曲线摩擦TNLCD显示特性的模拟计算

本文提出了一种新的TN型液晶器件扩大视角的方法，即对玻璃基要反上的取向层沿一特定的曲线摩擦，以这样的基板构造液晶屏。我们称这种方法为CR－TNLCD（Curvatur e Rubbing TN-LCD）。本文用模拟计算的方法，研究了CR－TNLCD的显示特性和视角特性，结果表明，CR－TNLCD的电光特性与普通的TNLCD 相似，而视角和灰度显示能力有明显改善。     

TNLCD器件参数对视角特性的影响

本文应用光学模拟软件LCDOS．研究了TN（扭典向列相)器件的视角特性，讨论了液晶盒结构参数、液晶材料特性参教等对TN器件视角特性的影响，提出了改善视角特性的方法。     

TN—LCD用聚酰亚胺取向排列剂

用溶液缩聚－热酰亚胺化法和溶液缩聚－化学酰亚胺化法合成了一系列芳香族聚酰亚胺，研究了它们的液晶取向特性、储存稳定性、耐热性、 透明性和粘接性等与分子结构之间的关系，并考查了制备方法对液晶取向性、透明性和粘接性能的影响。和到了若干种液晶预倾角适中、储存稳定性优异、透明性好和耐热的TN－LCD用取向排列剂。     

基于暗I-V特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究

暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据.     

无序的平行型ECB—LCD的研究

为了改善常规的ECBLCD的显示品质，采用不摩 擦技术制备了无序的平行ECB液晶盒，并研究了盒中液晶的微观织构，分析了它的电光特性和视角特性。无序的平行 ECB液晶盒是多畴的并且 具有不能被人的肉眼所识别的的微观向错的结构，并具有分色性好、视角的整个平面内方位对称等特性。为了克服实际驱动时产生的宏观向错，制备了聚合物稳定 的无序的平行ECB器件，其聚合物形成的网络限定了向错的界限，有效地防止了宏观向错的形成。     

非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗I～V特性的影响

利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗I～V特性的影响.结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗I～V特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗I～V特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗I～V特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×1017时,暗I～V特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×1017时,暗I～V特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小.此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制.     

直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.     

一种新的研究液晶指向矢截面的光波导方法

液晶作为一种最有前途的平板显示材料，其分子在液晶盒内的排列特性对显示器件的设计及制作无疑是极为重要的。本文提出了一种新的研究分子排列特性的光波导方法－－全反射光波导方法。将这种新方法与半泄漏波导方法进行了比较。通过计算机模式，发现新方法对液晶指向矢 的扭曲角、倾斜角及一些局域的变层更为敏感，非常适用于分析指向矢排列比较复杂的液晶盒样品。本文介绍了全反射光波导方法的基本原理、实验方法及其在研究液晶的排列特性的应用。     

热处理蓝宝石基片对Tl-2212超导薄膜的影响

本文研究了蓝宝石基片的热处理对Tl-2212薄膜的结晶质量、表面形貌及其超导特性的影响.SEM和XRD研究表明,在经过最佳条件(1000 ℃×20 h)退火后的基片上,可以制作出具有致密的晶体结构、高度c轴取向的外延Tl-2212超导薄膜,其薄膜具有优良的电学性能.     

引上法晶体生长的温度时间特性

采用同－装置生长钇铝石榴石和不同掺质的钇铝石榴石晶体：ＹＡＧ、Ｔｍ：ＹＡＧ、ＮＤ：ＹＡＧ、（Ｃｅ，Ｎｄ）：ＹＡＧ、（Ｃｒ，Ｔｍ）ＹＡＧ：和（Ｃｒ、Ｔｍ、Ｈｏ）：ＹＡＧ，，晶体生长的温度时间特性曲线不同。特性曲线先是温度随时间上升，然后下降。以上棕顺序特性曲线上升的时间逐渐变短。生长晶体表面热辐射和与对流气体的热交换增加了热损失，是造成升温生长的因素；生长晶体盖在熔体表面减少了熔体的热损失，是造成降     

激光正反射法测定硒镓银晶体的取向

本文提供一种测定硒镓银晶体取向的方法。它是基于用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＡｇＧａＳｅ２晶体表面气泡内的显露面对激光的反射来测量其取向。实验发现，这些显露面均属于｛１１２｝单形，而法形共有四个方向。因此，可以很方便地确定ｃ轴。     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

硅多晶质量检测分析中的磷检电阻率曲线研究

本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证.采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式描述的规律,可作为理论特性曲线使用.     

Nd^3^＋：La2Be2O5激光晶体的研究

掺钕铍酸镧－Ｎｄ＾３＾＋：Ｌａ２Ｂｅ２Ｏ５（Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ）激光晶体为单斜晶系，其荧光谱具有线性偏振特性。本文用提拉法生长了Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ单晶，并对晶体结构进行了分析，对其光谱特性（吸收，偏振荧光谱，低温谱及荧光寿命等）和激光二极管（ＬＤ）泵浦的激光特性进行了研究，并和Ｎｄ：ＹＡＧ晶体进行了比较。     

化学抛光和退火对钛酸锶基片表面改性研究

本文运用原子力显微镜检测传统机械抛光和化学机械抛光以及退火前后的钛酸锶(STO)衬底表面,研究了化学机械抛光和退火对钛酸锶(STO)基片表面形貌的影响,结果表明化学抛光可以使表面粗糙度达到0.214 nm,明显优于机械抛光.对比测量退火前后钛酸锶(STO)基片的双晶摇摆曲线,表明退火可以明显改善晶体质量,有利于实现超光滑STO基片的加工.     

高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构

我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC出现两相共存或三相共存现象.在单相、两相或三相共存区,X射线摇摆曲线具有明显不同的特征.根据多型结构,可以对摇摆曲线中的衍射峰进行鉴定.     

一种腔室可调的Helmholtz型声子晶体的带隙研究

本文针对低频噪声的控制问题，设计了一种腔体结构可调的Helmholtz型声子晶体，该结构内腔由一活动伸缩螺杆连接的隔板分为上下两腔，并采用弓字形开口通道设计。采用有限元法对该结构的带隙特性与隔声特性进行了分析，并通过“声力类比”的方法构建了该结构在带隙起始频率与截止频率处的等效模型。研究表明，该结构在500 Hz以下频段内具有6条带隙，最低带隙频率可达31.34 Hz,且在每条带隙频段内都表现出了良好的隔声性能，最大隔声量可达111.95 dB。最后，通过调整伸缩螺杆，改变腔体结构布局，可将多条共振带隙相连，不仅可以构成一个较宽的带隙，而且可以达到调节隔声频段的目的。该设计为改善Helmholtz型声子晶体的隔声性能提供了新的设计思路。     

单壁碳纳米管储氢中管外H2势能的拟合函数

H2分子与管的作用势能曲线是碳纳米管储氢模拟研究中的一项重点内容,建立势能曲线相应的函数表达式更具有理论价值和实际意义.本文从Lennard-Jones势出发,建立了H2分子与C原子之间的作用势能模型,借助于分子动力学(MD)方法,模拟计算了H2分子与管的作用势能曲线.通过对管外H2分子势能曲线的拟合,找到了最佳参数,建立了管外统一形式的势能数学表达式,为碳纳米管的储氢研究提供了相应的理论依据.     

绒面结构ZnO薄膜及其表面处理

本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术.研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大.适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池.     

PDLC的电光特性及其显示特性改善的实验研究

本文在综述聚合物分散液晶（PDLC）显示特性的基础上，研究了外界条件（如温度、 紫外光强等）对液晶和预聚物混合的相分离结构，以及相分离结构对PDLC电光特性的影响。从能导致P DLC的慢响应、光透过率迟滞现象的机理出发，通过实验的方法使这一特性得到了改善。