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用正电子湮没谱学研究NaCl与NaY沸石机械混合后, NaCl在NaY中的固溶扩散过程.分别测量不同质量比的NaCl/NaY［(1—20)%］经500℃烘烤1h，NaCl/NaY(15%)经不同温度烘烤1h,以及NaCl/NaY(15%)经500℃烘烤不同时间后的正电子寿命谱.所有寿命谱都出现了5个寿命分量, 其中第3，4，5寿命分别与β笼、超笼及沸石微粒界面空洞的大小和数量相关.实验表明正电子湮没谱学能敏感地表征NaCl在NaY中的固溶扩散过程.
关键词：
正电子湮没谱学
氯化钠
沸石 相似文献
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使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40 ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响.
关键词：
电子偶素
正电子湮没谱学方法
多孔硅 相似文献
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用正电子湮没探测高聚物的自由体积特性 总被引：2，自引：0，他引：2
简要介绍了用正电子湮没谱探测高聚物的微观结构的方法，给出了几种具有简单链结构的高聚物的玻璃化转变，自由体移浓度的标度行为，自由体积形成能的直接测量等方面的最新应用结果，由此表明，正电子湮没谱学在高分子物理研究领域具有十分广阔的应用前景。 相似文献
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第五届全国光学测试学术交流会在曲阜举行第五届全国光学测试学术交流会于１９９３年１０月５日～１０月９日在山东曲阜师范大学举行．会议由中国光学学会光学测试专业委员会主办，山东省激光会和曲阜师范大学激光研究所承办．参加这次大会的１４０多名代表分别来自北京、... 相似文献
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第八届全国波谱学学术会议纪要第八届全国波谱学学术会议于１９９４年１０月３１日至１１月３日在浙江杭州召开，会议由中国物理学会波谱专业委负会主办，浙江大学化学系承办．金秋十月，正是收获的季节．来自全国高等院校、中科院、各部委科研机构和公司、工厂的代表２４... 相似文献
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通过 YBa_2Cu_(3-x)M_xO_y(M=Al,Sn)系列样品正电子湮没辐射一维角关联谱的测量,系统地研究了 Cu 位替代对正电子湮没谱的影响.实验表明,Y-Ba-Cu-O 超导体的一维角关联谱由两个高斯成分组成,分别是正电子在链区和 Cu-O 平面采样湮没的反映,未能观察到相应于 Fermi 电子气湮没的抛物线部分存在.正电子湮没谱对 Cu 位元素的替代,特别是链区的替代是敏感的.正电子湮没技术可能为判断 Y-Ba-Cu-O 超导体中元素替代位置提供一些有用的信息. 相似文献
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第五届全国材料科学中电子显微学会议和第七届全国化工纺织电子显微学会议简讯“第五届全国材料科学中电子显微学会议”和“第七届全国化工纺织电子显微学会议”于１９９３年１１月２２日至２７日在福州市召开，来自全国４６个单位的７３名代表出席了会议。这次会议的论文... 相似文献
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第八届全国磁学磁性材料会议简讯第八届全国磁学磁性材料会议于１９９３年１０月２９日至１１月４日在山东省烟台市举行。会议由中国电子学会应用磁学分会、中国物理学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国仪器仪表学会、中国仪器仪表材料学会和中国计量测试学会等七个学... 相似文献
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本世纪五十年代初,正电子物理学诞生并获得初期发展[1].正电子物理学研究低能正电子与物质的作用,它是正电子湮没谱学的基础 理论之一. 正电子(e )是构成物质世界的基本粒子中 的一种,它是电子(e)的反粒子. 1930年 P A. M. Dirac从相对论观点出 发首先预言了正电子的存在.两年后。C.DAnderson证实了正电子的存在. 无论是当初发现正电子,还是现在应用正 电子,都利用了“正电子-电子对的湮没”,即当 正电子与电子相遇时,正电子和电子均消失,同 时放出γ射线.有放出双γ和三γ这样两种 湮没.一般情形发出双γ湮没的几率比发生 三γ湮没的几… 相似文献
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全国第三届穆斯堡尔谱学会议于1986年4月8日至12日在江苏省苏州市举行.这是我国继1981年在南京和1983年在广州举行的第一届和第二届穆斯堡尔谱学会议后的又一次盛会.出席这次会议的有来自高等学校、科研部门和生产厂家共93个革位的202名代表,共收到论文197篇. 会议先进行大会报 相似文献
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《物理学报》2017,(2)
<正>电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法,在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用;此外,慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用.通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用.本文综述了正电子湮没谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展,主要围绕正电子研究平台在半导体材料微观缺陷研究中对材料的制备工艺、热处理、离子注入和辐照情况下,各种缺陷的微观结构的表征及其演化行为的研究成果展开论述. 相似文献
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由中国科学技术大学、中国科学院高能物理研究所、中国科学院沈阳科学仪器厂和中国科学院金属研究所协作研制的正电子湮没辐射一维角关联实验装置似下简称角关联装置),经中国科学院数理学部组织鉴定后已在中国科技大学(合肥)投入运行. 角关联装置是正电子湮没谱学基本实验手段之一.利用这种装置,通过对正电子湮没产生的两个0.511MeV湮没γ光子的准直符合测量,可获得正电子2γ湮没事件数目与两光子空间夹角在某一坐标方向投影角的关系曲线术,即角关联曲线. 这台装置的主要技术指标与性能如下: (1)采用垂直长缝准直系统; (2)湮没辐射源(由正… 相似文献
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在中国核物理学会的关心下,全国第七届正电子湮没学术会议于１９９９年４月７—１１日在福建省泉州市华侨大学召开．大会收到论文４７篇,涉及的课题有：（１）慢正电子束流;（２）金属和合金;（３）半导全;（４）聚合物和沸石;（５）核固体物理;（６）正电子化学;... 相似文献
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第七届全国凝聚态理论和统计物理会议在合肥举行第七届全国凝聚态理论和统计物理会议于１９９３年１０月２５日至２９日在合肥中国科学技术大学举行。来自全国５４所高等院校、科研机构的代表１４３人出席了会议。代表们为会议提供了论文１４２篇，其中大会报告１４篇，分... 相似文献
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利用正电子(e+)湮没寿命谱实验研究了Hg1-xCdxTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品，不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工艺，p型材料转为n型，同时对正电子的俘获效应减小，表现为正电子湮没平均寿命值减小14—17ps.若退火温度高于350℃，正电子湮没寿命值又增大，表明Hg空位浓度增加.得到HgCdTe中正电子的体寿命为τb=272ps.根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果，得出
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