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PZT薄膜电滞回线测试的数值补偿研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过Sawyer-Tower测试电路研究了铁电薄膜的电滞回线,发现薄膜漏电阻以及示波器输入电阻和电容的影响可能会使所测量的电滞回线发生形状扭曲或者使测量结果出现较大偏差,通过数值补偿方法重建了电荷平衡方程,并编制了相应的软件补偿程序。通过对溶胶-凝胶制备的PZT铁电薄膜的电滞回线测试表明,运用该数值补偿方法可以有效补偿薄膜漏电阻以及示波器输入电阻和电容对测试结果的影响,满足PZT铁电薄膜制备技术以及微机电系统中器件设计对薄膜性能测试的要求。 相似文献
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 总被引:7,自引:1,他引:7
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 相似文献
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采用与时间有关的Ginzburg-Landau方程,在考虑表面效应的条件下研究了晶格失配应变对外延铁电薄膜铁电性能的影响,通过外推长度考虑表面效应。获得了不同应变情况下的铁电薄膜电滞回线及蝶形应变迟滞回线。结果表明,剩余极化强度和矫顽场与压应变和张应变密切相关,其值强烈依赖于晶格失配应变。 相似文献
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RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm2、13μC/cm2。 相似文献
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Si基Bi4Ti3O12薄膜电滞回线及铁电性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)法直接在p—Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/Bi4Ti3O12/p—si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。 相似文献
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研制实弹打靶射击训练器并装备到连队,对于减少国防开支,提高军事训练水平,实现国防现代化,军事训练智能化等均具有重要的现实意义。在实弹打靶机的结构基础上,参照国内外设计方法和部队的实际需要,完成了整个系统的硬件设计及软件开发,将射击距离延长,改变了结构和功能,较好地实现了靶机与枪体部分的分离。设计了一套可独立使用的实弹发射系统和接收靶系统。 相似文献
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现代雷达技术的发展越来越倚重于信号处理,针对雷达信号处理要求的数据量大、实时性高的特点,提出了一种基于双FPGA和DSP的高速数据采集处理系统设计方案,FPGA采用XC2V1000-4FG456芯片,DSP选用ADSP-TS101芯片,并对信号处理板的主芯片和辅助外围电路进行了说明。该系统运算能力强,且具有较强的通用性。 相似文献
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研制了一种单片机控制的LD特性测试系统.该系统包括1台便携式LD特性测试仪和1套测试软件.测试系统可以运行在4种测试模式下:自动电流控制模式(ACC)、自动功率控制模式(APC)、自动电压控制模式(AVC)和自动背光电流控制模式(AMC);LD驱动电流可实现0~2 A连续可调.测试系统同时对温控实现精确的控制,采用软件方法实现Fuzzy PID调节,并结合积分分离思想,使温度控制快速而有效;采取了软启动控制、断路开关及限流保护的措施,有效地保证了LD的安全.实验表明:测试系统具有智能化程度高、硬件结构简单和使用方便等优点. 相似文献