超晶格量子阱中束缚态的能级结构

超晶格是指由两种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜,两种材料的"势垒-势阱"结构就是量子阱.通过使用理想的无限深势阱模型和三角势阱模型,讨论了超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数的表达式.沿超晶格生长方向能量量子化,量子化能量构成了一系列子能带(微带),体系电子态密度与能量无关.     

超晶格量子阱中的量子力学效应

半导体超晶格由于其特殊的结构,产生了许多新的量子现象.以GaAs/AlAs结构为例,运用薛定谔方程,结合边界条件,对量子阱现象进行了浅析,求得阱中的二维电子气在沿材料生长方向上的能级是分立的,即量子阱中由于局域效应存在着一系列的子能级,且从电子的能态密度的定义出发,计算出其二维电子的能态密度与能级无关.     

量子阱超晶格和量子阱线超晶格中的极化激元

量子阱超晶格和方形截面量子阱线超晶格中极化激元的色散关系被详细讨论．在量子阱超晶格和量子阱线超晶格中，我们得到了四支（不是两支）极化激元模．     

简介抛物量子阱

对物理学前沿抛物量子阱做了简单介绍,主要介绍了抛物量子阱的类型和制造以及在器件方面的一些简单应用．     

超晶格量子阱研究的回顾与展望

半导体超晶格物理是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿领域之一．它的确立、研究与发展,不仅对现代电子信息科技,而且对小尺寸效应、新型材料科学和纳米技术等的发展都产生了革命性的影响．对半导体超晶格物理的历史、现状以及未来走向做一简单的回顾与展望,对于把握凝聚态物理,特别是半导体物理在21世纪的发展趋势具有重要意义．     

超晶格和多量子阱属性的一个数值验证

由电子在一维三势阱、三势垒体系中能量状态的数值结果，说明了超晶格和多量子阱属性的区别。     

聚集激光束实现ＩnGaAsP超晶格量子阱混合

研究了晶格与ＩｎＰ匹配的ＩｎＧａＡｓＰ超晶格材料的热稳定性，实验结果表明在６００℃以上的热退火下会产生量子阱混合，采用１．０６４μｍ连续输出的Ｎｄ：ＹＡＧ 激光器对超晶格外延片进行了聚集辐照，室温光荧光谱得到了１８４ｍｅＶ的蓝移，说明激光辐照与热退火一样会产生量子阱混合效应，光荧光谱的双峰位表明运用激光处理量子阱外延惩具有一定的空间选择性，衬底预加热和激光束的聚焦可以在不减弱处理效果的情况下有效地     

外加电场下谐振子量子线的电子拉曼散射

文章研究了外加电场下谐振子量子线的电子拉曼散射.利用有效质量近似,以GaAs材料为例,计算了微分散射截面,结果表明,谐振子频率和外加电场的强度对拉曼光谱均有影响.拉曼光谱的峰值随着外加电场强度的增大而增大;在恒定的外加电场下,与电场方向相同的谐振子频率只影响峰值的大小,而与电场方向垂直方向的谐振子频率还对峰值的位置有影...     

带电球带电介质球和带电导体球电场能量比较

依据电场能量密度的定义计算了带电球、带电介质球和带电导体球的电场能量,结果发现三者均不相同.通过分析产生这一差异的原因,揭示出电场能量与电场分布的依赖关系.     

用变分法研究势场V(r)中存在束缚态的条件

用变分法研究中心力场V(r)中存在束缚态的条件,分别对势场V1(r)=-V0a δ(r-a),V2(r)=-V0e-r／a,V3(r)=-V0ae-r／a／r,V4(r)=-V0e-r2／a2, V5(r)=-e2／r, V6(r)=-A／r2进行了研究,得到的结果是：对V1 至V4分别求μV0a2／2>068,084,1,195;对V5,无论e取何值,都存在束缚态;对V6,无论A取何值均不能形成束缚态。对比解定态方程得到的精确条件看出,用变分法得到的是充分条件。     

关于静电场能量的分析

分析了求解静电场能量的三个公式,分析比较了它们之间的关系及其应用,指出公式应用中的注意事项.     

点电流源在双层导电介质中的电势及其应用条件

本文从求解拉普拉斯方程入手,利用极限条件和边界条件推出了半无穷大空间中的双层导电介质在点源电流场中产生的电势分布规律,推出了几种特殊情况下的电势分布规律．导出了点电流源在双层导电介质中产生的电势及电势的条件．     

Built-in electric field influence on impurity-free vacancy disordering of InGaAs/InP quantum well structure

Built-in electric field may enhance or retard the impurity-free vacancy disordering (IFVD) during rapid thermal annealing (RTP) by imposing a drift on charged point defects. Built-in electric field is at the interface between dielectric layer and top layer of the structure. Subsequent rapid thermal annealing leads to different intermixing results due to different field directions on InP cap layers in different doping types. Experimental results also show different influences of the built-in field on the two...     

外电场中等离子体关联动力论的新方法

外电场中的等离子体，特别是非中性等离子体，在实际应用中的得要性日益显著。许多理论处理方法已经建立，本文提出一种新方法，应用范围广泛而且计算程序简单。     

Majorana束缚态对正常金属/三量子点/超导结构输运性质的影响

正常金属/量子点/超导结构可以产生Andreev反射现象,如果在量子点上耦合Majorana束缚态(MBSs),其Andreev反射电导将发生特殊的变化,因而可用于探测MBSs.研究了MBSs对连接在正常金属和超导体之间的线型三量子点输运性质的影响,发现零费米能处的Andreev反射电导在不考虑MBSs之间的耦合时始终等于0.5G₀(G₀=2e²/h),不受量子点能级、量子点间耦合强度、量子点与电极之间耦合强度的影响,具有明显的鲁棒性.