CdS在室温热光非线性状态下的动态光谱研究

提供了一种研究半导体在光学非性状态下的动态光谱方法.将此方法应用到半导体CdS上,观察到在热光非线性状态下,其透过光谱(在吸收带边缘附近)随时间的变化(在ms数量级上).计算机模拟结果与实验相符,并得出了在CdS上获得室温光学双稳态的条件.     

CdS半导体超微粒子的光学性质

本文研究了水溶胶中的CdS半导体超微粒子和有机溶胶中的粒子表面被有机分子化学修饰的CdS超微粒子的光学性质.我们观察到,当粒子尺寸小于5nm时,CdS超微粒子表现出明显的尺寸量子化效应,并指出CdS超微粒子的表面修饰,增强了它们的发光强度,显著地影响了它们的光学性质。     

催化剂对热蒸发法生长SnO2纳米晶体质量的影响及其发光光谱研究

用热蒸发法制备了SnO2纳米结构,并用光致发光方法研究了其光谱特性.发现有催化剂条件下制备的SnO2纳米带的发光主峰为3.68 eV,正对应SnO2纳米晶体的带隙能量;而无催化条件下制备的SnO2纳米晶体的发光则以氧空位、悬键和表面态发光为主.并且前者的发光效率比后者提高近两个数量级,这些实验结果说明在有催化条件下制备了高质量的SnO2纳米带.另外,对其发光光谱进行了Gauss拟合,从拟合结果发现了(101)和(101)T孪生晶面的表面态的发光峰.     

CdS半导体超微粒样品光谱性质的研究

纳米尺度的半导体超微粒在线性和非线性光学方面表现出来的奇特性质使其成为研究和开发新的功能材料的热点。成键为 S、P轨道的 - 族金属硫化物半导体 ,电子结构和晶体结构均较为简单 ,结晶性能好 -界面无序结构少 ,在纳米尺度上其结构仍与体相材料近似 ,因此 ,成为研究量子尺寸效应的理想材料。本文对采用化学微乳液法合成的 Cd S半导体超微粒的光谱性质进行了研究 ,实验结果显示 ,Cd S超微粒样品的吸收光谱的带边与体相相比发生了蓝移 ;从吸收光谱中可以看到 ,Cd S超微粒样品的吸收边随粒径减少而向短波方向移动。拉曼光谱的电子—— L O声子耦合在粒子尺寸 2 .4- 2 .9nm范围内与粒子尺寸无关     

闪烁晶体光谱特性多参数综合测试技术研究

针对山西长城微光器材股份有限公司新型闪烁晶体材料的研制需求,研究了一种针对某闪烁晶体受X射线激发后光谱响应的多参数综合光电检测系统。通过系统的光谱输出接口直接测试闪烁晶体的射线转换光谱,通过电压输出接口测试PIN光敏二极管输出的光伏电压,进而采用等效电路法计算闪烁晶体的荧光逸出功率。测试结果表明,荧光逸出效率随X射线管电流的增大而减小。本研究对其他闪烁晶体光谱特性的测试具有借鉴价值。     

稀土三氟醋酸盐晶体的光谱特性

本文合成了系列稀土三氟醋酸盐晶体[Re(CF3COO)3·3H2O](Re=Eu,Gd,Tb,Dy)和[TbxY1-x(CF3COO)3·3H2O]2(x=0.05,0.10,0.15,0.20,0.25mol),测定其晶体结构属单斜晶系,空间群为P21/c;较详细地讨论了Eu3+,Gd3+,Tb3+,Dy3+在这些化学计量化合物中的光谱特性,以及在[TbxY1-x(CF5COO)3·3H2O]中Tb3+的发光强度随其浓度的变化规律。     

催化剂对热蒸发法生长SnO2纳米晶体质量的影响及其发光光谱研究

用热蒸发法制备了SnO₂纳米结构，并用光致发光方法研究了其光谱特性.发现有催化剂条件下制备的SnO₂纳米带的发光主峰为3.68 eV, 正对应SnO₂纳米晶体的带隙能量; 而无催化条件下制备的SnO₂纳米晶体的发光则以氧空位、悬键和表面态发光为主.并且前者的发光效率比后者提高近两个数量级，这些实验结果说明在有催化条件下制备了高质量的SnO₂纳米带.另外,对其发光光谱进行了Gauss拟合, 从拟合结果发现了(101)和(101)_T孪生晶面的表面态的发光峰. 关键词： 光致发光光谱 半导体纳米晶体 催化剂 2')" href="#">SnO₂     

“反胶团法”合成的CdS半导体纳米粒子的光谱性质研究

反相胶束是指由介于油和水界面的表面活性剂分子, 稳定、且均匀分散于连续油介质中的微液滴。它可以作为“微反应器”合成性能优良的CdS粒子。文章研究了反相胶束的W值(W=[水]/[表面活性剂])、[Cd2+]与[S2-]的比例和Cd2+和S2- 离子的起始浓度对CdS纳米粒子发光特性均有明显影响。回流处理可以对CdS纳米粒子的表面进行修饰,可以使CdS粒子的缺陷发光减弱并消失而显著增强激子发射,同时可增大粒径使激子发射峰位红移,体现了明显的量子限域效应; 所得材料的室温最大荧光量子效率高达11%。     

玻璃中CdSSe纳米晶体的光谱性能

对掺有镉、硒、硫的玻璃在650—800℃退火4?h，生长了不同尺寸的CdS0.13Se0.87纳米晶体，测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光（PL）谱和电调制光谱，确定了纳米晶体部分电子态的能量，讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之间的依赖关系.随着纳米晶体尺寸的增大，对应激子的吸收峰、PL峰及电吸收信号发生红移，表现出明显的量子尺寸效应.小尺寸纳米晶体的电吸收表现为量子受限的Stark效应，而大尺寸纳米晶体的电吸收线形与体材料的相似；随着纳米晶体尺寸的增大，电吸收信号增强.所有尺寸的纳米晶体都表现 关键词： CdSSe纳米晶体 吸收光谱 光致发光谱 电光响应     

不同激发密度下CdS晶体的光致发光和受激发射

本文主要研究在77-111K温度范围内、不同激发密度的N2激光器的337.1nm谱线激发下,激子-激子(Ex-Ex)、激子-载流子(Ex-e)的相互作用和发射一个LO声子(Ex-1LO)、两个LO声子(Ex-2LO)的自由激子的辐射复合行为.并在77K温度下观测到由Ex-Ex发射产生的受激发射.     

掺杂纳米半导体超微粒ZnS:Mn2+光学特性研究

九十年代对纳米尺寸(nanoscale)材料的光物理性质的深入研究,导致了介于微观与宏观物理间的新的学科一介观物理(mesoscopic physics)的产生.其科学义在于建立和发展介于原子分子和固体之间所谓介观系统(mesoscopic system)的量子理论,揭示介观物质特性及其相互作用本质,并利用介观特性探索新型结构和功能材料.以往对纳米半导体超微粒材料的研究主要集中于与本征特性相关的量子尺寸效应,或缺陷对超微粒本征特性的影响[1,2].超微粒中过渡金属离子中心发光性质研究首次报道于1993年[3,4]并指出这可能成为崭新的一类发光材料.     

高密度激发下CdS单晶的自由激子发光

本文首次在77K温度的电致发光光谱上,观测到了自由激子和自由激子(Ex-Ex)散射的发射带P。根据半经典理论,得到CdS单晶在高激发密度下的激子有效温度高于晶格温度。并且在77K温度下,通过氮分子激光器3371Å谱线的激发,观察到了Ex-Ex散射的P带的受激发射现象。     

MBE生长的掺Be p-GaAs的光荧光谱

本文报道利用国产分子束外延(MBE)设备和Be元素生长的p-GaAs的低温光荧光谱,观察到FE,(D°,X),(A°,X),(D+,X)等束缚激子发光,判断外延层有较好的质量。在1.503～1.515eV之间观察8条与缺陷有关的(d,x)发光线。仔细分析了与Be,Ge受主有关的(BA)和(DA)发光现象。     

强辐射激发下CdS晶体的光电导特性

在室温下,CdS晶体具有强烈的非线性光吸收效应.我们测量了高激发下CdS晶体的电导性质,并用电子-激子散射模型进行了数值分析.数值计算结果和测景值能够很好地符合,从而进一步证明了CdS晶体的非线性吸收是由于晶体内电子-激子散射造成的.     

用溶胶-凝胶法掺杂的C60光荧光的温度行为

在甲苯溶液和薄膜材料中C60的光荧光研究已有许多报导,但对用溶胶-凝胶方法掺杂的C60的发光的温度行为研究尚未见报道。中子衍射研究表明,在不同温度下C60有不同的结构:温度高于260K以上,C60的结晶结构是面心立方,并且分子总是在自由旋转。C60分子间的相互作用很弱,由范德瓦尔斯力键合。它们之间不会有能量的转移,因而固态的C60发光基本上是单个分子发光;温度低于260K,是简立方结构,在一个原胞中有四个分子。由于绕<111>方向上的98°的旋转而导致取向的不均匀性。经过一较长滞留时间后,在这个方向上的一个非常快的60°跳跃,又形成一新的取向。低于90K时,C60分子开始冻结在简立方晶格上。可见,C60的结构对温度有相当显著的依赖关系。研究C60的光致发光的温度行为是有意义的。     

高质量氮化镓材料的光致发光研究

利用氨气源分子束外延（GSMBE）技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。     

SELF-ASSEMBLY AND POLARIZABILITY OF CAPPED CdS NANOCRYSTALS ON SILICON SURFACES

The zinc-blende CdS nanocrystals with particle size less than 10nm were prepared in solution with a molecular surfactant. The particle surface was modified with capping molecules, bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate disodium salt (AOT) or hexametaphosphate (HMP). The colloid solution was deposited on silicon wafer and the assembly of these nanocrystals was studied by atomic force microscopy. It was found that the CdS/AOT formed a monolayer by simply dropping the colloid solution on silicon surface, while CdS/HMP exhibited 3D structure with prefered orientation in the similar deposition process. A dynamic electric force microscopy was performed and the polarizability was measured from the resonance of cantilever under applied alternating voltage between tip and substrate. The dielectric constant of CdS nanocrystal was estimated by comparing the different electric capacitance of Au and CdS nanocrystals.     

CdS单晶中的绿色电致发光和光致发光

在50-290K温度范围内,研究了在正向电压激发下,用高纯CdS单晶制备的MIS发光二极管的电致发光光谱。在室温时,发射光谱分别由峰值为5135±25Å和5300±15Å的二个绿色谱带所组成,而在低温下,观测到有很多结构的光谱。在50K时,自由和束缚激子的发射实际上占有统治地位。文中提出,在室温时,谱峰为5135±25Å的谱带是与受导带自由电子散射的自由激子的发射有关;而谱峰为5300±15Å的谱带归结为与同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射有关。比较了刚生长的高阻CdS单晶以及在熔融镉中热处理的低阻CdS单晶的光致发光光谱。在熔融镉中的热处理抑制了自由到束缚(HES)和束缚到束缚(LES)的边缘发射,也抑制了I2束缚激子谱线,但是增强了自由激子的发射,在电场激发下,也使自由激子的发射增强。     

CdS0.1Se0.9纳米晶体共振电光效应

采用电吸收谱(EA)的方法研究了在电场作用下,CdS_0.1Se_0.9纳米晶体光学性质的变化.分析了电场效应的物理机制,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动.第一激发态对外加电场敏感,而其它激发态不敏感.从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应,具有三阶非线性极化率 χ⁽³⁾.