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采用磁控溅射方法在(100)YSZ基底上沉积了YBa2Cu3O7/SrTiO3/YBa2Cu3O7异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能,利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明,膜层的结晶质量较好,临界转变温度Tc在83.5K和86.7K之间。YBCO膜层中的绝大多数甚至全部)晶粒为c取向,在有些膜中只存在少量的a或b取向的YBCO晶 相似文献
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利用脉冲激光法研究了在(100)SrTiO3(STO)、(100)LaAlO3(LAO)和(100)Y-ZrO2(YSZ)衬底上外延生长LaCuO4(LCO),La1.85Sr0.15CuO4(LSCO),Nd1.85Ce0.15CuO4(NCCO)和Pr2CuO4(PCO)薄膜的工艺技术。利用X光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。X射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底 相似文献
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利用电学测量方法结合二次离子质谱(SIMS)技术对金属Ag和Al与YBa2Cu3O(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析.分析结果显示由于Ag和Al具有不同的化学性质,二者与YBCO界面的互扩散特性有明显不同.这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下YBCO的超导性能.在Ag/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ag和O的界面互扩散,但对YBCO体内O的分布及YBCO的超导性能影响不大,且有利于在界面形成好的电学接触;在Al/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火后,界面则主要发生O向Al膜体内的扩散,并在Al和YBCO界面生成一不导电的氧化层,这些将影响到YBCO体内O的分布和接触窗口下的YBCO的超导性能.在合适的退火条件(约500℃氧气氛中)下退火,Ag与YBCO将形成小的接触电阻,利用剥离工艺制备的样品,其界面接触电阻率ρ(ρc=R×A)高于是10(-6)Ωcm2. 相似文献
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本文研究了不同磁场位形下(YBa2Cu3O7)24/(PrBa2Cu3O7)2多层膜的电阻转变展宽,结果表明电阻转变展宽性质主要由磁场和多层膜c轴的相对位形决定,而与磁场和所加电流的相对取向无关。有效钉扎势和磁场的关系表明,H‖ab时,U0∝H^-α,H‖c时,U0∝lnH。这种三维-二维(3D-2D)转变,可以归因于YBCO/PrBCO和YBCO层厚度处于3D-2D转变厚度范围所致。 相似文献
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利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
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YBa2Cu3O7-δ高温超导膜的Raman标定张鹏翔1,2,H.-U.HABERMEIER2,M.Cardona2(1云南工业大学材料科学与工程系昆明云南650051中国)(2Max-Plaud-InstitutfürFestkorperforsc... 相似文献
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YBa2Cu3O7-δ高温超导织构体中含Sn氧化物的稳定相 总被引:1,自引:0,他引:1
通过在YBa2Cu3O7-δ超导体中加入各种含Sn氧化物,如SnO2和Y2Sn2O7等,生长织构样品,并通过粉末X射线衍射,电子探针等手段分析其相组成,研究织构体中含Sn氧化物的稳定相。发现φ相(Ba2Sn[Sn1/3-xCuxY2/3]O6)可能是其中的一个稳定相,这与参考文献[3]的报道相符。但我们仍不能排除BaSnO3和Ba2SnO4作为稳定相存在的可能性。结果有利于帮助分析含Sn氧化物在织 相似文献
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本文以实验为基础,简要而系统地介绍了氧化物高温超导YBCO体系中超导体YBa2Cu3O7-δ材料的实验室生产过程 相似文献
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本介绍我们对高温超导/铁磁多层膜样品的初步研究结果。利用准分子脉冲激光淀积方法制备了由高温超导YBa2Cu3O7薄膜与铁磁巨磁电阻材料Pr.7Sr.3MnO3薄膜组成的三夹层型和台阶边缘结型多层膜样品。对YBa2Cu3O7/Pr.7Sr.3MnO3多层膜样品输运性质测量表明样品中存在超导转变及铁磁相变。对两种多层膜样品的电阻随温度变化测量曲线进行了讨论。 相似文献
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激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式 总被引:1,自引:0,他引:1
用反射式高能电子衍射(RHEED) 和原子力显微镜(AFM) 研究激光分子束制备的铁电BaTiO3 和高Tc 超导c 取向Y1Ba2Cu3O7 薄膜的生长模式,BTO 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;c 取向YBCO 超导薄膜是SK生长模式 当薄膜厚度小于5 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长.处理SrTiO3 基片表面可以改变c 取向YBCO薄膜的生长模式 相似文献
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同样经过空气中900℃至室温淬火,纯YBa2CU3O7-x(YBCO)不超导,而适量掺WO3的YBCO却可在88K以上显示超导电性,更为奇妙的是,W并没有进入YBCO晶格.为弄清后者超导电性恢复的原因,本文对经过以上条件淬火的纯YBCO及掺3wt%WO3的试样进行了一系列研究,并对比研究了相同条件下烧结但在氧气氛中慢冷却的样品.所有结果均表明,淬火过程中掺杂样品冷却较慢很可能是使之恢复超导电性的主要原因.本工作的重要意义在于从非稳态导热的角度探讨了适当掺杂的淬火YBCO超导电性恢复的原因,并可能对改进相应材料超导薄膜的制备工艺有所启迪. 相似文献
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本文报道的在Zr(Y)O2和LaAIO3两种衬底上制备的YBa2Cu3O7-δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ar(Y)O2上的YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.85eV,而沉积在单晶LaAIO3衬底上YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.12eV处,前者由3.0eV和2.80eV两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。 相似文献
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利用电学测量方法结合二次离子质谱(SIMS)技术对金属Ag与Al与YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析,分析结果显示由于Ag和Al具有不同的化学性质,二与YBCO界面的互扩散特性有明显不同,这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下YBCO超导性能,在Ag/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ag和O的界面互扩散,但对YBC 相似文献
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本文利用脉冲激光沉积的定向性和掩模的阴影效应,原位沉积N-YBCO作为势垒层制备了高TcYBa2Cu3O7Josephson边缘结,在60K,微波辐照观察到明显的Shapiro台阶,在Tc附近,Ic∽(1-T/Tc),n=1.88。 相似文献
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用SEM(扫描电子显微镜)研究YBaCuO超导体及YBaCuO/YSZ 超导薄膜经质子辐照所引起的微结构变化,发现质子辐照可使超导晶粒变细、变密、分布较均匀,并在YSZ 衬底上发生趋向排列.这些都有利于超导电性的改善. 相似文献
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本文通过X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和超导电性测量等手段对YBa2Cu3O7-x(Y-123)和YbBa2Cu3O7-x(Yb-123)相的形成,单相Yb-123超导体的制备,单相Y-123超导体的最低形成温度及R-123相的熔点与R离子半径的关系进行了研究.结果表明Y-123和Yb-123相形成过程显著不同.Y-123主要通过下一化学反应生成而Yb-123相的形成是形成单相Y-123超导体的最低温度为780±5℃.找到了一种简单的制备单相Yb-123超导体的方法. 相似文献
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本文系统地研究了Pr掺杂在Y位对YBa2Cu3O7-δ超导体内耗的影响,随Pr对Y的掺杂量增加,110K内耗峰逐渐减小,而87K附近的内耗峰基本不变,因Pr的掺入主要引起电子结构的变化,110K附近内耗峰应的电子结构有关,而和YBa2Cu3O7-δ的附近的90超导转变无直接的联系。 相似文献
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RBa2Cu3O7—x(R=Y,Yb)形成过程的差异及单相YbBa2Cu3O7—x超导体的… 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和超导电性测量等手段对YBa2Cu3O7-x(Y-123)和YbBa2Cu3O7-x(Yb-123)相的形成,单相Yb-123超导体的制备,单相Y-123超导体的最低形成温度及R-123相的熔点与R离子半径的关系进行了研究。结果表明Y-123和Yb-123相形成过程显著不同,Y-123主要通过下一化学反应生成:Y2O3+4BaCO3+6CuO+1-2 相似文献