微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践(续)--微波器件封装之一

（上接第2002.11期54页）3实践微波器件外壳电性能设计目标，就是如何降低外壳的电容、电感和电阻，控制特性阻抗，以满足器件要求。但是这些参数往往是相互制约的，如电容和电感、电阻和电容，反馈电容和输入、输出电容等等。因此需要折衷考虑，最终对各参数进行优化。另一方面，由于我们多年来已经成功开发了上百种微波器件外壳，积累了相当多的经验和模式，借鉴这些经验和模式，应用于外壳设计中，无疑是一个捷径。以下是几种行之有效的改善外壳电性能的结构和模式。瓷件外形尺寸/mm13×11×2.37×输入输出电容/pF0.80.71工作频率/GHz3…     

微波器件外壳弹性结构引线设计

以一种用于微波功率模块封装的外壳为例,设计了一种具有弹性结构的引线。通过弹性结构可以释放温度循环中产生的应力,避免失效。应用卡氏第二定律计算了弹性结构的弹性系数。使用HFSS软件建模仿真,讨论了该结构对微波性能的影响。该设计整体考虑了机械设计、热设计和微波设计,提供了一个引线的优化解决     

AlN多层共烧陶瓷微波外壳的设计与制作

使用Ansoft HFSS软件设计了一种微波多芯片组件(MCM)用陶瓷外壳,并采用AlN多层共烧陶瓷工艺制作了样品。微波输入输出(I/O)端子采用微带线直接穿墙形式,并与陶瓷外壳一体设计、制作。试验结果表明,在2～12 GHz内驻波比(VSWR)<1.3,测量漏率R1≤1×10–3Pa.cm3/s(He)。     

表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计

基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵列接地过孔以消除高密度引脚间的耦合。对制作的外壳进行了微波性能测试,在C波段内的插入损耗小于0.5dB,驻波比小于1.3,隔离度大于30dB。该小型化表贴陶瓷外壳适用于C波段的微波单片集成电路(MMIC)的高品质气密封装,且便于批量化生产。     

射频/微波电路中的薄膜无源器件

就在不久之前，大多数微波电容器还都基于多层陶瓷烧制技术。在生产过程中，多层高导电性的金属合金电极层和低损耗的陶瓷绝缘层交错排列，从而得到所需要的电容值。然后，将合成的叠层进行高温烧制，将其烧结成单片结构。这一工艺目前仍然很好地满足大容量射频电容器以及大功率电容器的需要。     

Zn和Nb对BaO-TiO_2系统微波陶瓷介电性能的影响

研究了添加ZnO 和Nb2O5的BaO-TiO2系统微波陶瓷。XRD表明其主晶相是Ba2Ti9O20(B2T9)/BaTi4O9(BT4)。加入ZnO 和Nb2O5,由Zn2+ 和Nb5+共同取代Ti4+,作为施主受主杂质,达到电价平衡,降低了烧结温度,改进了介电性能。该系统微波瓷料既可用于制造滤波器,也可用于制造多层陶瓷电容器(MLCC)。实验表明其介电性能如下:εr =37、Q =14 000、αC = 10×106℃1(1 MHz)。     

微波介质材料与器件的发展

详细论述了微波介质材料与器件国内外现状和技术发展趋势, 分析了应用前景和国内市场需求,对我国“十一·五”发展方向和重点研究课题提出了建议。     

微波器件钎焊气密封装工艺设计

研究了一种可应用于微波器件气密封装的钎焊工艺设计.采用有限元仿真软件计算了搭接型微波器件钎焊封装模型,以Sn63Pb37焊料钎焊外引线和盖板为基础,探索出钎焊密封的边界条件和适当的工艺参数并延伸拓展.试验证明,能够实现盒体与盖板的气密性钎焊封装且不影响后续喷涂工艺.使用扫描电镜对焊缝进行检查,焊缝致密无空洞,金属化层厚...     

城市中微波站的防雷接地设计及防护器件的选用

主要介绍了大中城市中微站的防雷接地设计的要点，并结合华东某局的防雷接地设计实例，参照邮电部标准＜＜通信局（站）接地设计暂行技术规定＞＞（综合楼部分）（ＹＤＪ２６－８９）的相关条文，介绍在雷击较多的地区采用自然接地体和混凝土包封金属电极等联合接地的技术以及防护器件的选用。     

微波材料选用及微波印制电路制造技术

4．3.6陶瓷粉填充热固性树脂微波多层印制板制造技术 1．前言 众所周知,我们将波长短于300mm或频率高于1000MHZ（1GHZ）之电磁波,称为微波。微波印制板是指在特定的微波基材覆铜板上,利用普通刚性印制板制造方法生产出来的微波器件。     

陶瓷外壳芯腔表面变色原因分析

采用SEM和EDX对主要的陶瓷封装外壳生产工艺阶段的芯腔表面进行了形貌观察和成分分析.XPS分析证实,是Ni在芯腔表面形成氧化镍导致了变色.提出了在室温储存和高温老炼条件下造成外壳芯腔表面变色的两种模型.     

盐雾对集成电路性能的影响

主要讲述了塑封电路、陶封电路和玻璃封装电路的成分,并对盐雾试验对它们的影响进行了理论分析.     

AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能

以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1900℃、氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。借助网络分析仪,研究了该材料在8~12GHz的微波衰减性能。结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86GHz降低到10.11GHz,所对应的峰值从3.2dB降低到0.7dB,而该材料的有效衰减带增大;在900~1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30~50min后,该材料的谐振频率维持在10.65~10.62GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小。     

一种基于LTCC技术毫米波垂直互连过渡结构设计

为了实现微波毫米波多芯片组件的多层立体高集成度设计,提出Ka波段LTCC(Low Temperature Co-Fired Ce-ramic)微带到带状线穿透两层接地导体的正反向过渡结构.该结构采用类同轴和“水滴”匹配的方法,结合高频电磁软件仿真及测试实验,结果表明,该14层LTCC结构能实现良好传输的最高频率可达36 GHz,可实现Ka波段毫米波微带到内层带状线的灵活过渡.     

非同轴微波器件测试夹具的设计与应用

由于非同轴微波器件接口的特殊性,无法直接与同轴接口的矢量网络分析仪相连进行测试,非同轴器件的微波性能测试面临较大的困难,目前,国内非同轴器件的测试技术已严重滞后其设计开发工作。对非同轴微波器件接口进行了深入研究,设计了针对非同轴微波器件测试的分体式夹具,解决了去嵌入技术问题,并以实例验证了该测试装置的正确性。大量测试表...     

缺陷接地结构抑制微波器件谐波

对目前应用于微波设计领域的缺陷接地结构(Defected Ground Structure,简称 DGS)进行了介绍,通过电磁场分析软件对非对称DGS进行了分析和优化;根据DGS在某些频率点上的谐振特性,充分利用其带阻特性抑制谐波分量,设计出一种非对称DGS,对工作在S波段2.45 GHz的微波功率器件的二次谐波、三次谐波进行了有效地抑制,在4.9 GHz和7.35 GHz正向传榆系数分别是-14.32 dB和-12.1 dB,仿真和测试结果表明,非对称DGS可以抑制微波器件谐波,有效地提高微波功率器件性能.     

A model-based and simulation-driven methodology for design of haptic devices

High precision and reliable haptic devices are highly complex products. The complexity that has to be carefully treated in the design process is largely due to the multi-criteria and conflicting character of the functional and performance requirements. These requirements include high stiffness, large workspace, high manipulability, small inertia, low friction, high transparency, as well as cost constraints. The requirements are a basis for creating and assessing design concepts. Concept evaluation relies to a large extent on a systematic usage of kinematic, dynamic, stiffness, friction, and control models. The design process can benefit from a model-based and simulation-driven approach, where one starts from an abstract top-level model that is extended via stepwise refinements and design space exploration into a detailed and integrated systems model that can be physically realized. Such an approach is presented, put in context of the V-model, and evaluated through a test case where a haptic device, based on a Stewart platform, is designed and realized. It can be concluded, based on simulation and experimental results that the performance of this deterministically optimized haptic device satisfies the stated user requirements. Experiences from this case indicate that the methodology is capable of supporting effective and efficient development of high performing haptic devices. However, more test cases are needed to further validate the presented methodology.     

新型片式元器件在通信领域中的应用与发展

首先指出了电信产业的发展得益于电子元器件的发展,进而分析了元器件的发展历史,重点分析了在现今元器件中占主流的片式元器件的特点、及其发展方向,最后结合当今的信息与通信技术指出Ｌ：现代通信与信息技术的飞速发展促进了片式元器件的微型化、复合化,新型片式元件的出现和改进反过来进上步促进了新型移动通信和便携式信息终端的轻薄短小和升级换代。