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相似文献
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1.
本文研究了Lisicon(锗酸锌锂)单晶的Li~ 离子电导率。发现各结晶学方向电导率之间的关系为σ_b≤σ_a≤σ_c≤σ_[110],但各向异性不强。晶体中Li含量对电导率有明显的影响,当Li/Zn比率由6.7变到9.2时,300℃a方向电导率由4.3×IO~(-2)Q~(-1)·cm~(-1)增加到1.25×10~(-1)Q~(-1)·cm~(-1),logσT对1/T的曲线显示出三个转变点,分别在~80℃,~140℃和~300℃。电导的激活能分别为0.50—0.58eV(25—80℃),0.92eV(~80—140℃),0.64eV(~140—300℃)和0.36eV(>300℃),极化实验表明单晶的电子电导可以忽略。  相似文献   

2.
采用密度泛函方法(B3P86)对 Fe_2分子结构进行了优化.计算结果中未观察到自旋污染,基态波函数与高态波函数并未混杂,结果表明,Fe_2中有8个未配对电子,这些电子空间分布不同和自旋平行产生的自旋极化效应,使 Fe_2能量最低.计算结果表明,Fe_2分子的基态是~9∑_g~ ,并非~7Δ_u,进而表明 Fe_2的自旋平行效应比电子自旋配对效应要强.计算得到该分子基态的二阶、三阶和四阶力常数分别为1.4115×10~(-2)aJ/nm~2、-37.1751×10~3aJ/nm~3和 98.7596×10~4aJ/nm~4;光谱数据ω_eχ_e、B_e、α_e分别为0.3522、0.0345、 0.4963×10~(-4)cm~(-1);离解能为3.5522eV,平衡键长为0.2137nm,振动频率为292.914cm~(-1);并得到了 Murrel-Sorbie 函数.  相似文献   

3.
用Judd-Ofelt理论计算YAG:Er~(3 )晶体中Er~(3 )的光谱参数   总被引:7,自引:0,他引:7  
本工作根据Jndd-Ofelt理论,利用28个吸收光谱支项,19组方程计算了实验与理论振子强度,均方根偏差仅为1.9×10~(-7).用最小二乘法拟合实验与理论振子强度所得到的三个Ω_λ唯像强度参数为:Ω_2-0.19×10~(20)cm~2;Ω_4=1.68×10~(-20)cm~2;Ω_6=0.62×10~(-2)cm~2.然后,计算了自发辐射电偶和磁偶跃迁几率,辐射寿命,荧光分支比与各激发态的辐射电偶和磁偶振子强度.并示出了0.3~0.2μm波段内的荧光光谱.  相似文献   

4.
氢分子离子与氮分子碰撞过程的实验研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
本文讨论了用离子存储技术研究低能(eV量级)氢分子离子与氮分子碰撞的过程.得到质子交换率常数K_(pt)=5.23×10~(-9)cm~3/sec和电荷交换率常数k_(ct)=0.45×10~(-9)cm~3/sec  相似文献   

5.
将林绍基磁探针原理推广到用于拉莫频率不能忽略的情形。用了两个不同磁强的探针同时使用于激波管中,测量了离子化气体中的电子碰撞频率。对实验结果的分析得出,在5000K时电子碰撞截面为Q_(N2)=1.9×10~(-15)cm~2,Q_O=4×10~(-16)cm~2,Q_N=4×10~(-16)cm~2。本实验定出的氮原子对慢电子的散射截面数据与(艹勾)清泉等人的理论计算结果比较一致。  相似文献   

6.
在非局域热动力学平衡(Non-LTE)下,采用类氢近似,计算得出电子密度分别为6.0×10~(20) cm~(-3)、1.4×10~(21) cm~(-3)、1.0×10~(22) cm~(-3)和1.7×10~(22) cm~(-3)的条件下的三体复合、辐射复合、双电子复合系数随电子温度的变化,得出总的复合系数随电子温度的变化关系;结合相关的电离系数得出相应的离子占有数的比,最后,计算出一定电子密度和温度条件下Au~(48+)~Au~(52+)离子的离子丰度,从而得到金等离子体的荷态分配数与电子温度和电子密度的关系.  相似文献   

7.
本文基于第一性原理计算,预测了二维SnP_3层作为新型半导体材料,具有0.71 eV(单层)和1.03 eV(双层)的间接带隙,这与体结构的金属特性不同.值得注意的是,2D SnP_3具有9.171×10~4 cm~2·V~(-1)·s~(-1)的高空穴迁移率和对于整个可见光谱的高光吸收(~10~6 cm~(-1)),这预示2D SnP3层有望成为纳米电子学和光电子学的候选材料.有趣的是,本文发现2D SnP_3双层具有与硅类似的电子和光学特性.考虑到硅基微电子和光伏技术的巨大成功,本文的研究结果将有助于纳米领域的相关研究.  相似文献   

8.
测量了激光加热块状银靶产生的等离子体XUV光谱.计算了T_e分别为65eV,86eV和130eV时,AgXIX4s-4P,4P-4d,4d-4f7条谱线在不同电子密度时的强度.根据AgXIX4d~2D_(s/2~-)4f~2F_(r/2)和4P~2P_(3/2)-4d~2D_(s/2)两条谱线的强度比,推导了激光银等离子体电子密度.当入射激光功率密度W为6×10~(12)W/cm~2时,银等离子体电子密度N_e=1×10~(20)/cm~3. 关键词:  相似文献   

9.
1982年,作者在悉尼大学对能量为6×10~(14)~5×10~(16)eV的高能宇宙线的能谱进行了实验研究。实验采用了快速、高效率的电子仪器,并用电子计算机进行控制,实现了高度自动化,研究结果表明,初级宇宙线的积分能谱可表示为I=K·(E/(E_0))~(-γ),式中γ的数值在能量E为3×10~(15)eV附近由1.15±0.04改变为1.91±0.08。  相似文献   

10.
The interfacial and electrical properties of high-k LaTaON gate dielectric Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)capacitors with different tantalum(Ta) contents are investigated. Experimental results show that the Ge MOS capacitors with a Ta content of ~30% exhibit the best interfacial and electrical properties, including low interfacestate density(7.6 × 10~(11) cm~(-2) eV~(-1)), small gate-leakage current(8.32 × 10~(-5) A/cm~2) and large equivalent permittivity(22.46). The x-ray photoelectron spectroscopy results confirm that the least GeO_x is formed at the Ge surface for the sample with a Ta content of ~30% due to the effective blocking role of Ta against O diffusion and the greatly improved hygroscopicity of LaON.  相似文献   

11.
本文研究了Li_(1+x)Ge_(2-x)Al_xP_3O_(12)系统的相组成和电导的关系。发现用LiGe_2P_3O_(12)作为基体化合物,通过离子置换可以得到好的锂离子导体。用Al~(3+)置换LiGe_2P_3O_(12)中的Ge~(4+),在00.6时出现未知相,用少量Al~(3+)取代Ge~(4+)后电导率即突增,在固溶体范围内电导率随x值的增大而继续升高。x=0.5时达极大值。Li_(1.5)Ge_(1.5)Al_(0.5)P_3O_(12)在室温、300℃和450℃的电导率分别为3.5×10~(+5),1×10~(-2)和3.1×10~(-2)S cm~(-1),电导活化能为0.33eV,电子迁移数在10~(-5)数量级。  相似文献   

12.
采用MOS方法,在液相外延生长的n型In0.75Ga0.25As0.58P0.42混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10-16cm2和3.8×10-12cm2。关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。 关键词:  相似文献   

13.
Near-interface oxide traps(NIOTs)in 4H–Si C metal–oxide–semiconductor(MOS)structures fabricated with and without annealing in NO are systematically investigated in this paper.The properties of NIOTs in Si C MOS structures prepared with and without annealing in NO are studied and compared in detail.Two main categories of the NIOTs,the"slow"and"fast"NIOTs,are revealed and extracted.The densities of the"fast"NIOTs are determined to be 0.76×10~(11)cm~(-2)and0.47×10~(11)cm~(-2)for the N_2 post oxidation annealing(POA)sample and NO POA sample,respectively.The densities of"slow"NIOTs are 0.79×10~(11)cm~(-2)and 9.44×10~(11)cm~(-2)for the NO POA sample and N_2POA sample,respectively.It is found that the NO POA process only can significantly reduce"slow"NIOTs.However,it has a little effect on"fast"NIOTs.The negative and positive constant voltage stresses(CVS)reveal that electrons captured by those"slow"NIOTs and bulk oxide traps(BOTs)are hardly emitted by the constant voltage stress.  相似文献   

14.
制备了4.2K下电子迁移率达1~2×10~4cm~2/v·sec的MOS反型层,在强磁场下观察到二维电子系统的一系列典型物理现象:SdH振荡及量子霍尔效应.  相似文献   

15.
蔡昕旸  王新伟  张玉苹  王登魁  方铉  房丹  王晓华  魏志鹏 《物理学报》2018,67(18):180201-180201
本文采用直流磁控溅射方法在普通浮法玻璃基底上制备了立方多晶铁锰矿结构的铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)薄膜,并对其进行了结晶性、表面粗糙度、紫外-可见吸收光谱、折射率、介电常数及霍尔效应的测试.研究了溅射时基底温度的改变对于ITO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响.随着基底温度由100?C升高至500?C,其光学带隙(3.64—3.97eV)展宽,减少了电子带间跃迁的概率,有效降低了ITO薄膜的光学损耗.与此同时,对应ITO薄膜的载流子浓度(4.1×10~(20)-—2.48×10~(21)cm~(-3))与迁移率(24.6—32.2 cm~2·V~(-1)·s~(-1))得到提高,电学损耗明显降低.  相似文献   

16.
脉冲送气等离子体枪的实验   总被引:5,自引:0,他引:5  
用双探针和光谱方法测量了脉冲送气同轴等离子体枪产生的高速等离子体的性质。同轴枪的储能电容器的充电电压1.5—4.0kV,等离子体的电子温度为10—20eV,定向能量为40—310eV,等离子体密度为5×10~(13)—7×10~(14)cm~(-3)。  相似文献   

17.
黄杰  杨林  陈磊  吴先映 《光学学报》2019,39(5):173-178
介绍了激光干涉技术用于诊断等离子体的基本原理、实验装置及图像处理方法等,通过Mach-Zehnder激光干涉仪诊断了空气开关等离子体。结果表明,该实验装置能够获得高质量的干涉图。通过对干涉图的数值处理,重建了等离子体电子密度的三维分布。空气开关放电后75ns时刻,等离子体的平均电子密度为2×10~(18) cm~(-3),电子温度为0.11eV,等离子体半径为1.1mm,扩散速度为1.4×10~4 m/s。  相似文献   

18.
We show the structural and optical properties of non-polar a-plane Ga N epitaxial films modified by Si ion implantation.Upon gradually raising Si fluences from 5×10~(13)cm~(-2)to 5×10~(15)cm~(-2),the n-type dopant concentration gradually increases from 4.6×10~(18)cm~(-2)to 4.5×10~(20)cm~(-2),while the generated vacancy density accordingly raises from3.7×10~(13)cm~(-2)to 3.8×10~(15)cm~(-2).Moreover,despite that the implantation enhances structural disorder,the epitaxial structure of the implanted region is still well preserved which is confirmed by Rutherford backscattering channeling spectrometry measurements.The monotonical uniaxial lattice expansion along the a direction (out-of-plane direction) is observed as a function of fluences till 1×10~(15)cm~(-2),which ceases at the overdose of 5×10~(15)cm~(-2)due to the partial amorphization in the surface region.Upon raising irradiation dose,a yellow emission in the as-grown sample is gradually quenched,probably due to the irradiation-induced generation of non-radiative recombination centers.  相似文献   

19.
The ZrTiON gate-dielectric GaAs metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors with or without ZrAlON as the inter facial passivation layer(IPL) are fabricated and their properties are investigated. The experimental results show that the GaAs MOS capacitor with the ZrAlON IPL exhibits better interfacial and electrical properties,including lower interface-state density(1.14×10~(12) cm~(-2)eV~(-1)), smaller gate leakage current(6.82×10~(-5) A/cm~2 at V_(fb)+1 V), smaller capacitance equivalent thickness(1.5 nm), and larger k value(26). The involved mechanisms lie in the fact that the ZrAlON IPL can effectively block the diffusion of Ti and O towards the GaAs surface, thus suppressing the formation of interfacial Ga-/As-oxides and As-As dimers, which leads to improved interfacial and electrical properties for the devices.  相似文献   

20.
本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(Ⅲ)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(Ⅲ)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(Ⅲ)是一种弱整流结构。导带失配△E_c=0.10eV,界面电荷密度σ_i=8.8×10~(10)cm~(-2)。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性。  相似文献   

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