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SiC改性Mg_2SiO_4陶瓷微波衰减性能的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用热压烧结工艺在1500℃下保温1h,制备了SiC改性Mg_2SiO_4陶瓷,研究了SiC添加量对Mg_2SiO_4陶瓷烧结性能、显微结构及微波衰减性能的影响。初步探讨了该Mg_2SiO_4陶瓷的微波衰减机制。结果表明:当SiC质量分数从0增加到10%,Mg_2SiO_4陶瓷的表观气孔率逐渐增大,烧结性能下降;Mg_2SiO_4陶瓷的谐振频率随之向低频移动,谐振吸收峰的峰值逐渐减小,有效衰减带宽增大。电阻损耗和介质损耗是Mg_2SiO_4陶瓷主要的微波衰减机制。 相似文献
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Na_5Sm(WO_4)_4发光晶体的生长及光谱特性 总被引:2,自引:1,他引:2
本文报道了用助熔剂缓冷法生长新型发光晶体Na_6Sm(WO_4)_4,计算了它的晶格常数,测定了它的红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,并确定了晶体中Sm~(3+)离子的能级.研究表明,该晶体是有前途的激光晶体. 相似文献
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Ni2 :BeAl2O4晶体的生长及光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
应用提拉(CZ)法,在合适的化学组份配比、固液界面温度梯度与生长速度等优化工艺条件下,成功地生长出了初始Ni2+掺杂为0.15 mol%、尺寸Φ50 mm×90 mm的优质Ni2+BeAl2O4晶体.测定了晶体的吸收光谱,观测到385、638和1 067 nm 3个主要吸收带,它们分别归属于八面体配位中Ni2+的3 A2g(3 F)→3 T1g(3 P)、3 A2g(3 F)→3 T1g(3 F)与3 A2g(3 F)→3 T2g(3 F)跃迁.根据获得的吸收光谱与晶体分裂场理论,计算了Ni2+的八面体晶格场参数Dq=937 cm-1以及Racah参数B=907 cm-1.研究了不同激发波长下的晶体在可见光波段的荧光特征,在480~550 nm范围发现荧光发射,这归属于八面体格位中Ni2+的电子从1 T2(1 D)能级到3 A2(3 F)的跃迁. 相似文献
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采用化学反应共沉淀法制备出Zn2+和PO43-阴阳离子复合掺杂的α-Ni(OH)2粉体材料.通过对其微结构表征和电化学性能的测试分析结果表明,随着阳离子Zn2+含量相对增加,阴离子PO43-含量相对减少,晶胞参数α和C逐渐增大,当把掺入Zn2+,PO43-的摩尔百分比为23.4%,5.21%时的α-Ni(OH)2样品作为MH-Ni电池的正极活性材料时,电化学阻抗和扩散电阻较小,电池在以80 mA/g恒电流充电5 h,40 mA/g恒电流放电,终止电压为1.0 V的充放电制度下,具有1.34 V较高的放电中值电压,放电比容量为335.31 mA·h·g-1,而且在强碱溶液中稳定存在,30次充放电循环后没有相变化,放电比容量保持率为94%. 相似文献
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报道了在室温和液氮温度下分别用1064nm和532nm激光诱导的Cr:Mg_2SiO_4晶体的红外光致发光谱,并详细分析光谱的结构和特点.在假设Cr:Mg_2SiO_4晶体中同时存在(CrO_6)~(9-)和(CrO_4)~(4-)两种络离子的基础上讨论了红外光致发光的产生机理,理论计算证明假设是合理的. 相似文献
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应用改进工艺的提拉(CZ)法技术,采用合适的化学组分配比和二次化料过程,选用约60℃的固液界面温度梯度与1mm/h生长速度等工艺参量,成功地生长出了Cr3 离子掺杂、无气泡、无云层和核心、长度与厚度约110×25mm的紫翠色Cr3 :BeAl2O4晶体。测定了晶体的吸收光谱,根据获得的吸收光谱与晶体分裂场理论,计算了Cr3 的八面体晶格场参数Dq=1764cm-1以及Racah参数B=608cm-1。晶体样品加工成6(60、80)mm的激光棒,并实现了激光的输出。 相似文献
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刘昶时 《固体电子学研究与进展》2009,29(1)
根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。 相似文献
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Organic light-emitting devices (OLEDs) with a 2-(4-biphenyl)-5-(4-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole layer between the α-naphtylphenyliphenyl diamine and 8-hydroxyquinoline aluminum were fabricated using a vacuum evaporation method. Compared to the different thickness of the buffer layer, the OLEDs with the 1.0 nm buffer layer showed the maximum power efficiency. The enhancements in power efficiency result from an improved balance of hole and electron injections. After comparing among different density buffer layer, PBD are good candidates for hole-injecting buffer layer, and 1.0 nm PBD buffer layer shows better operational durability and life. 相似文献