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空间材料科学的前沿学科——微重力晶体生长 总被引:1,自引:0,他引:1
一、微重力晶体生长环境人类为了自身的生存,希望有一天能走出地球,从外层空间索取他们赖以生存的部分或全部资源.作为人类走向外层空间的第一步,当然是利用近地空间资源.而微重力资源则是首先受到重视和研究的近地空间资源之一。人们对空间晶体生长的研究,经历了从零重力到微重力的认识阶段.在60年代末到70年代初期,材料科学家们认为天空实验室内的晶体生长过程应是零重力场下的固-液界面反应过程,但一系列空间晶体生长实验表明:由于实验系统运动状态的不稳定,空间晶体生长环境仍然存在重力(g). 相似文献
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将导电的液体置于磁场中,使导电液体中浮力驱动的自然对流减弱甚至消失,在导电液体中制造出了二级微重力效应,将这种情况称为磁场微重力效应.通过研究导电液体自然对流驱动力的无量纲Grashof数的变化,发现微重力效应的水平可以用公式gm=(β0/βm)(ν0 /νm)2g0 计算,如果略去一次项,则可用gm=(ν0 /νm)2g0来估算.测量研究了不同磁场条件下硅熔体的磁黏度,估算不同磁场强度对应的磁场微重力水平后,发现估算结果与实验结果基本符合.
关键词:
磁场
二级微重力效应
Grashof数
微重力水平 相似文献
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微重力条件下材料气相生长研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了近二十多年来国外空间气相生长晶体材料及薄膜材料研究工作的进展状况.着重介绍了国外空间气相生长研究的历史过程、研究的主要内容及所采取的研究手段,详细地总结了关于空间气相生长的主要飞行结果,并对国外如何进行数值模拟和实验室模拟等地面准备工作做了较充分的描述. 相似文献
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INFLUENCE OF INTERFACE KINETICS ON THE RELAXATION BEHAVIOR IN SOLUTION SYSTEM FOR CRYSTAL GROWTH UNDER MICROGRAVITY 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The influence of the interface kinetics at the growth face of a crystal and at the surface of material of solute source on the relaxation behavior in a solution system for crystal growth under microgravity is studied. Because the variation of the solution density caused by the solute concentration change can be omitted and only that caused by the temperature change is taken into account, the interface kinetics does not influence the relaxation behaviors of the fluid velocity and the temperature distribution index Sθ (see text). The relaxations of the concentration distribution index Sφ (see text) and dimensionless average growth rate of crystal \bar{V}cg are calculated under the square pulsed fluctuations of the gravity level or the temperature at the growth face of crystal. Introduction of the interface kinetics makes the value of Sφ enlarged and the perturbation peak of the Sφ-τ curve caused by the gravity level or temperature fluctuation lowered. While the perturbation peak and the valley of the \bar{V}cg-τ curve caused by the negatively and positively pulsed temperature fluctuation, respectively, is lowered and shallowed by the interface kinetics. 相似文献
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晶体生长的缺陷机制 总被引:4,自引:0,他引:4
晶体生长是一个复杂的相变过程。自80年代以来,闵乃本及其研究组系统地研究了晶体生长的缺陷机制。在理论分析和实验观察的基础上,他们发展了晶体生长的位错机制(包括刃位错和混合位错机制),层错机制,孪晶机制、重入角机制以及重入角生长和粗糙界面生长的协同机制。根据这些机制可以得出结论:任何可以在晶体生长表面提供台阶源的缺陷都能为晶体生长作出贡献,这些台阶源包括完全台阶和不完全台阶(亚台阶),近年来,P.Bennema及其合作者系统地研究了在照相工业中广泛应用的卤化银和金属银的晶体生长机理,在大量实验事实和理论分析的基础上,他们认为亚台阶理论(称作闵氏理论)不仅可适用于溶液生长,也适用于气相生长的机理研究;不仅适于作理论分析,而且可用于寻求最佳生产条件的指导,亚台阶理论是晶体生长的一个普适理论,文章介绍了闵乃本及其研究组提出理论及P.Bennema研究组近年来在这方面的工作进展。 相似文献
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