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硫酸溶液中铅阳极膜研究的几个问题(二) 总被引:5,自引:0,他引:5
硫酸溶液中铅阳极膜研究的几个问题(二)①柳厚田*王群洲万咏勤周伟舫(复旦大学化学系,上海200433)蔡文斌(厦门大学化学系,厦门361005)在硫酸溶液中开始生长阳极Pb(Ⅱ)膜后不久,表面即形成PbSO4半透膜,该膜仅H+、OH-和H2O可通过,... 相似文献
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新型锂离子电池阳极材料Li2.7Mg0.3N的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以氮化锂和镁金属为原料,制备了Li2.7Mg0.3N样品,利用XRD、原子吸收、库仑滴定等方法研究了锂离子电池阳极材料Li2.7Mg0.3N的组成、结构及电化学性能。样品Li2.7Mg0.3N经成分分析组成为Li2.74Mg0.26N;其结构为四方晶系,晶胞参数a=0.388nm,c=0.547nm;比容量为1695(mA.h)/g,嵌入量x最大可达2.5276,室温时锂离子嵌入Li2.7Mg0.3N的嵌入自由能为-397.51kJ/mol,锂离子在Li2.7Mg0.3N中的化学扩散系数为5.90×10^-^11~7.23×10^-^10cm^2/s,并得到一系列热力学和动力学参数。 相似文献
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利用线性电位扫描法、交流伏安法、电化学阻抗谱(EIS)及Mott-Schottky方程, 研究了温度对纯铅在4.5 mol/L H2SO4溶液中形成的阳极腐蚀膜电性能的影响. 结果表明: 温度对膜电化学性能具有显著的影响, 随着温度的升高, 膜的电阻增加, 孔隙率增加, 传递电阻减小. EIS结果表明膜的生长遵循固相机理, Mott-Schottky曲线显示腐蚀膜呈现n型半导体特性, 随着溶液温度升高, 膜内的施主密度减小. 相似文献
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用化学方法首次成功地制备出了用于电极活性材料的纳米Ag~2O微粒,并通过TEM,XRD和XPS等测试技术进行了分析表征。同时,对每种方法纳米Ag~2O的生成机理进行了初步的探讨,表明这些方法具有一定的普适意义。 相似文献
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The effects of sq. wave potential on the growth rate of the anodic films on Pb-7 Sb and Pb-5 Sb-0.2 As in 4.5 mol/dm3 H2SO4 at 30?were studied by a cathodic linear potential sweep method. By applying the sq. wave potential with period of 3600 s, the potentials of the lead alloys were cycled between that corresponding to the charged conditions of a Pb-acid battery (3 different charge potentials were studied: 1.4, 1.3 and 1.2 V vs. Hg/Hg2SO4, resp.) and that to the discharged condition (1.0 V). The anodic films contain grains with many voids among them as observed with SEM. The surface layer of the grain is PbO2, however, the major constituent of the grain is probably PbO.PbSO4. The relation between the quantity of electricity used to form PbO.PbSO4 and the no. of charges is linear for a certain no. of charge-discharge cycles. The conductance of the film is mainly due to the high conductivity of the PbO2 boundary layers of the grains, especially when the grains are in close contact with one another under pressure. 相似文献
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我们考察了四(十六烷硫基)四硫富瓦烯/硬脂酸(THT-TTF:SA=1:n)在气-液界面的聚集状态及在LB膜中的排列,当n=1时,THT-TTF分子在气-液界面形成了双分子膜;当n>6时,THT-TTF分子形成了单分子膜;1相似文献
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测取了硫酸浓度为0.5~5.1mol.dm^-^3、扫描速度为1~70mV/s的铅的循环伏安曲线.得到两个PbO~2形成峰I和II,相应地假设为PbO和PbSO~4的氧化.在较低的扫描速度下以及稀硫酸溶液中,峰值电位ψpI与扫描速度S几乎无关,峰值电流ipI近似地与(S)^1/2呈直线关系,并与PbSO~4在硫酸溶液中的溶解度相应,所以过程可能受Pb^2+离子在表面膜孔隙内的扩散所控制.在较高的扫描速度下,δψpi/δlogS=50mV,属于不可逆过程,对于峰II PbSO~4的氧化过程也进行了初步讨论. 相似文献