxial growth of nanostructures. The GaAs (311)A surface naturally forms one-dimensional step arrays by step bunching along the direction of 〈-233〉 and the space period is around 40nm. The step arrays extend over several μm without displacement. The InGaAs quantum wire arrays are grown on the step arrays as the basis. Our results may prompt further development of more uniform quantum wire and quantum dot arrays. 相似文献