特殊钻石型等级晶格上S4模型的临界性质

应用实空间重整化群和累积展开的方法，研究了外场中特殊钻石型等级晶格上S⁴模型的相变和临界性质，求出了系统的临界点和临界指数. 结果表明，此系统除了存在一个Gauss不动点外，还存在一个Wilson-Fisher不动点，与该等级晶格上的Gauss模型相比较，系统的临界指数发生了变化. 关键词： 钻石型等级晶格 4模型')" href="#">S⁴模型 重整化群 临界性质     

Sierpinski铺垫上Gaussian自旋系统的临界动力学研究

在单自旋跃迁临界动力学的基础上,利用动力学decimation重整化群技术,在考虑类磁型微扰的情况下,对动力学Gaussian自旋模型在具有扩展对称性的Sierpinski铺垫上的临界慢化行为进行了研究.结果表明,系统的动力学临界指数z仅与静态关联长度临界指数ν有关,而与分形维数D_f无关.     

Sierpinski铺垫上Gaussian自旋系统的临界动力学研究

在单自旋跃迁临界动力学的基础上,利用动力学decimation重整化群技术,在考虑类磁型微扰的情况下,对动力学Gaussian自旋模型在具有扩展对称性的Sierpinski铺垫上的临界慢化行为进行了研究.结果表明,系统的动力学临界指数z仅与静态关联长度临界指数ν有关,而与分形维数Df无关.     

Sierpinski镂垫上具有三体自旋作用的Gauss模型

应用实空间重整化群变换和累积展开相结合的方法，在Sierpinski镂垫上研究了二体自旋作用和三体自旋作用都存在时Gauss模型的相变和临界性质，求出了临界点和临界指数.与只有二体自旋作用的情况相比较，在无外场和有外场的情况下，临界点和临界指数都发生了变化，这表明三体自旋作用对其临界点和临界性质都有一定的影响. 关键词： Sierpinski镂垫 Gauss模型 重整化群 临界性质     

一簇金刚石晶格上S~4模型的相变

采用重整化群和累积展开的方法,研究了一簇金刚石晶格上S~4模型的相变,求得了系统的临界点.结果表明:当分支数m=2和m 12时,该系统只存在一个Gauss不动点K~*=b_2/2, u_2~*=0;当分支数3≤m≤12时,该系统不仅有Gauss不动点,还存在一个Wilson-Fisher不动点,并且后一个不动点对系统的临界特性产生决定性的影响.     

特殊钻石型等级晶格上S4模型的临界性质

应用实空间重整化群和累积展开的方法,研究了外场中特殊钻石型等级晶格上S4模型的相变和临界性质,求出了系统的临界点和临界指数. 结果表明,此系统除了存在一个Gauss不动点外,还存在一个Wilson-Fisher不动点,与该等级晶格上的Gauss模型相比较,系统的临界指数发生了变化.     

X分形晶格上Gauss模型的临界性质

采用实空间重整化群变换的方法,研究了2维和d(d>2)维X分形晶格上Gauss模型的临界性质.结果表明:这种晶格与其他分形晶格一样,在临界点处,其最近邻相互作用参量也可以表示为K=bqiqi(qi是格点i的配位数,bqi是格点i上自旋取值的Gauss分布常数)的形式;其关联长度临界指数v与空间维数d(或分形维数df)有关.这与Ising模型的结果存在很大的差异. 关键词： X分形晶格 重整化群 Gauss模型 临界性质     

嵌套正方格子上反铁磁高斯模型的相变

采用等效变化的方法,把嵌套正方晶格转化为可求解的正方晶格。利用重整化群变换,我们求得了正方系统的临界点。结合本文中给出的两个变换关系,得到了嵌套正方晶格上反铁磁高斯模型的临界点为 K=-0.707b。     

嵌套正方格子上反铁磁高斯模型的相变

采用等效变换的方法,把嵌套正方晶格转化为可求解的正方晶格.利用重整化群变换,我们求得了正方系统的临界点.结合本文中给出的两个变换关系,得到了嵌套正方晶格上反铁磁高斯模型的临界点为K*=-0.707b.     

标准模型中两类中性玻色子混合圈链图传播子的重整化及其e+e-→μ+μ-反应截面

采用电弱统一标准模型, 对光子γ和中间玻色子Z₀ 混合圈链图传播子的构架方式及其重整化问题作了详细分析与讨论, 并完成了有关解析计算, 获得了由参与电弱相互作用的各种混合圈构成的γ和Z₀的重整化链图传播子的解析计算结果. 此外, 我们还将此结果应用于高能物理中备受关注的一类轻子反应e⁺e^-→μ⁺μ^-中, 获得了在γ和Z₀所构架出的重整化混合圈链图传播中e⁺e^-→μ⁺μ^-反应截面的解析计算结果, 并将本文所获得的这一理论计算结果与实验观测值作了对比分析, 发现本文理论计算结果与实验观测值符合非常好, 并由此也获得了有关辐射修正的重要信息. 本文研究结果也可为探讨一般复杂传播子的理论研究与应用提供某些参考. 关键词： 标准模型 链图传播子 重整化 辐射修正     

Critical Exponents of the Diluted Ising Model between Dimensions 2 and 4

Within the massive field-theoretic renormalization-group approach the expressions for the and functions of the anisotropic mn-vector model are obtained for general space dimension d in three-loop approximation. Resumming corresponding asymptotic series, critical exponents for the case of the weakly diluted quenched Ising model (m = 1, n = 0), as well as estimates for the marginal order parameter component number m _c of the weakly diluted quenched m-vector model, are calculated as functions of d in the region 2 d < 4. Conclusions concerning the effectiveness of different resummation techniques are drawn.     

Co$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;SnO$lt;sub$gt;4$lt;/sub$gt;/Graphene复合材料的制备与电化学性能研究

实验首先采用改进的Hummers法制备氧化石墨,然后以氧化石墨烯为前驱体,通过水热法将锡酸钴纳米颗粒均匀镶嵌在石墨烯薄膜基片上,最终获得Co₂SnO₄/Graphene镶嵌复合材料. 采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对材料的结构和形貌进行表征,通过恒电流充放电（CC）、循环伏安法（CV）与交流阻抗法（EIS）测试了材料的电化学性能. 实验结果表明,石墨烯良好的分散性及较高的电子导电率,可以提高锡酸钴材料的电化学性能,材料首次可逆容量达到1415.2 mA·h/g,50次循环后仍能保持469.7 mA·h/g的放电比容量. 关键词： 2SnO₄')" href="#">Co₂SnO₄ 石墨烯 电化学性能 锂离子电池     

The Fixed Point of a Generalization of the Renormalization Group Maps for Self-Avoiding Paths on Gaskets

Let W(x,y) = ax ³+ bx ⁴+ f ₅ x ⁵+ f ₆ x ⁶+ (3 ax ²)² y+ g ₅ x ⁵ y + h ₃ x ³ y ² + h ₄ x ⁴ y ² + n ₃ x ³ y ³+a ₂₄ x ² y ⁴+a ₀₅ y ⁵+a ₁₅ xy ⁵+a ₀₆ y ⁶, and X = , , where the coefficients are non-negative constants, with a > 0, such that X ²(x,x ²)−Y(x,x ²) is a polynomial of x with non-negative coefficients. Examples of the 2 dimensional map Φ: (x,y)↦ (X(x,y),Y(x,y)) satisfying the conditions are the renormalization group (RG) maps (modulo change of variables) for the restricted self-avoiding paths on the 3 and 4 dimensional pre-gaskets. We prove that there exists a unique fixed point (x _f ,y _f ) of Φ in the invariant set . 2000 Mathematics Subject Classification Numbers: 82B28; 60G99; 81T17; 82C41.     

Nd~(3+):SrY_2O_4粉体的制备、结构与光谱性能研究

为探索新型激光晶体,采用固相法合成了(3 at.%)Nd~(3+):SrY_2O_4多晶,对其结构和发光性质进行了研究.对样品的X射线衍射谱进行Rietveld精修得到了样品的晶胞参数、原子位置等.在353 nm激发下,Nd~(3+):SrY_2O_4在可见波段的最强荧光峰位于419 nm,对应Nd3+的2D15/2→4I9/2跃迁.在824 nm激发下,Nd3+的4F3/2→4I11/2跃迁的荧光谱带宽约为90 nm,最强峰为1083 nm,荧光寿命为281.7μs.宽发射光谱和长的能级寿命表明,Nd~(3+):SrY_2O_4是一种很有希望的新波长激光二极管抽运超短脉冲激光材料.     

Zeros of the Potts model partition function on Sierpinski graphs

We calculate zeros of the q-state Potts model partition function on m  ?th-iterate Sierpinski graphs, _Sm$S_m$, in the variable q and in a temperature-like variable, y  . We infer some conjectured asymptotic properties of the loci of zeros in the limit m→∞$m\to \infty$ and relate these to thermodynamic properties of the q  -state Potts ferromagnet and antiferromagnet on the Sierpinski gasket fractal, _S∞$S_{\infty }$.     

Ca$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;Si（O$lt;sub$gt;4-$lt;i$gt;x$lt;/i$gt;$lt;/sub$gt;N$lt;sub$gt;$lt;i$gt;x$lt;/i$gt;$lt;/sub$gt;）：Eu$lt;sup$gt;2+$lt;/sup$gt;绿色荧光粉的制备及其发光性能

利用在Ca-Si-O干凝胶前驱体中添加Si₃N₄的方法于非还原气氛下合成了含N固溶体Ca₂Si（O_4-xN_x）：Eu²⁺绿色荧光粉. 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及荧光分光光度计分别分析了产物的物相结构、颗粒形貌和发光性能. 结果显示,Si₃N₄与前驱体的混合物在非还原气氛（纯氮气）下于1100℃焙烧后获得含N固溶体Ca₂Si（O_4-xN_x）：Eu²⁺荧光粉,特别是其中Eu³⁺被还原为Eu²⁺,产物的晶体结构与βup -Ca₂SiO₄相一致. Ca₂Si（O_4-xN_x）：Eu²⁺能够被270–400 nm 范围内的紫外线有效激发,其发射光谱呈宽带发射. 随着N含量的增加,发射峰出现一定程度红移（501–504 nm）,而且发光强度显著提高. 当Eu²⁺浓度为0.25 mol%时发光强度达最大值,浓度超过0.25 mol%时,发光强度显著降低,出现浓度猝灭 效应. 关键词： 白光LED 荧光粉 溶胶凝胶法 3N₄')" href="#">Si₃N₄     

Critical exponents predicted by grouping of Feynman diagrams in φ4 model

Different perturbation theory treatments of the Ginzburg‐Landau phase transition model are discussed. This includes a criticism of the perturbative renormalization group (RG) approach and a proposal of a novel method providing critical exponents consistent with the known exact solutions in two dimensions. The usual perturbation theory is reorganized by appropriate grouping of Feynman diagrams of φ⁴ model with O(n) symmetry. As a result, equations for calculation of the two‐point correlation function are obtained which allow to predict possible exact values of critical exponents in two and three dimensions by proving relevant scaling properties of the asymptotic solution at (and near) the criticality. The new values of critical exponents are discussed and compared to the results of numerical simulations and experiments.     

Critical Behavior of Gaussian Model on X Fractal Lattices in External Magnetic Fields

Using the renormalization group method, the critical behavior of Gaussian model is studied in external magnetic fields on X fractal lattices embedded in two-dimensional and d-dimensional (d ＞ 2) Euclidean spaces, respectively. Critical points and exponents are calculated. It is found that there is long-range order at finite temperature for this model, and that the critical points do not change with the space dimensionality d (or the fractal dimensionality dr). It is also found that the critical exponents are very different from results of Ising model on the same lattices, and that the exponents on X lattices are different from the exact results on translationally symmetric lattices.