MgB2混合态热导率的反常增强

测量了MgB₂多晶样品的混合态热导率，磁场强度为0—7 T，温度范围为5—45 K .实验结果显示MgB₂热导率在低场下迅速上升，高场下趋于饱和，这与MgB₂的 二能隙电子结构有关.对实验结果的分析指出，低温强场下MgB₂多晶样品热导率的显著增强无法完全 用电子热导来解释，并对此进行了讨论. 关键词： 2')" href="#">MgB₂ 热导率 混合态     

混合态中高温超导体的弱连接

本在研究高Ｔｃ超导体的弱连接时，考虑到Ｈ＞Ｈｃ１时存在的混合态。在传统Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ模型的基础上加入了结层内的涡漩线与超导体内的磁通线之间的相互作用，它给沿结平面方向运动的涡漩线带来了附加的钉孔或牵制，从而成功地解释了磁阻、动态磁阻、临界电流密度在Ｈｃ１附近的反常现象以及这些现象随温度的变化关系。     

对Ⅱ类超导体混合态磁阻起因的重新认识

本指出常规和基于Ａｂｒｉｋｏｓｏｖ涡旋理论所提出的关于Ⅱ类超导体混合态磁阻起因的解释存在着某些不足之外，特别对新发现的高温氧化物超导体，该解释同实验有明显地冲突。为描述Ⅱ类超导体混合态磁阻，我们认为最好的理论基础是约瑟夫逊相滑移理论。本就此进行讨论并试图说明在此基础上可以导出常规的关于Ⅱ类超导体混合态磁阻的表达式。     

量子混合态的统计角

本文把关于量子纯态之间的统计角概念推广到量子混合态,并提出了单个混合态的发散角这一概念,导出了纯态判据,用到测量上,响应函数不过是量子系统与仪器之间的统计角余弦的平方,而测量过程中的熵增加则显现为混合态发散角的扩大。 关键词：     

腔内混合态原子系统中辐射场的压缩效应

本文应用熵最大原理，假定腔内二能级原子起初就没有关于系统所处态的任何信息，研究了腔内原子与腔场相互作用的压缩行为，得出了原子初始处于任意统计混合态下，当初始激发足够强时，辐射场将产生极其接近于纯态情况在相同激发时的强压缩现象的重要结果，同时还讨论了产生压缩的混态范围。     

超导混合态椭球的交流磁化率

本文研究了处于混合态非均匀磁化的高温超导椭球在线性响应区的交流磁化率，给出了不同离心率的非均匀磁化椭球在直流磁场和小交流磁场中的交流磁化率的解析解析阐明了样品几何形状（退磁因子）对交流磁化率的影响文中研究了处于超地椭球的交流磁化率。     

一类正交纠缠混合态的局部克隆

给出了一类两粒子纠缠混合态在LOCC条件下的克隆的充要条件.进一步发现此类混合态不能在局部操作和经典通讯(LOCC)条件下被分辨,这意味着混合态的局部克隆与局部分辨跟纯态的局部克隆与局部分辨有本质的差别.     

C~2C~n量子系统的最大纠缠混合态

讨论了C~2C~n量子系统的最大纠缠混合态,得到了Negativity纠缠度下的最大纠缠混合态的解析结果,并计算了该态在非满秩情形下的量子相对熵纠缠度。     

超导混合态的非线性响应

在相变临界点附近的非线性响应函数普遍遵守幂律.它如何与相变两方单个匀相的物性相联结的问题尚未得到很好的解决.本文给出一个从高温下的正常态到低温下超导混合态的电阻转变方程.它与MgB2和YBaCuO实验数据符合得很好,并能解释多年令人困惑的交流耗散响应峰值的振幅效应.本文还进一步讨论了与此相似的"扩展幂律"型非线性响应函数应用于其他相变临界现象的问题.     

C2(×)Cn量子系统的最大纠缠混合态

讨论了C2(×)Cn量子系统的最大纠缠混合态,得到了Negativity纠缠度下的最大纠缠混合态的解析结果,并计算了该态在非满秩情形下的量子相对熵纠缠度.     

双能隙超导体MgB2的热导

测量了多晶MgB2的热导，实验温区为5—300K.在双能隙模型下，用基于BCS超导理论的BRT热导理论对实验结果进行了分析，给出MgB2中两个能隙大小分别为16和51meV.对电子热导的分析结果表明σ能带准粒子受到的杂质散射远小于π能带准粒子受到的杂质散射.与单晶MgB2的热导实验结果相比，多晶MgB2的声子热导结果表明在c方向上热传导声子受到来自σ能带准粒子的散射，显示了MgB2在能量输运上的各向异性. 关键词： MgB2 热导率 能隙     

Specific heat and thermal conductivity in the mixed state of MgB2

The specific heat C and the electronic and phononic thermal conductivities kappa(e) and kappa(ph) are calculated in the mixed state for magnetic fields H near H(c2), including the effects of supercurrent flow and Andreev scattering. The resulting function C(H) is nearly linear while kappa(e)(H) exhibits an upward curvature near H(c2). The slopes decrease with impurity scattering which improves the agreement with the data on MgB2. The ratio of phonon relaxation times tau(n)/tau(s)=g(omega(0),H) for phonon energy omega(0) is smeared out around omega(0)=2Delta and tends to one for increasing H. This leads to a rapid reduction of kappa(ph)(H) in MgB2 for relatively small fields due to the rapid suppression of the smaller energy gap.     

压强对二硼化镁超导电性的影响

基于强耦合理论的 Mc Millan公式 ,研究了压强对 Mg B2 超导电性的影响 ,得到了与实验趋于一致的结果 ,进一步表明了 Mg B2 的超导机制应在 BCS理论框架下讨论。并同时探讨了压强对 Mg B2 超导电性影响的物理机制     

MgB2颗粒超导体临界电流的温度特性研究

通过制备MgB2/MgO超导复合材料,获得了典型的MgB2弱连接颗粒超导体,并测量了该样品在不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.在Ⅰ-Ⅴ曲线中,我们发现:当电流超过临界电流时,电压随着电流先是缓慢的增长,在电流升到一定值时,电压有一个很陡的突变.我们对这一变化进行了研究,认为这是由于MgO杂质使MgB2的晶界效应增强所引起的.该样品的临界电流和温度的关系满足:jc(T)∝(1-T/Tc)1/3,利用三维Josephson结网络系统的渗流模型进行计算发现,当颗粒超导系统处于非均匀状态时,临界电流和温度满足关系式jc(T)∝(1-T/Tc)4/3,这一结果和我们的实验符合的非常好.     

MgB2中的MgO纳米管

为观察MgO在MgB2超导样品中的影响和存在形式,通过在MgB2胚体样品之外,增加周围MgO量的实验方法,经过4 h 750℃的烧结,在制备好的MgB2超导样品内得到了壁厚是约4纳米,直径在50～80纳米,长为30～40微米以上的氧化镁(MgO)纳米管.在MgB2样品表面可以看到少量直径是200～300纳米的氧化镁(MgO)亚微米线.经过扫描电镜的能量损失谱和透射电镜EELS分析测量,证明了纳米管中没有硼元素.实验观测也表明这些氧化镁(Mgo)纳米管是由许多氧化镁(MgO)纳米晶片组成.     

MgB2状态方程的第一原理计算

利用基于局域密度近似框架下的第一原理平面波方法, 结合HGH型相对论分析赝势, 对MgB2的晶格参数和状态方程进行了计算,所得结果与实验值及其他理论得到的计算值相符合.     

MgB2涡旋液体相研究

近来几个超导研究小组相继报导MgB2磁通线的涡旋相图具有与高温超导体相似的特性,而且该超导体电阻率在外场中展宽的超导区大部份对应涡旋液体相.本文发展了一种新的求导超导体有效钉扎势方法,并利用MgB2电阻在外场中展宽测量数据,发现在超导转变区,其有效钉扎势相应温度的函数关系分为两个区域,其中一个区的热激活能和温度的关系是线性的,另外一个区是非线性的.这明确表明与F. Bouquet et al(Nature, 411(2001), 448)发现高温超导体YBa2Cu3O7-δ具有两个涡旋液体相相类似.MgB2的涡旋液体相也同样具有两个不同的液体相.     

新型超导体MgB2和MgCNi3热、电输运性质研究

报道了两种新型超导体MgB2,MgCNi3和氧化物高温超导体Bi2Sr2Ca0.9Ce0.1Cu2O8+y的热导率-温度关系和电阻率-温度关系.实验发现氧化物高温超导体在进入超导态后热导有所上升,出现极大值后再下降,而MgB2和MgCNi3则单调下降.由Wiedemann-Franz定律分别计算了它们在正常态的电子热导和声子热导.由于共有化电子的非局域性,在MgB2和MgCNi3中电子热导的贡献占据相当大的成分.对电子热导的分析结果表明,在MgB2和MgCNi3的电子热导中静态缺陷对电子的散射占主导地位.     

MgB2颗粒超导体Ⅰ～Ⅴ特性曲线的回滞现象

本文研究了MgB2颗粒超导体电流-电压(Ⅰ～Ⅴ)特性曲线上的回滞现象并用电阻分路结(RSJ)模型进行了初步解释.实验结果表明,这种材料的Ⅰ～Ⅴ特性及其回滞现象与超导欠阻尼结相似.在10 K、扫描最大电流30 mA、电流步径0.1mA的条件下所获得的Ⅰ～Ⅴ特性曲线表明:材料的回滞参数βc≈2.34,能隙为2.29 meV,这一数值与MgB2超导体π能带上的能隙值～2 meV吻合.随着测量温度的升高,Ⅰ～Ⅴ曲线回滞的形状及临界电流Ⅰco的位置会发生变化,Ⅰco在逐渐减小.当温度高于12 K时实验检测到Ⅰ～Ⅴ曲线上存在小突起,这一奇特现象有待于进一步的研究.