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Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5~31015cm-3、厚度约为20m的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为11015cm-2的质子轰击,在直径为150m的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600()移动到8835(),截止波长可延伸到9700(),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。 相似文献
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<正> 南京电子器件研究所已研制成3mm GaAs肖特基势垒混频二极管,其使用频率可达100GHz以上。混频管使用频率愈高,要求结电容C_j愈小。本器件C_j设计值为0.007pF(考虑边缘效应)。如此小的结电容必须通过减小势垒结直径来获得,而小的结直径将增加非线性电导固有变频损耗,增大串联电阻。 为降低器件的噪声温度比和变频损耗,提高高频优值,需要获得近乎理想的肖特基势垒,使理想因子n趋近于1,同时最大限度地降低串联电阻Rs,使Rs和C_j的乘积减至最小。因此适当提高GaAs外延层浓度,在满足击穿电压和烧毁的前提下,减薄外延层总厚度,提高外延层浓度的分布陡度以减小串联电阻Rs。 相似文献
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无势垒增强型的金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)已有过理论分析,而对具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD则缺乏理论分析,文章将具有安全晶格匹配势垒增强层的MSMPD简化的为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,其结果与实验的相符。 相似文献
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3mm肖特基势垒二极管雪崩噪声源 总被引:1,自引:0,他引:1
曹逸庭 《红外与毫米波学报》1990,9(4)
介绍了3mm波段肖特基势垒二极管雪崩噪声源,其宽带超噪声比为10.5dB,它与反向电流呈线性关系。 相似文献
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双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性 总被引:1,自引:2,他引:1
双面肖特基势垒型 Ga As粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成 ,器件结构为金属 -半导体-金属结构 ,该探测器能经受能量为 1 .5Me V、剂量高达 1 0 0 0 k Gy的电子、50 0 k Gy的 γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试 ,辐照后器件击穿曲线坚挺 ,反向漏电流最低为 0 .48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与 X射线的照射量呈线性关系 .该探测器在 2 4 1Am( Eα=5.48Me V) α粒子辐照下 ,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为 45%和 7% .在由 90 Sr( Eβ=2 .2 7Me V)发出的 β粒子辐照下 ,探测器有最小的电离粒子谱 .该探测器对光照也有明显的响应 相似文献
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双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成,器件结构为金属-半导体-金属结构,该探测器能经受能量为1.5MeV、剂量高达1000kGy的电子、500kGy的γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试,辐照后器件击穿曲线坚挺,反向漏电流最低为0.48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与X射线的照射量呈线性关系.该探测器在241Am(Ea=5.48MeV)a粒子辐照下,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为45%和7%.在由90Sr(Eβ=2.27MeV)发出的β粒子辐照下,探测器有最小的电离粒子谱.该探测器对光照也有明显的响应. 相似文献
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介绍了PtSi/p-Si肖特基势垒红外探测器(简称IR-SBD)的优化结构及探测机理,给出了探测器的光增益模型,并对器件进行了制作及性能测试。器件在77K下,反偏4V时的反向漏电流为5×10(-6)μA,对1.52μm红外光的灵敏度为2.69×10(-2)A/W,量子效率为2.4%。 相似文献
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本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。 相似文献
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介绍了PtSi/p-Si肖特基势垒红外探测器(简称IR-SBD)的优化结构及探测机理,给出了探测器的光增益模型,并对器件进行了制作及性能测试。器件在77K下,反偏4V时的反向漏电流为5×10(-6)μA,对1.52μm红外光的灵敏度为2.69×10(-2)A/W,量子效率为2.4%。 相似文献
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将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。 相似文献