感受电容器的充电和放电

如图1所示，G为J0401型演示电表的G挡，并联电阻R1=300Ω，对电表起阻尼作用，避免因表针的固有振动造成假象，串联电阻R2=5kΩ，做限流保护用，C为200μF电解电容器，原来不带电，当单刀双掷开关K与b点接通的瞬间，G指针偏转。     

对一个RC电路动态响应的研究

1引言 问题如图1所示,一根粗细均匀的电阻丝,它的长度L=0．3m,电阻R=100Ω．连成如图所示的电路,     

无定形靶中离子注入的R,R_p,△R_p的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解: R=2/a[E1/2-A_1(arctg2E1/2-f/△+arctg f/△)+B1 1n(E1/2-f)~2/E-fE1/2+d·d/f~2] 其中A_1,B_1,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=F[A_2(μ)+B_2(μ)/μ1/2+C],和ω=R_p/△R_pR/R_p(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A_3(μ)μ1/2+B_3(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A_2(μ),B_2(μ),B_3(μ)和A_3(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对等关系式的物理意义作了讨论。 上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO_2等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

基态原子与理想金属Au表面间的范德瓦尔斯作用及超精细能级C_3的估算

研究了基态碱金属原子与理想金属Au表面间的范德瓦尔斯(vdW)作用.通过分析电四极跃迁对vdW的贡献,构建了计算碱金属原子的超精细能级与理想金属表面间vdW作用系数C3的理论模型.以85 Rb、133Cs为例,计算了其基态原子超精细能级的C3系数.其中85 Rb:52S1/2(F=2)及52S1/2(F=3)对应的C3系数分别为:2.2409 KHzμm3及2.2425 KHzμm3;133 Cs:62S1/2(F=3)及62S1/2(F=4)分别对应2.4480KHzμm3及2.4538KHzμm3.研究还发现随着F的增大,C3增大,z(原子与金属表面之间的距离)不变时,原子与理想金属表面间vdW作用增强.这一研究在实现原子囚禁及介质表面量子反射等方面有一定的意义.     

R取值范围对RLC串联暂态过程临界阻尼电阻的影响

在运用"RLC串联电路暂态过程中阻尼电阻与振幅和阻尼度之间关系"求临界阻尼电阻的方法中,讨论了电阻取值范围对其测量结果的影响。研究表明,当C=0.005μF,L=100 m H,电阻R的取值等于或大于800Ω时,该方法无法准确给出临界电阻的数值。     

物理下册期中测试样卷

一、填空 1.真空中的库伦定律表达式是__;静电力恒量k=__。 2.一个电容器带电量为1.6×10~(-5)C,电容是1μF,则两极板间的电势差是__. 3.在温度不变时,导线的电阻跟它的长度成___ .跟它的横截面积成___.     

论纯电阻电路的电源输出功率与电阻的关系——解读电源输出功率随电阻变化的曲线

【例1】如图1所示，电源电动势E=4V，内阻r=4Ω，R’为滑动变阻器，其电阻的最大值为3Ω，则电源的最大输出功率是多少．     

配合物[Zn(DMF)2(H2O)4]·C8Cl4O4的合成及其结构的研究

采用溶剂挥发扩散法合成了配合物单晶[Zn(DMF)2(H2O)4]·C8Cl4O4,其中DMF为N,N'-二甲基甲酰胺.配合物为三斜晶系,P-1空间群,其晶胞参数为a=0.57680(10)nm,b=0.85991(14)nm,c=1.2030(2)nm,α=95.781(3)°,β=102.074(3)°,γ=98.594(2)°,V=0.57154nm3,Z=1.Mr=585.51,Dc=1.701g/cm3,F(000)=298,μ=1.594mm-1,最终偏差因子R1=0.0315,wR2=0.0914,和R1=0.0345,wR2=0.0946,同时采用红外光谱分析、元素分析对其进行表征.     

1-正丁基咪唑合钴(Ⅱ)配合物的合成及其晶体结构分析

由1-正丁基咪唑(C7H12N2)和氯化钴(CoCl2)合成了一种新的配合物1-正丁基咪唑合钴配合物[Co (C7H12N2)6]Cl2.采用元素分析、红外光谱和X射线单晶衍射对配合物结构进行了表征.结果表明,所合成的配合物C42H72Cl2CoN12属于单斜晶系,空间群P2,晶胞参数:a=8.540(3)nm,b=16.851(5)nm,c=17.237(5)nm;α=90.00°,β=104.037(5)°,γ=90.00°;V=2406.5 (13)nm3,Z=2,Dc=1.207g· cm-3,F(000)=938,μ=0.509mm-1,R1 =0.0526,wR,=0.1664.     

惠斯通电桥的应用

1利用电桥平衡条件判断复杂电路中的等电势点有些电路看似非常复杂，求等效电阻较为困难．如能找出其中的等电势点，便可快速求解出等效电阻．例：如图1所示，已知R1-R3-R5=7Ω，R2=R4=5Ω，R6=6Ω，求RAB解此题的关键是对凡的处置问题。因为R；R4一R。R3，所以，U；、一U。，故可将儿断开或短接，很快可得出：R。。一（R；＋2将伏安法与惠斯通电桥相结合测电阻教科书用优安法测电阻，其优点是直观、简D便．但无论是电流计外1接法还是内接法，都会出现较大的系统误差．教材中介绍，为了精确测定未知电阻、可采用惠斯通电桥法测量，…