直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

本文用化学腐蚀方法, 从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000--6000埃间的氧沉淀, 制成萃取复型样品,用T E M 对氧沉淀作微区电子衍射分析. 同时, 观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM 象, 确定了二者的对应关系. 结果表明, 构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite, siliea k) 及少量呈六角片的。方英石(a-cristobalite ), 沉淀片周边沿<1 1 0> 方向, 惯习面前者的为{ 100} , 后者的为{ 1 1 1}. 样品的红外吸收光谱表明, 方片状热液石英沉淀可能与1 2 2 4 (1/cm ), 吸收峰相对应. 关键词：     

热处理CZ-Si中新施主与氧沉淀产物的对应关系

本文利用霍耳测量、红外测量及透射电子显微镜等手段,对热处理CZ-Si中的新施主及氧沉淀进行了研究。常规电子显微镜(TEM)结果表明,经650—750℃热处理的CZ-Si中主要形成点状及杆状缺陷。新施主的形成与点状缺陷关系密切。根据高分辨电子显微镜(HREM)观察,这些点状缺陷相当于晶体结构为β-方石英的片状SiO₂晶态沉淀,它们与硅基体界面上有半数硅原子处于失配状态,失配原子的悬挂键可以成为新施主的来源。新施主的产生受控于β-方石英沉淀物的形核、长大及其结构变化。 关键词：     

退火直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的电子显微镜研究

本文用超高压透射电子显微镜研究退火的高氧含量无位错直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷。在750—1050℃范围内氧沉淀是球状的α方英石。除了球状氧沉淀粒子之外还有一些具有{001}惯习面的方片状氧沉淀物。在950℃以上沿〈110〉方向从氧沉淀发射出冲压式棱柱位错环。这些位错环的柏氏矢量为α/2〈110〉、环面法线为〈110〉,它们是间隙型的位错环。这些位错环是从方片状氧沉淀物或从球伏氧沉淀粒子的聚集团发射出来的。当它们遇到障碍物时可能产生比较复杂的位错组态。实验中观察到由于层错攀移形成的台阶。热处理温度在850℃以下时,未观察到体内层错。 关键词：     

直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

研究了掺氮直拉硅单晶（NCZ）中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.通过不同温度高温退 火后，测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷（BMD）密度与高温形核时间的变化关系 ，同时用透射电子显微镜(TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构.实验结果表明高温退火后 氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用，在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应 的普通直拉硅.这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体（N-V-O）促进了氧沉淀的形核 ，而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状，周围存在应力场. 关键词： 直拉硅 掺氮 氧沉淀     

直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

利用透射电镜对掺氮(NCZ) 和普通 (CZ) 直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究. 研究表明，在NCZ样品中，有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成，而在CZ样品中，没有观察到这种氧沉淀. 初步认为，这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成. 关键词： 直拉硅 透射电镜 氧沉淀     

沉淀过程pH值对铈锆复合氧化物结构与性能的影响

采用加热回流老化技术制备了系列组成为0.6CeO₂-0.4ZrO₂的铈锆复合氧化物,通过N₂物理吸附、Raman光谱、UV-Vis 漫反射光谱等方法对沉淀过程pH值对铈锆复合氧化物结构及储氧性能的影响进行了研究。结果表明,沉淀过程pH值不同,将导致铈锆复合氧化物的组成产生波动,进而影响样品的晶相组成、缺陷性质、结晶程度和孔结构性质。控制沉淀pH值为10.5～11.0,可消除Si的影响,改善铈锆复合氧化物的孔结构,提高相均匀性,提高缺陷浓度,降低结晶度,从而可提高样品的储氧性能。     

钦杭结合带南段和寮铅锌多金属矿床石英的谱学特征及其指示意义

钦杭成矿带南段和寮铅锌多金属矿地区矿化、近矿体和远离矿体等三类岩石样品中石英的粉晶X射线衍射、红外光谱及拉曼光谱研究结果表明,远离矿体和矿化岩石样品中的石英较为纯净,而近矿岩石样品中的石英含有少量杂质,但这种少量的杂质并没有引起石英晶胞参数的明显变化;远离矿体的岩石→近矿岩石→矿化岩石中石英的结晶度和有序度越来越高的,且矿化岩石样品中的α-石英有向对称性较低的石英转变趋势;石英的1 050cm-1红外吸收峰分裂为一对强双峰为含矿岩石样品所独有,可以有效地作为是否成矿的标志;造成石英微观结构变化的原因可能与后期成矿热液的活动密切相关。远离矿体的岩石中石英形成后受后期热液的影响很弱,含矿样品中的石英受多期次热液的作用易产生重结晶、结构调整作用等而纯化,而近矿岩石样品中的石英受到热液的影响但不足以达到纯化的效果。谱学研究是一种深入探讨研究区成矿过程、成矿规律的有效技术。     

点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响

系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p⁺外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气氛下进行1250℃/60 s快速热处理,随后在750℃/8 h+1050℃/16 h常规热处理过程中引入铜沾污.通过腐蚀结合光学显微镜研究发现,以O₂作为保护气氛时,p⁺衬底中的沉淀密度较小,以Ar和N₂作为保护气氛时,重掺硼p⁺衬底中生成了高密度的沉淀,且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成.研究认为,以O₂作为保护气时引入的自间隙硅原子（Si_I）可以抑制沉淀的形成,而以Ar和N₂作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成,这是导致此差异的主要原因.另外,研究还发现,p/p⁺外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质,从而保持了外延层的洁净.     

光折变BaTiO3晶体缺陷的分析电子显微镜研究

用分析电子显微镜研究了顶部籽晶法生长的BaTiO₃晶体内的缺陷。成功地制备出薄区厚约100nm内含包裹体的电子显微镜样品。用透射电子显微镜(TEM),配合电子能量损失谱(EELS)确定了BaTiO₃单晶内包裹体的相分为:非晶的Ba-Ti-O和高Ti-Ba氧化物——Ba₆Ti₁₇O₄₀在BaTiO₃单晶试样中,还观察到其它几种类型的微缺陷。 关键词：     

2,4-二[a-(羟甲硫基)乙基]次卟啉-区及基2,4-二{a-(3-(4-羟基四氢噻唑基)]乙基}次卟啉-区的电子自旋共振及其光化动力学的研究

本文用电子自旋共振研究了2,4-二[α-(羧甲硫基)乙基]次卟啉-Ⅸ及2,4-二{α-[3-(4-羧基四氢噻唑基)]乙基}次卟啉-Ⅸ在不同温度时经紫外-可见光辐照的自由电子变化情况。本文还测定了上述样品在有氧存在下及真空条件下辐照的自旋浓度(N)为10¹⁶~10¹⁷ Spin/g。本文讨论了上述样品在光辐照时的动力学行为。     

On the adsorption of oxygen on the Mo{110} surface and its vicinals

The adsorption of oxygen on a Mo{110} surface and four vicinal planes with steps parallel to 〈100〉, 〈110〉 and 〈111〉 directions, is studied by Auger electron spectroscopy (AES) and low energy electron diffraction (LEED). The work has the goal to elucidate whether O adsorption on Mo{110} is really as different from O adsorption on W{110} as reported, and what is the cause of the apparent discrepancies between the various reported sticking coefficients on stepped surfaces.     

CVD金刚石薄膜孪晶形成的原子机理分析

采用X射线衍射技术、电子背散射衍射技术和扫描电镜分别观察了不同甲烷浓度条件下沉积的CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、晶界分布和表面形貌. 研究了一阶孪晶在金刚石晶体{111}面生长的原子堆垛过程. 结果表明，由于一阶孪晶〈111〉60°的取向差关系以及{111}面的原子堆垛结构，使{111}面上容易借助碳原子的偏转沉积产生一阶孪晶. 低甲烷浓度时，碳原子倾向于在表面能较低的{111}面沉积，为孪晶的形成提供了便利，且高频率孪晶使薄膜织构强度减弱. 甲烷浓度升高使生长激活能较小的{001}面成为主要前沿生长面，因而只有〈001〉晶向平行薄膜法向的晶粒能够不断长大，因此孪晶形核概率明显减小. 另外，在薄膜中发现二阶孪晶，并对二阶孪晶的形成进行了分析. 关键词： 金刚石薄膜 孪晶 原子机理 取向差     

Special misorientations in localized deformation regions in Fe-3%Si alloy single crystals

Extended regions located at an angle of 20° to the rolling plane are observed inside deformation bands in a (110)[001] Fe-3%Si alloy single crystal at a high strain (～60%). These regions were interpreted earlier as shear bands. The lattice orientation in these bands is close to (110)[001], and their habit plane is parallel to the {112} planes of the deformed {111}〈112〉 matrix. The misorientations between the bands and the matrix group around special misorientations Σ9, Σ19a, Σ27a, and Σ33a, which are characterized by close angles of rotation about axis 〈110〉. During primary recrystallization, the (110)[001] grains growing from the bands retain segments of the corresponding special boundaries with the deformed matrix.     

Dislocations in Fe-3% Si alloy single crystals deformed at a higher rate

The method of etching dislocations is used to study the distribution of dislocations and twins in Fe-3% Si alloy single crystals prepared from the melt after plastic deformation with higher speed. The crystals are deformed by twinning in the 〈111〉 directions along the {112} planes and by slip in the 〈111〉 directions along the {110} planes. The results prove that the dislocations causing plastic deformation move in the {110} planes during both fast and slow deformation. The difference in the slip surfaces during fast and slow deformation is explained by the different number of cross slips per unit dislocation path.     

铁的冲击相变机制的分子动力学研究

 用分子动力学方法模拟计算了在冲击波加载条件下,单晶铁中的结构相变（由体心立方结构α相到六角密排结构ε相）,相互作用势采用铁的嵌入式原子势（EAM）,单晶铁样品的尺寸为28.7 nm×22.9 nm×22.9 nm,总原子数为1.28×10⁶个。通过推动一个运动活塞对静止靶的作用来产生冲击压缩,加载方向沿单晶铁的[100]晶向。通过对原子位置的追踪,揭示了铁的冲击相变机制,计算结果表明相变机制包括两步：首先是在{011}面上的原子受到沿〈100〉晶向的压缩,使{011}面转化成正六角形密排面;然后是在{011}面上原子沿〈0-11〉晶向的滑移,完成由bcc结构到hcp结构的相变。同时发现滑移面只出现在与冲击波加载方向平行的(011)和(0-11)面上。     

Shear band formation in IF steel during cold rolling at medium reduction levels

The mechanisms of shear band formation in IF steel after cold rolling to ～50% reductions have been investigated using transmission electron microscopy. The observations revealed that shear bands were always parallel to a second set of microbands, where these exist, and contained within individual crystals, indicating that shear banding is controlled by orientation. Crystallographic analysis revealed that shear banding involves two mechanisms, dislocation glide and rigid-body rotation. In the first step, dislocation glide causes a rotation about the 〈211〉 axis to produce the so called ‘S’ band, which gives the shear band its crystallographic character. In the second step, when the most heavily stressed slip plane parallel to the shear band is of the form {110}〈111〉, rigid-body rotation continues about the 〈211〉 axis in the sheared zone and, then, a rotation about the transverse direction (TD) is promoted by the geometry of the sample. Using rigid-body matrix theory, the calculated orientations of shear bands are shown to be in agreement with experimental observations. The process outlined is capable of explaining how slip processes in grains that contain microbands, using either {110} or {112} slip planes, can produce crystallographic shear bands.     

Blocking-Effekte bei Transmission von α-Teilchen durch Germanium- und Siliziumkristalle

The energy loss of channeled and blocked α-particles of ThC transmitted parallel to the {111} and also the {110} planes of germanium and silicon was investigated. In the spectrum of the transmittedα-particles measured with a small-acceptance-angle detector, in addition to the random and normally channeled α-groups a separated group with a high energy loss was observed in the direction of the {111} planes, while in the direction of the {110} planes this group is not well separated from the randomα-group. A model is proposed which describes this high energy loss for observation in the direction of either plane. In agreement with this model a higher yield ofα-particles with high energy loss in the {111} planes in comparison with the {110} planes of germanium and silicon was measured.