适于深亚微米器件模拟的Monte Carlo方法

讨论了用于深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ 方法（ＭＣＭ）,探讨了确定自由飞行时间的自散射方法,并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。     

Monte Carlo模拟纤锌矿GaN材料中粒子最终态的确定

介绍了M on te C arlo方法模拟半导体材料和器件特性使用的三种模型,重点介绍用全带M on te C arlo方法模拟纤锌矿相G aN材料所用的两项关键技术即散射几率计算和能带结构数据库应用问题。提出了确定散射后最终态能量和波矢量的计算方法。根据散射机理和粒子能量的不同,确定最终态的方法有4种。对各向异性的极性光学声子散射,采用分析带模型与全带模型相结合,对不同的能量,非抛物面系数取不同的值的方法,提高了确定最终态的准确性,提高了计算速度。     

GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟

用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性。当VGS=0,VDS=35 V时,漏源电流为47 A/cm,跨导为300 mS/mm,电流截至频率为150 GHz。结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力。     

半导体THz辐射的Monte Carlo模拟

本文介绍了作者开发的基于面向对象语言C++和统一建模语言UML的半导体输运及THz辐射的蒙特卡罗模拟软件,并用该软件模拟了在强超短脉冲激光(光生载流子密度10¹⁹cm^-3)及强电场 (100kV/cm) 作用下GaAs的THz时域波形和相应的半导体表面局域场.通过分析THz时域波形,我们发现强外加电场下的载流子速度过冲、载流子屏蔽(或器件反应过冲)是形成THz时域波形双极结构的原因.功率谱的分析表明增加外加电场有益于提高THz的低频成份的辐射,但对高频部分(＞6THz)影响不大.     

PAM系统中抗噪性能的Monte Carlo仿真

通过对PAM系统抗噪声性能的Monte Carlo仿真，探讨了Monte Carlo方法在通信系统仿真中的作用。并且将此仿真在MATLAB平台上实现，得出差错概率与理论差错概率的仿真图基本吻合，证明了该方法的有效性。     

Si亚微米MESFET的Monte Carlo法模拟

本文是继用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ代替迭代法，加速解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程过程；用快速自散射代替常规自散射，压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果，给出亚微米栅长时Ｓｉ ＭＥＳＦＥ     

非均匀植被地表散射的Monte Carlo数值模拟与实验观测

用Monte Carlo方法数值模拟电磁波在非均匀植被地表和目标的多次散射,得到随散射计空间移动观测下进而均匀植被地表的散射模拟结果,并与X波段散射计辐射计组合系统的观测试验的测量结果作了对比。     

光散射聚合物导光板的模拟分析

导光板是液晶显示器背光照明系统的核心组件,导光板的质量优劣直接影响到液晶显示器的显示效果、厚度、使用寿命及成本。文章建立了新型体散射聚合物导光板的数学模型,并应用米散射理论和蒙特卡罗方法对此类导光板进行了模拟分析,研究了掺杂粒子种类、密度、粒径、相对折射率、导光板尺寸等因素对导光板出光效果的影响规律,筛选出了合适的导光板基质和掺杂粒子材料,为实验制作体散射聚合物导光板提供了可靠依据。     

大统计斜率随机表面光散射的Monte Carlo数值模拟

本文在Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ近似的基础上，通过Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ数值模拟，分析了大统计斜率随机表面的单次和二次散射。数值结果证明了导体和介质表面均存在起因于多次散射的后向增强散射，入射光的偏振状态对介质表面散射特征有明显的影响。数值结果与实验报导有很好吻合。     

半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较

从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析.     

单电子器件的Monte Carlo模拟

文章介绍了一种利用正统理论与Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟单电子隧穿器件的程序。该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路的输运过程。利用该程序,对单库仑岛和多库仑岛的单电子晶体管（ＳＥＴ）系统进行了模拟。     

电子束曝光的Morte Carlo模拟

建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型，运用Monte Carlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA-衬底中的散射过程，研究不同曝光条件对沉积能密度的影响，获得的沉积能分布规律是：有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层，提高曝光分辩率。     

用Monte-Carlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布

在大型薄膜生产设备中,膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法,计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影响,并把计算结果与实际测量进行了比较。     

基于蒙特卡洛方法的红外光源辐照特性模拟

以红外灯阵列作为辐射热源进行温度环境试验,为通过优化灯阵提高受热平面温度分布均匀程度,需要对红外灯在受热平面上的辐射照度分布进行建模。利用蒙特卡洛方法对发光体上光线出射位置和出射方向进行了随机抽样,确定了出射光线方程。对光线追迹获得了光线在受热平面上的落点坐标。对大量出射光线进行了随机抽样和追迹,建立了受热平面上的光线落点坐标数据库。在受热平面上划分网格并统计各网格内光线落点数量,计算得出受热平面辐射照度分布情况。和实测辐射照度数据相比,本模型可在一定范围有效模拟红外灯辐射照度分布。     

Monte Carlo Simulation of Impurity Scattering Effect in Resonant-Phonon-Assisted Terahertz Quantum-Cascade Lasers

通过蒙特卡洛方法研究了基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中杂质散射对激光器性能的影响.使用单子带静态屏蔽模型来处理电子与杂质的散射过程.发现电子与杂质的散射为电子在有源区中的注入和抽取过程提供了另外一个通道.这一过程可以影响电子在不同子带的占据数以及器件的电流.所以,在考虑基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中的电子输运过程时,需要包含电子与杂质的散射过程.     

组织光学中的Monte Carlo方法

介绍了Monte Carlo方法产生的背景、基本思想及其在组织光学应用中的重要意义，评述了其在组织光学应用中的研究进展，对其发展趋势作了展望。     

共振声子辅助的太赫兹量子级联激光器中杂质散射的蒙特卡洛模拟

通过蒙特卡洛方法研究了基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中杂质散射对激光器性能的影响.使用单子带静态屏蔽模型来处理电子与杂质的散射过程.发现电子与杂质的散射为电子在有源区中的注入和抽取过程提供了另外一个通道.这一过程可以影响电子在不同子带的占据数以及器件的电流.所以,在考虑基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中的电子输运过程时,需要包含电子与杂质的散射过程.