首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
Nafion—玻碳修饰电极阴极溶出伏安法测定痕量铋的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
张平元  刘柏峰 《分析化学》1993,21(4):405-409
研究并提出在HNO_3-NaCl-硫脲(Tu)体系中,Nafion/玻碳(Gc)修饰电极阴极溶出伏安法测定痕量鉍的方法。表明Tu具络合协同作用,使Nation阳离子交换能力提高。本法检出限为5×10~(-9)mol/L Bi~(3+)(td:5min),电极表面易于再生,文中研究了电极过程机理,计算得[Bi(Tu)_6]~(3+)在Nafion膜中的分配系数(K_D),扩散系数(D)和选择性系数(K_H~[Bi(Tu)_6~+]~(3+))分别为7.57×10~5,5.9×10~(-11)cm~2/s及3.39。  相似文献   

2.
制备了一种纳米氧化铁修饰玻碳电极,并研究了镉离子在该修饰电极上的溶出伏安行为。结果表明,纳米氧化铁颗粒能有效促进镉离子的溶出伏安响应。在pH 6.0的磷酸缓冲溶液中,镉离子能有效吸附在纳米氧化铁表面并在-1.0 V时被还原。被还原的镉在正向扫描过程中可以重新氧化,并在-0.85 V处出现一明显的溶出伏安氧化峰。该峰电流随镉离子浓度的增大而增大,可用于对镉离子的检测。在最佳检测条件(pH 6.0,富集时间350 s,富集电位-1.0 V)下,镉离子的响应电流与其浓度在6.0×10-10~1.0×10-8mol/L以及1.0×10-8~1.0×10-5 mol/L范围内呈良好线性,检出限(S/N=3)为1.0×10-10 mol/L。干扰实验结果表明,一些常见的阳离子以及阴离子对镉离子的检测无明显干扰。将该方法用于实际样品的检测,回收率良好。  相似文献   

3.
杯芳烃修饰玻碳电极吸附溶出伏安法测定微量铅   总被引:7,自引:0,他引:7  
研究了以杯芳烃衍生物修饰玻碳电极,以其吸附溶出伏安法测定微量铅。对富集时间、铅的浓度、支持电解质、样品溶液pH值及部分离子干扰等进行了实验。实验发现以氢氧化钠溶液处理修饰电极可提高测定灵敏度,经过优化处理后,线性范围和检出限分别为5.0×10-7~1.0×10-5mol/L和1.0×10-8mol/L。应用本法对合成水样进行了测定,结果满意。本文还对吸附溶出机理进行了讨论。  相似文献   

4.
双硫腙修饰玻碳电极阳极溶出伏安法测定痕量镉和铅   总被引:24,自引:0,他引:24  
黄文胜  杨春海  张升辉 《分析化学》2002,30(11):1367-1370
报道了双硫腙修饰玻碳电极同时测定痕量镉和铅的电分析方法。镉和铅离子通过与电极表面的双硫腙发生螯合作用而富集在电极表面 ,同时在 -1 .2 0V(vs.SCE)还原成零价镉和铅 ,当电极电势从 -1 .2 0V向 -0 .3 0V扫描时 ,被还原的镉和铅从电极表面溶出 ,分别于 -0 .78V和 -0 .4 8V左右形成灵敏的阳极溶出峰。优化了支持电解质及pH值、双硫腙用量、富集电位及时间等实验参数。利用该修饰电极测定镉、铅的线性范围分别为 1 .0×1 0 - 8~ 2 .5× 1 0 - 6 mol L和 5 .0× 1 0 - 9~ 2 .5× 1 0 - 6 mol L。检测限分别为 5 .0× 1 0 - 9mol L和7.0× 1 0 - 1 0 mol L。该法用于实际水样中镉和铅的测定 ,平均回收率分别为 99.3 0 %和 99.5 4 %。  相似文献   

5.
痕量铜在8—羟基喹啉碳糊化学修饰电极上催化溶出...   总被引:5,自引:0,他引:5  
  相似文献   

6.
7.
制备了石墨烯修饰玻碳电极,研究了酪氨酸在修饰电极上的电化学行为.优化了包括支持电解质、溶液pH、修饰剂用量、富集电位及时间等测定条件.在0.1 mol·L-1pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液中,峰电流与酪氨酸的浓度在3×10-6~1.2×10-4mol·L-1的范围内呈良好的线性关系,检出限为2 × 10-7 mol·L-...  相似文献   

8.
9.
以铋膜修饰玻碳电极为工作电极,采用阳极溶出伏安法对微量Pb(Ⅱ)进行测定。考察了铋离子浓度、支持电解质pH、沉积时间等因素对测定的影响。实验结果表明,铋膜修饰电极对痕量Pb(Ⅱ)具有良好的电化学响应。在实验选定条件下,Pb(Ⅱ)在10~260!g/L范围内与峰电流呈良好的线性关系,检出限为1.98!g/L。用同一支铋膜电极对50!g/L Pb(Ⅱ)平行测定10次,相对标准偏差(RSD)为2.82%。该电极可应用于井水中铅的测定。  相似文献   

10.
程琼  彭国治 《分析化学》1998,26(11):1315-1319
报道了一种抗真菌治疗新药酮康唑的吸附行为及其测定。该药物在玻碳电极上预富集后,用示差脉冲伏安法测定,其响应电流与药物浓度在2.0×10^-10-1.0×10^--5mol/L范围内呈线性关系;检屈限为4.0×10^-11mol/L。可用于尿和血清样品中药物含量的测定。  相似文献   

11.
脱乙酰壳多糖化学修饰电极测定铂的研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
用脱乙酰壳多糖修饰电极为工作电极,阳极溶出伏安法测定痕量铂。在pH=2 ̄3的KCl-HCl底液中,-0.3V富集2min,静止15s,以0.2V/s扫速阳极溶出,峰电位在-0.16V(vs.SCE),铂(Ⅳ)离子浓度在0.5 ̄5.0μg/mL范围内与峰高呈线性关系。富集10min后,可检测0.025μg/mL铂(Ⅳ)。该法用于贵金属矿样的测定,无需分离,结果满意。用循环伏安法、紫外光谱和拉曼光谱研  相似文献   

12.
13.
氰乙基壳聚糖修饰电极的制作及其应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
刘斌  孙向英  徐金瑞 《应用化学》2003,20(10):963-0
在壳聚糖的羟基上引入氰乙基 ,再通过共价键合的方式将改性后的氰乙基壳聚糖修饰到玻碳电极表面。研究了修饰电极的电化学行为以及阳极溶出伏安法测定Cu2 + 的条件。所制成的修饰电极对Cu2 + 的测定选择性进一步提高 ,常见的共存离子不干扰 ,在 pH =3 4的 0 1mol/LKNO3 溶液中 ,修饰电极对铜响应有很高的灵敏度 ,在Cu2 + 质量浓度为 1 0× 10 -8~ 1 0× 10 -6g/mL范围内 ,阳极溶出峰电流与铜的质量浓度呈良好的线性关系。  相似文献   

14.
《Analytical letters》2012,45(8):1273-1280
Abstract

L-cysteine can be modified onto a silver electrode by covalent binding through the sulphur to give very stable and long-lived chemically modified electrodes(CMEs). Hemoglobin(Hb) exhibits an excellent voltammetric response at the resulting CMEs. Linear sweep voltammetric(LSV) measurements of Hb on the CMEs reveal the existence of a linear relationship between the cathodic peak current and the concentration of Hb in the range of 5 X 10?7 - 1 X 10?5 mol/L. The detection limit is about 2 X 10?7 mol/L. The relative standard deviation of results is 4.5% for 10 successive determinations at 2 X 10?6 mol/L. Other proteins and chemicals present in samples do not interfere in the assay.  相似文献   

15.
《Electroanalysis》2002,14(23):1615-1620
Electrochemically modified glassy carbon electrode (GCE) was used to study the electrochemical oxidation and detection of denatured single‐stranded (ss) DNA by means of adsorptive stripping voltammetry. The modification of GCE, by electrochemical oxidation at +1.75 V (vs.SCE) for 10 min and cyclic sweep between +0.3 V and ?1.3 V for 20 cycles in pH 5.0 phosphate buffer, results in 100‐fold improvement in sensitivity for ssDNA detection. We speculated that the modified GCE has a high affinity to single‐stranded DNA through hydrogen bond (specific static adsorption). Single‐stranded DNA can accumulate at the GCE surface at open circuit and produce a well‐defined oxidation peak corresponding to the guanine residues at about +0.80 V in pH 5.0 phosphate buffer, while the native DNA gives no signal under the same condition. The peak currents are proportional to the ssDNA concentration in the range of 0–18.0 μg mL?1. The detection limit of denatured ssDNA is ca. 0.2 μg mL?1 when the accumulation time is 8 min at open circuit. The accumulation mechanism of ssDNA on the modified GCE was discussed.  相似文献   

16.
功能聚吡咯膜修饰电极的制备及其应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
王美全  方惠群 《分析化学》1993,21(4):474-479
本文对功能聚吡咯膜修饰电极的制备及其在电化学催化、电化学释放、分子器件、电变色效应、生物传感器以及电化学分析等方面的应用进行了综述,引参考文献五十篇。  相似文献   

17.
本文报道了Nafion汞膜修饰电极及其用于阳极溶出伏安法测定未处理尿样,水样及土样中痕量铋的研究。样品中常共存的Pb(Ⅱ)、Sb(Ⅲ )等19种阳离子及尿样中共存的有机物在实验条件下不干扰。本法不仅选择性好,而且灵敏度也较高。线性范围为2×10~(-10)~1×10~(-7)mol/L。回收率为94~105%。  相似文献   

18.
A chemically modified electrode (CME) containing salicylaldehyde thiosemicarbazone (TSCsal) was evaluated for the ability to preconcentrate copper(II) prior to quantification by voltammetry. The CME has been used for the very sensitive and selective analysis of trace amounts of copper(II). A detection limit of 0.1 ppb was obtained by applying anodic stripping voltammetry with a flow system. The parameters that affect the sensitivity and possible interference by other ions or chelating agents have been examined in detail. The CME exhibits high stability and the response could be reproduced for four preconcentration-determination-renewal cycles [10ppbCu(II)] with a 2.87% relative standard deviation. The proposed method has been applied to the determination of copper(II) in tap water, drinking water, and NASS-3 standard reference sea water samples. The results gave satisfactory recoveries.  相似文献   

19.
聚乙烯醇修饰电极的研制及应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
徐金瑞  刘斌 《分析化学》1992,20(5):527-531
本文提出用玻碳电极为基体制作聚乙烯醇(PVA)修饰电极。研究了铜在该电极上的阳极溶出伏安特性。探讨了电极修饰及其作用机理。电极可用于水中痕量铜的测定,灵敏度比未修饰玻碳电极提高一个数量级以上。  相似文献   

20.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号