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相似文献
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1.
中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究   总被引:5,自引:2,他引:3  
采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法。通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展。三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6~1.0μm,孔深34~36μm,比容高达2.5×10–6F/cm2。  相似文献   

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3.
本文就日本和西欧五家著名腐蚀形成箔制造公司腐蚀形成箔的比容量、强度、铝纯度、氯离子含量、形成质量、稳定性等性能指标的水平状况及检测方法作了评述,对国内某些状况作了对比。  相似文献   

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5.
应用X射线对晶体织构度进行分析的技术和X射线极图测定方法,从金属材料的角度出发,研究了多种进口铝箔的再结晶织构,并与国产冷轧铝箔的再结晶织构进行系统的对比,研究了产生高立方织构度的铝箔热处理工艺。其次,在研究铝箔的再结晶晶粒生长时,发现国产LG5Y铝箔的异常晶粒长大,为铝箔生产厂改进轧制工艺提供了分析依据。最后,在铝箔腐蚀理论的分析基础上,结合SEM检测手段,经过大量试验对比,找到了两种较佳的高压箔腐蚀工艺。当形成电压为375V时,达到了0.45μF/cm~2的较高比容值。  相似文献   

6.
铝电解电容器用国产电极箔发展概况   总被引:2,自引:0,他引:2  
论述铝电解电容器用国产电极箔的现状和发展趋势。分析我国电极箔生产厂家在生产规模、工艺技术和产品质量等方面同国外同行间的差距。探讨国产电极箔的发展前景。  相似文献   

7.
中高压铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
通过对原有的H2SO4-HCI腐蚀体系的深入研究,提出了新的发孔与扩孔工艺条件。适当地提高发孔液的浓度和温度.能提高初始蚀孔密度及分布度的均匀性;降低扩孔液的浓度,能有效地降低铝箔的表面溶解度,减少串孔现象的发生,从而提高腐蚀的比容及机械强度。脉冲精致扩孔腐蚀理论的提出,为进一步提高阳极箔比容的研究提供了更多的选择。  相似文献   

8.
铝电解电容器用铝箔试验方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文综述了日本,法国和意大利等三国六个公司的铝电解容器用铝箔的试验方法,并特别介绍了日本标准EIAJRC-2364,供我国有关部门,人员参考。  相似文献   

9.
随着科学技术的飞速发展,电子产品正朝着更多功能和更小尺寸的方向演进。作为最为广泛使用的电子器件之一,铝电解电容器亦顺应这一趋势,迈向更小体积和更大容量的发展。为实现这一目标,制备具有高比表面积的电极箔成为关键途径之一。本文全面梳理了多种扩大铝箔比表面积的方法,详细阐述了包括化学腐蚀法、电化学腐蚀法和粉末烧结法在内的多种扩大铝箔比表面积技术,及其影响因素与优缺点。在总结现有技术的基础上,展望了铝电解电容器阳极箔比容量提升的未来发展趋势。  相似文献   

10.
电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。  相似文献   

11.
低压铝箔交流腐蚀工艺研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
考察了电解电容器用高纯铝箔在HCl-H2SO4-H3PO4混合酸体系中的交流腐蚀过程,综合配方和工艺两方面主要因素研究铝箔的交流扩面行为。结合SEM形貌分析,重点考察了前级电流密度、后级电流密度及腐蚀电量等对铝箔比容的影响,确定了最佳的低压铝箔交流腐蚀工艺,在2V化成,Cs达76×10–6F/cm2。  相似文献   

12.
用直流脉冲电源对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了影响腐蚀箔性能的工艺参数条件,探索了隧道孔生长机理.结果表明:在硫酸和盐酸电解质体系中,影响腐蚀箔性能的工艺参数有直流脉冲电流密度、脉冲频率、占空比以及脉冲时间等;控制直流脉冲的电流密度峰值在0.8 A/cm2以上、脉冲电流单次通电延续时间在0.53 ms左右,能使铝箔产生纵横交错的隧道孔.  相似文献   

13.
采用蚀坑法、EBSD微观取向分析法,研究了电解电容器高压阳极用高纯铝箔制备过程中的织构演变。结果表明:热轧高纯铝板织构主要类型是高斯织构、立方织构和铜织构。随着冷轧变形率的增加,冷轧织构中的立方织构含量增加,冷轧变形率为96.3%时,立方织构体积分数为14%。再结晶织构中的立方织构含量随再结晶退火温度的增加而增加,再结晶退火温度为530℃时,立方织构体积分数为86%。  相似文献   

14.
电容器用铝箔隧道孔生长机理研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了近年来国内外对铝箔电化学侵蚀机理的研究成果,指出了必须对铝箔隧道孔生长机制有更透彻的了解,需要控制隧道孔生长模式以便最大限度地拓展铝箔比表面积。结合实际研究结论,介绍了铝箔电化学脉冲侵蚀新模型。  相似文献   

15.
采用国产铝箔,在超声波辅助条件下,对铝箔进行交流腐蚀,研究了超声波辅助腐蚀对腐蚀箔比容和力学性能的影响。结果发现:当腐蚀箔保持率为1.63g/dm2,采用磁力搅拌的腐蚀箔比容只有71.8×10–6F/cm2,而采用超声波辅助腐蚀的腐蚀箔比容为79.4×10–6F/cm2,提高了10.6%,且抗拉强度提高约20%。  相似文献   

16.
预处理对阳极铝箔腐蚀特性的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用正交试验方法,研究了H3PO4溶液、HNO3溶液和A电解液(HCl和H2SO4组成的环保型体系)三种预处理方式分别对后道工序铝箔腐蚀发孔行为的影响。结果表明:用A电解液预处理不但易于生产控制,而且提高了铝箔产品的比容档次和质量一致性,较之H3PO4溶液、HNO3溶液处理,比容提高了2%,其离散率从9%下降到了6%,同时降低了制造成本和环保压力。  相似文献   

17.
将在酸性介质中产生了隧道孔的铝箔置于中性侵蚀液中继续成长。发现中性侵蚀液的组分对铝箔隧道孔形貌的影响规律:当溶液仅含Cl–时,会有新的隧道孔产生,铝箔表面隧道孔分布密度从3.63×107cm–2增加为3.72×107cm–2,隧道孔平均孔径从0.40μm扩展到0.75μm,但隧道孔长度没有明显变化;在含Cl–电解质中添加少量有机添加剂时,铝箔表面没有新的隧道孔产生,由于出现并孔现象,隧道孔分布密度反而从3.63×107cm–2降低至3.43×107cm–2,但隧道孔的孔径从0.40μm扩展到0.80μm,长度从24μm增加到37μm。  相似文献   

18.
基于密度泛函的第一性原理计算,采用新型膦酸盐乙二胺四甲叉膦酸钠作为耐水合试剂对化成后的铝电极箔进行耐水合处理。研究了γ-Al2O3(110)面上水分子的吸附机理以及铝电极箔的耐水合性能。计算结果显示水分子在γ-Al2O3(110)面上的Al原子上方可发生吸附,且四面体位置上的Al原子吸附活性优于八面体位置上的Al原子。红外光谱及原子力显微镜检测表明铝电极箔耐水合性能优良。新方法处理后,升压时间从15.1s缩短到7.8s。  相似文献   

19.
改变交流电密度 (J)、电解液温度 (T)及盐酸浓度 (ci)侵蚀电容器铝箔 ,并以表观电化学参数(J/ ci T)为依据 ,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律 ,研究了铝箔在纯盐酸中受〔Cl- 〕和〔H+ 〕影响的交流侵蚀机制。  相似文献   

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