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高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了研究分别限制结构InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延技术制造。在GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波入λ=808nm,阈值电流密度J=300A/cm^2,对于条宽ω=100μm的激光器,连续功率为1-2W。 相似文献
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本文利用光电子能谱(XPS和UPS)技术研究了室温下O2和Rb在InSb(111)表面上共吸附,分析了碱金属Rb在InSb(111)表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明,Rb与InSb表面上的Sb发生化学反应,Rb在InSb表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率,衬底表面上的In和Sb被氧化,分别生成锑和铟的氧化物。在O2吸附的过程中,还观察到两种Rb的氧化物,即过氧化铷(Rb2O2 相似文献
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荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
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研制出30个单元的InGAaSp/InGaP/GaAs分别限制双异质结单量子阱激光器列阵,器件外微分量子效率达78%,发向波长808nm,准连续输出的光功率达27W。 相似文献
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GaInSb/GaSb量子阱结构的低温光致发光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
GaInSb三元合金半导体可用于制作工作于1.55~5.5μm波段范围的光电子器件.在光通讯方面,需要2.55μm波长的激光器和接收器,GaInSb半导体合金无疑是一种可选的材料.此外,这种材料也可用于制作高速电子器件,与GaAs基异质结构相比,Ga... 相似文献
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报导了InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱,量热吸收谱和电致荧光谱的特性,该激光器的连续波波发光功率在室温下可达1W。 相似文献
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本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×1015cm-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。 相似文献
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研究了退火条件和 In 组份对分子束外延生长的 In Ga As 量子点(分别以 Ga As或 Al Ga As 为基体)光学特性的影响。表明:量子点中 In 含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的 Al Ga As 基体可增强材料的热稳定性。以 Al Ga As 为基体的 In Ga As 量子点,高温后退火工艺 ( T= 830℃)可改善低温生长的 Al Ga As 层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。 相似文献
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HUANG Hongbina) b) XING Linglingc) SONG Jiliangd) 《Chinese Journal of Lasers》1997,6(3):213-222
MultipleEfectiveTwo┐photonCorelated┐emisionOpticalBistabilitywithInjectedSquezedVacuumHUANGHongbina),b)XINGLinglingc)SONGJil... 相似文献
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建立了半导体激光器电光取样系统。选择1.3μm,InGaAs增益开关半导体激光器作为取样光源,利用微带GaAs衬底的纵向电光效应作为电光取样器,测量了InGaAs/InP雪崩二极管的脉冲响应特性。分析表明,本系统具有0.35mV/√Hz的电压灵敏度和9ps的时间分辨率。 相似文献
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《Chinese Journal of Lasers》1998,(2)
AmplifiedSpontaneousEmisionofK2YelowBandExcimerandItsGainMeasurementbye┐beam┐pumpingXINGDa1)WANGQi2)TANShici1)(1)Instituteof... 相似文献
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Si{111}的吸附表面结构 总被引:1,自引:1,他引:0
利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Si{111}表面的表面结构。结果显示出:对Al、Ga、Bi和Au原子,形成α-Si{111}3×3R30°-M或β-Si{111}3×3R30°-M结构的共价吸附。对Li、Na和Ag原子,形成正离子吸附,全部经高温解吸后,便诱导出Si{111}1×3重构。对Te原子,形成负离子吸附,经高温解吸后,便诱导出Si{111}类(1×1)结构。 相似文献