超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异

In_xGa_1-xAs缓冲层上生长In_yGa_1-yAs/GaAs超晶格（x＜y）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于Mathews-Blakeslee（M-B）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现，GaAs/In_yGa_1-yAs界面铟组分过渡区比In_yGa_1-yAs/GaAs界面铟组 关键词：     

CH_3CSNH_2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面磁性 .初步探讨了S钝化影响As扩散的原因 .     

多弧离子镀TiN与不同金属基材间的接触界面与表面特性

用多弧离子镀技术在不同金属基材上进行TiN镀膜实验 ,制备了TiN/Fe、TiN/Cu和TiN/Cr/Cu复合膜 .借助扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射仪 (XRD)和光电子能谱 (XPS) ,研究了TiN与Fe、Cu和Cr/Cu三种不同衬底接触界面的形貌、结构及其表面特性 .SEM观察发现 ,在一定离子镀膜条件下 ,TiN涂层可与Fe、Cu和Cr/Cu金属基材形成均匀平整的接触界面 ,在铜基上TiN界面清晰 ,在Fe与Cr/Cu界面有明显的层状晶界微结晶分布 .XRD分析显示 ,Fe、Cu和Cr/Cu表面生成的薄膜都包含TiN、Ti2 N等多晶相 ,在Cr/Cu界面还包含Ti-Cr的金属间化合物 .XPS结果表明 ,表面除了TiN膜外 ,还生成TiO2 和TiOxNy 等氧化膜 .Ar+ 刻蚀 5min后 ,TiO2 消失 ,TiOxNy 减少 ,TiN则呈增加趋势 .TiN与Cr/Cu界面形成明显的Ti-Cr和Cr-Ni互扩散层 ,这有助于增强薄膜附着力 ,形成较牢固的TiN涂层 .     

GaAs中非晶态与晶态界面晶格象的光衍射分析

我们利用光学衍射仪对离子注入后GaAs中晶态区与非晶态区界面的高分辨晶格象进行了分析。得到了界面附近结构变化的初步结果。由非晶态区到晶态区存在如下五个区域:非晶区;晶核与低维有序区;多晶区;单晶畸变区和单晶区。 关键词：     

一些过渡金属与GaAs反应的热稳定性

本文利用Miedema半经验模型计算了Pd,Pt,Ni,Ir,Rh,Co,Ti,Cr,V,Zr与GaAs反应的最终产物的形成焓,从而计算了这些反应以及最终产物中含As相的分解反应的自由能。结合对实验结果的分析得出:对于大部分上述金属与GaAs组成的体系,可以用反应自由能来评估最终产物的形成温度和含As的最终产物的稳定性。 关键词：     

微结构接触界面热阻

微纳米结构的接触热传输是热电转换、超导冷却、集成芯片散热等高技术领域面临并必须着力解决的技术问题,它区别于宏观热传输,具有为尺度依赖效应和多个微观特征量。文中从微结构接触热传输阻力角度出发,探讨了接触热阻及界面热阻区别,阐释了微尺度的特征量,接触界面热阻实验及理论研究方法、实验参数的测量,接触热阻及界面热阻的材料选择。通过接触界面热阻这些方面的研究,为研究接触界面热阻研究提供了较全面的参考。     

GaAs及其它半导体欧姆接触模型

n型GaAs欧姆接触的比接触电阻ρ_c与有源层浓度N_D有反比关系,这已为很多实验事实所证明。文献中对这一现象有各种解释。本文对文献中的各种解释模型进行了分析,指出不足之处。提出ρ_c应由两部分ρ_(c1)和ρ_(c2)组成。ρ_(c1)是合金与其下在合金化后形成的高掺杂层间的比接触电阻。此外,在这高掺杂层与原来有源层间有 关键词：     

GaS/GaAs界面电学性质研究

报道了微波放电法在GaAs表面生长GaS薄膜．用电容 电压法（C-V）、伏安法（I-V）以及深能级瞬态谱（DLTS）等测试手段对GaS/GaAs界面的电学性质进行了研究．GaS/GaAs界面的CV特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为10¹²/（cm²·eV）．DLTS的测试得到了与其一致的结果．另外，从I-V曲线中漏电流的大小，估算出GaS的电阻率为10¹¹Ω·cm 关键词：     

Al/GaAs界面反应的XPS研究

用XPS研究了清洁无序GaAs表面沉积超薄Al膜后的界面反应,结果表明,原沉积于GaAs表面的Al能进入GaAs衬底取代Ga形成AlAs,而通过Al-Ga替位反应释放出来的Ga则残留在衬底表面,提出了Ga/AlAs+GaAs/GaAs三层结构模型。 关键词：     

弯曲旋转超声电机接触界面锥形角的分析与实验

要提高弯曲旋转超声电机电能转换为机械能的效率,就必须尽量减小其定子与转子之间的相对滑移。并且要使马达定转子之间的摩擦接触界面与接触点的振动轨迹相垂直。先论证了一种数学方法去推算这种弯曲旋转超声电机接触界面的锥角计算公式。然后以压电管超声电机为例,研制了一些外径5mm、内径4mm、长15mm但接触界面锥角不同的样机,通过实验证明马达定转子之间的摩擦接触界面与接触点的振动轨迹相垂直时马达转动效果最好。计算结果与实验结果非常吻合,证明了锥角计算公式的正确性。     

贵金属—GaAs(110)界面价带紫外光电子谱

本文研究了贵金属-CaAs(110)界面形成过程中hν=21.2eV和40.8eV的价带光电子谱的演化,在小于0.5单原子层淀积金属时,观察到所谓原子样Ag5s和Au6s态。大约从10埃到几十埃的淀积金属范围内,发现贵金属价带发射极大值现象。用金属原子团的形成、岛状生长与界面反应相关的观点讨论了实验结果。 关键词：     

动态接触角的初步分析

应用经典的Moffatt解,通过引入接触线特征参数λ给出接触线上的粘性剪切应力,导出动态接触角和接触线移动速度的关系,尝试解释文献中两种不同测量方法所得静态接触角不一致的现象,理论所揭示的动态接触角和接触线移动速度的关系曲线和以往文献中的曲线形式基本一致,通过和Hoffman试验数据的比较发现,λ与流体性质无关,是表征固壁性质的特征参数,并初步探讨了λ的数理意义。     

具有光滑接触面的层状弹性系统内的位移和应力

本文将作者最近的一个工作推广到了层界面存在光滑接触的情形,对光滑接触与固接的组合(即不同个数的光滑接触面)情形给予了详细的讨论,获得了在一般表载作用下的多层弹性半空间介质内任意点处的位移及应力分量的解析表达式。所得结果包括了以前学者在某些假定下的研究工作。     

Ag/Ni和Cu/Ni界面的分子动力学模拟

用分子动力学方法对金属界面在弯曲状态下的力学行为做了模拟计算．在自行设计的两种弯曲模型中，首先比较了Ａｇ／Ｎｉ在不形成界面、形成界面（错配比约为１５％）以及Ｃｕ／Ｎｉ形成界面（错配比约为３％）时在动态弯曲过程中的势能－应变曲线，应力－应变曲线，模量－应变曲线，通过比较得出的结论是：界面的存在影响很大，失配位错影响界面的性质，并且错配比不同界面的力学性质亦不相同．同时，对计算元胞的尺寸效应做了详细的讨论，给出了用于计算机模拟中比较适宜的计算元胞的尺寸．最后，利用圆弧弯曲模型将静态平移周期性边界条件应用于动态 关键词：     

滴状冷凝传热的多尺度规划与最佳接触角

滴状冷凝传热过程具有典型的多尺度特征,一方面体现于壁面上液滴尺寸分布的空间多尺度特征以及液滴生长过程的时间多尺度分布,另一方面体现于冷凝壁面物理化学特性以及液固相互作用特性的描述和量度上的多尺度特征.本文基于包含界面效应影响的滴状冷凝传热模型,分析了液滴尺寸分布的多尺度特征及其对滴状冷凝传热性能的影响,并通过分析液滴尺...     

INFLUENCE OF INTERFACES ON ATOMIC MEAN SQUARE DISPLACEMENT OF CRYSTAL

In this paper,the atomic mean square displacement (MSD) of single interface,surface-interface and multilayer system is calculated by using the method of Green's function and M-P crystal model. It is shown that the contribution of the single interface to the atomic MSD, similar to the case of single surface system,exhibits a long "tail", and the correlation length between interface-interface and surface-interface is much less than that between surface-surface.     

接触熔化的研究进展

本回顾接触熔化的研究发展历史,对这一领域研究的内容,方法,状况和进展作一述评,并简要介绍我们取得的一些成果,内容包括封闭空间的接触熔化,围绕热源的接触熔化,以及其它形式的接触熔化,最后指出今后接触熔化研究的发展方向。     

PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL HETEROSTRUCTURE INTERFACES

Photoluminescence (PL) ia used to study the interface properties of GaAs/AlGaAs quan-tum well (QW) heterostructures prepared by molecular beam epitaxy with growth interrup-tion (GI). The discrete luminescence lines observed for the sample with GI are assigned to the splitting of the heavy-hole exciton associated with heterointerface islands with the lateral size greater than excjton diameter and mean height less than one monolayer, and the spectra have the Gaussian lineshapes. The results strongly support the microroughness model. We also study the temperature dependence of the exciton energies and find that excitons are localized at the interface roughness at low temperature even in the sample with GI, The lateral size of the microroughness of the GI sample is estimated to be less than 5nm from the exciton localization energy.     

温度对Ar^＋诱导Au—Si界面原子混合的影响

本文在77至573K温区研究了Ar~ 诱导的Au-Si<111>界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q_((S)_i)—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不同的;得到了具有确定组份比的Au_(48)Si_(51)(≈AuSi)均匀混合层;T>32℃时,深入到Si中的Au原子呈指数衰减的尾巴,为解释此指数尾巴,提出了填隙原子增强扩散机制及方程。     

ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算

利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的sp³s模型，计算了ZnSe/GaAs(100)两类界面(Se/Ga和As/Zn界面)的电子结构.分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态密度.计算结构表明，在ZnSe/GaAs(100)两类界面的禁带隙中均无界面态，而在其价带区均存在三条束缚的界面带和四条半共振带；通过比较，分析了两类界面的界面态特征及其来源. 关键词：