分子束技术及其应用

介绍了分子束源,对超音速分子束的物理性能进行了描述,在此基础上介绍了分子不技术在气－固界面散动力学、分子反应动力学和分子束与激光相互作用等方面的应用现状及前景。     

几种不同分子速率分布中速率分布宽度与温度的关系

分析了几种速率分布函数中速率分布宽度与温度的关系,并指出温度反映气体分子速率分布宽度这一物理含义具有更普遍的意义.     

化学束外延（CBE）技术

化学束外延是最近几年发展起来的一种新的外延技术．本文在把化学束外延与分子束外延和金属有机物化学气相淀积比较的基础上，介绍了化学束外延的基本原理、生长动力学过程和它的突出优点，同时总结了该技术在半导体材料和光电器件制备方面的应用，最后简要指出了目前它存在的不足之处．     

硅分子束外延及其应用的新进展

以Si为基底的分子束外延是Si能带工程的基础．本文简要地介绍了Si分子束外延的技术以及它在新型器件结构应用方面的一些基本问题和发展现状．     

分子束外延生长GaN薄膜的新方法

GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在国际上受到很大重视.在材料制备方面初步解决了p型掺杂的困难,从而制成了高功率的发光二极管. 目前生长GaN比较成功的方法是使用有机气体氮源的金属有机物化学汽相淀积.但它所生成的是纤锌矿(六角)结构,而且是生长在蓝宝石衬底上.生长温度也高达1000℃.要使得GaN材料有可能实用,需要采用低温生长的分子束外延(MBE)技术,并在GaAs,Si等半导体衬底上生长出闪锌矿(立方)结构的GaN薄膜.这样才有可能最终解决p型…     

分子束反应动态学及分子传能研究

本文扼要介绍了中国科学院大连化学物理研究所分子束反应动态学及分子传能课题组自１９７９年以来研究工作概况，井对 Ｂａ ＋ Ｃｌ２反应产生 ＢａＣｌ２＊的机理、Ｂａ＋Ｎ２Ｏ反应机理、Ｓｎ＋Ｎ２Ｏ反应机理、Ｃ＿２ｄ＿３态在 Ｎａ＋ ＣＣｌ４反应中生成机制和能量传递过程及碱土金属原子与卤代烷反应中反应产物的能量配置规律作了简要的说明．     

Epitaxial Properties of Co-Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy

High quality Co-doped ZnO thin films are grown on single crystalline Al2O3（0001） and ZnO（0001） substrates by oxygen plasma assisted molecular beam epitaxy at a relatively lower substrate temperature of 450℃. The epitaxial conditions are examined with in-situ reflection high energy electron diffraction （RHEED） and ex-situ high resolution x-ray diffraction （HRXRD）. The epitaxial thin films are single crystal at film thickness smaller than 500nm and nominal concentration of Co dopant up to 20%. It is indicated that the Co cation is incorporated into the ZnO matrix as Co^2＋ substituting Zn^2＋ ions. Atomic force microscopy shows smooth surfaces with rms roughness of 1.9 nm. Room-temperature magnetization measurements reveal that the Co-doped ZnO thin films are ferromagnetic with Curie temperatures Tc above room temperature.     

硅分子束外延的最新进展：第五届国际硅分子束外延会议介绍

硅分子束外延的最新进展──第五届国际硅分子束外延会议介绍王迅（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）一、概况第五届国际硅分子束外延会议（ＳｉＭＢＥ－Ｖ）作为１９９３年国际固态器件和材料会议（ＳＳＤＭ’９３）的一部分于１９９３年８月３０...     

Stark Deceleration of an Effusive Molecular Beam by a Single Semi-Gaussian Beam

We propose a novel scheme to decelerate a cw precooled molecular beam by using an optical Stark decelerator, which is composed of a red-detuned cw semi-Gaussian beam. The dynamical process of the optical Stark deceleration for a cw methane molecular beam is studied by Monte Carlo simulations. It is realized that the proposed optical Stark decelerator can be used to continuously slow a cw methane molecular beam with a longitudinal temperature of 30mK, and a maximum reduction in the most probable speed of 0.388m/s （corresponding to a relative change of 9.93%） can be obtained by using a single semi-Gaussian beam with a power of 500W and a maximum central intensity of about 7.96×10^7 W/cm^2.     

电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响

本文研究了不同电子衍射条件对Si(111)外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的影响,在保持生长条件不变的情况下,沿[112]方位观测时,不同入射角下其强度振荡的相位和初始瞬态响应变化很大,甚至会发生180°相位变化,而在[011]方位观测时,其相位的变化不明显,结合Si(111)面的RHEED强度摇摆曲线测量结果,表明这种与电子衍射条件有关的振荡特性变化,实际上反映了由电子多重散射机理引起的RHEED强度振荡两种情形,对RHEED强度的初始瞬态响应机理也作了探讨。 关键词：     

直接标度分析动力生长

用直接标度分析方法研究了分子束外延生长和在长程时间、空间关联条件下的动力生长过程。分别得到了在强、弱耦合区的粗糙指数和动力学指数,并对其结果进行了讨论,说明了其弱耦合的结果与动力重整化群的结果一致的原因。 关键词：     

分子束外延Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延（ＭＢＥ）技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ－１、３７０ｃｍ－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

HL—1M装置脉冲分子束源性能研究

本文简单描述了用于脉冲分子束源的电磁阀结构和分子束的形成及其特性。在电磁脉冲作用期间形成的气脉冲，提供了一个准稳的固定时间长度的气体粒子通量。     

GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式．另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象． 关键词：     

有机分子束外延技术与研究进展

本介绍了超高真空分子束外延生长有机薄膜的技术及基研究进展,讨论了外延材料的纯化过程和杂质对外延薄膜的影响;从理论和实验观点评论了薄膜的生长性质和膜的有序结构。超高真空有机分子束外延技术是一种多用途的高技术,可以生长有机、无机、有机／无机混和的薄膜结构。这种薄膜结构是示来光学和电子器件有希望应用的新一类工程材料。     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。 关键词：     

采用N2-RF等离子体氮化GaAs(001)

研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程。GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N₂气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N₂发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构。当增加N₂气压时,损伤变得更严重。但是,在关闭N₂发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明,不开N₂发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c-GaN。     

GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长出了03微米厚的GaN薄膜,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜.这一研究结果表明在GaAs衬底上生长GaN薄膜的相结构可以通过选择不同的成核层来控制. 关键词：