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采用板-板电极, 在放电间隙距离为2 mm、放电电流峰值为22 kA条件下, 对黄铜、钨铜电极的烧蚀特性进行了对比研究。利用高精度天平测量放电过程中的电极质量损失, 分别获取了阴极、阳极及总的平均烧蚀速率。通过放电后电极表面微观形貌、微观元素组成的分析及液体中金属离子的含量分析, 对水中脉冲放电金属电极的烧蚀机理进行了探讨。结果表明, 水中脉冲放电时, 钨铜电极的抗烧蚀性能明显高于黄铜电极。黄铜电极的主要烧蚀是以中心的大量孔洞及其边缘的波纹结构为表现形式的液体金属的溅射;钨铜电极的突出物及较平整的表面暗示了气相侵蚀的作用。以电弧的焦耳热效应为催化剂, 钨铜与水的电化学反应更为强烈, 因此电化学腐蚀是水中放电电极烧蚀的形式之一。 相似文献
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激光烧蚀-快脉冲放电等离子体光谱技术分析土壤中的Sn 总被引:1,自引:0,他引:1
采用一种新发展中的激光烧蚀-快脉冲放电等离子体光谱技术首次检测土壤中Sn元素的浓度.与传统的激光诱导击穿光谱技术相比,采用激光烧蚀-快脉冲放电等离子体光谱技术所产生的Sn(284.0 nm)元素辐射光谱强度有很大提高,并应用该技术获得了土壤中Sn元素的校准曲线,使土壤中Sn元素检测极限降低到0.16 μg·g-1.与各... 相似文献
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采用μs振荡脉冲电源激励同轴电极结构产生空气中介质阻挡放电(DBD),通过电压-电流波形的测量及发光图像拍摄研究了放电特性,计算得到了放电功率及传输电荷量等重要放电参量,研究了电压幅值、气隙距离对放电特性及放电参量的影响,在分析放电机理的基础上对实验结果进行了解释。结果表明:μs振荡脉冲电源激励下,DBD平均放电功率可达上百W,传输电荷量可达几千nC;增大电压幅值和减小放电气隙距离能获得更剧烈的放电,平均放电功率和传输电荷量均增加。 相似文献
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针对水中、空气中脉冲放电条件下金属电极烧蚀速率及烧蚀机理差异,对脉冲大电流作用下水中、空气中钨铜电极的烧蚀特性进行了对比研究。在保证放电电流波形一致性的前提下,通过采用高精度天平测量并获取了水中、空气中钨铜电极的阴、阳极烧蚀速率及总烧蚀速率,并对电极表面进行了二次电子观察和背散射电子观察分析。结果表明,大脉冲电流作用下,水中钨铜电极烧蚀较空气中更为严重,钨铜电极的烧蚀主要是金属蒸发引起的汽相侵蚀。由于水介质较空气具有不可压缩性,水中放电电弧集中,电极表面电弧斑点处电流密度和电流作用时间较空气中更为严重,同时由于水中脉冲放电时发生的高温物理化学反应,是造成水中电极烧蚀要高于空气中的根本原因。 相似文献
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基于密度泛函理论对水环境下布洛芬分子的手性转变机制进行研究。通过寻找水与S和R型布洛芬分子的复合物、水环境下布洛芬分子异构的过渡态及中间体等极值点的结构,绘制了水环境下布洛芬分子手性转变路径的氢转移和中间体异构过程的势能面。结果表明:水环境下布洛芬分子手性转变有两条路径。其氢转移过程均可通过单个和两个水分子作为桥梁实现,最高能垒均来自于手性碳的氢向羰基氧的转移过程,并且都是以2H2O为桥梁时能垒最低。氢在羧基内转移后,手性碳的H再向羰基O转移的能垒为38.25Kcal/mol。手性碳的H先向羰基O转移过程的能垒为40.87Kcal/mol。这都比孤立条件下的能垒73.54 Kcal/mol降低了许多。揭示了水分子在布洛芬分子对映体手性转变过程中的催化作用,说明了布洛芬在体内可以缓慢地实现手性转变的一个原因,同时为进一步实现手性分子的对映体转变调控提供了理论参考。 相似文献
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基于密度泛函理论对水环境下布洛芬分子的手性转变机制进行研究。通过寻找水与S和R型布洛芬分子的复合物、水环境下布洛芬分子异构的过渡态及中间体等极值点的结构,绘制了水环境下布洛芬分子手性转变路径的氢转移和中间体异构过程的势能面。结果表明:水环境下布洛芬分子手性转变有两条路径。其氢转移过程均可通过单个和两个水分子作为桥梁实现,最高能垒均来自于手性碳的氢向羰基氧的转移过程,并且都是以2H2O为桥梁时能垒最低。氢在羧基内转移后,手性碳的H再向羰基O转移的能垒为38.25Kcal/mol。手性碳的H先向羰基O转移过程的能垒为40.87Kcal/mol。这都比孤立条件下的能垒73.54 Kcal/mol降低了许多。揭示了水分子在布洛芬分子对映体手性转变过程中的催化作用,说明了布洛芬在体内可以缓慢地实现手性转变的一个原因,同时为进一步实现手性分子的对映体转变调控提供了理论参考。 相似文献
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以闪光二号加速器为研究平台,实验研究了前沿80 ns和34 ns脉冲电压下的二极管工作稳定性,通过对比实验结果和数值模拟结果,分析了脉冲前沿对二极管启动时间、阴极发射均匀性和阻抗重复性的影响,探讨了脉冲前沿对平面阴极二极管工作状态的影响机制。实验结果表明:脉冲前沿、二极管启动时间增加时,二极管的阻抗重复性降低;平面阴极易于在中心位置形成强区域发射,等离子体覆盖整个阴极发射面的时间随脉冲前沿增大而增加;屏蔽效应对阴极发射的影响随前沿增加而变大,进而导致阴极表面不均匀强点发射,等离子体运动速度增加,阴极有效发射面积减小,在等离子体运动速度和阴极有效发射面积共同作用下,二极管工作稳定性下降。 相似文献