钆在MgO（110）薄膜上的吸附

为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性，首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外延生长Ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附，结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能够弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。     

氧与bcc相Co（100）表面相互作用的光电发射研究

通过在ＧａＡｓ（１００）表面生长具有弱有序的ｂｃｃ相Ｃｏ超薄膜，利用同步辐射光电发射和ＸＰＳ，研究了室温下不同氧暴露量时Ｃｏ膜的氧吸附行为。价带谱和Ｃｏ３ｐ发射谱结果表明，当暴露氧量低于４Ｌ时，氧解离吸附；更高的氧暴露量导致表面ＣｏＯ相的成核与生成。     

光电子能谱研究Ce表面的氧化

利用光电子能谱技术研究了室温Ｃｅ膜表面的氧化，分析了在不同氧气暴露量下，稀土金属Ｃｅ氧化状态和样品功函数的变化，结果表明，在Ｏ２吸会的过程中，生成两种Ｃｅ的氧化物，在低的暴露量时，氧在Ｃｅ表面的吸队十分迅速，生成Ｃｅ２Ｏ３，同时，Ｃｅ２Ｏ３中的Ｃｅ３ｄ和Ｏｌｓ谱峰随着氧气暴露量的增加向低结合能方向漂移，在高的暴露量下，氧在表面的吸附趋子缓慢，表面的Ｃｅ２Ｏ３被氧化成ＣｅＯ２，通过对样品加热，能使得     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

2：17型结构Gd—Fe—Co—Ga化合物的结构与磁性

用电弧熔炼的方法制备了Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２（０≤ｘ≤１０）和Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ（０≤ｙ≤８）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是２∶１７型结构的单相化合物．Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２的单胞体积Ｖ随Ｃｏ含量的增加单调下降，而居里温度ＴＣ单调上升，１５Ｋ下的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｃｏ含量的增加开始时略有增大，在ｘ＝０２时出现极大值，然后单调下降；对Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ的样品，随Ｇａ含量的增加单胞体积增加，居里温度和饱和磁化强度单调下降．用Ｃｏ替代Ｆｅ，或用Ｇａ替代Ｆｅ和Ｃｏ都能导致Ｆｅ或Ｃｏ次晶格出现室温单轴各向异性，这可能与Ｇａ原子的择优占位有关．     

（GdO）3BO3：Eu^3＋的合成及其荧光与结构的关系

以Ｌｉ２ＣＯ３为助熔剂合成了（ＧｄＯ）３ＢＯ３纯物相，并利用多晶Ｘ射线衍射研究了（ＧｄＯ）３ＢＯ３的结构，根据（ＧｄＯ）３ＢＯ３所属空间群中等效点系的对称性及Ｅｕ＾３＋的荧光光谱，推断出Ｇｄ＾３＋在（ＧｄＯ）３ＢＯ３中所处格位的点对称性为Ｃ１，Ｃ２或Ｃ３。     

CuI微晶掺杂硅酸盐玻璃对Nd:YAG激光器腔内自由振荡的脉宽压缩效应

ＣｕＩ微晶掺杂硅酸盐玻璃对ＮｄＹＡＧ激光器腔内自由振荡的脉宽压缩效应陈红兵华仁忠朱从善干福熹（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）半导体微晶掺杂玻璃是近年来新型纳米材料研究的热点。迄今已有对ＣｄＳｅｘＳ１－ｘ、ＣｕＣｌ等Ⅱ－Ⅵ族、Ⅰ－...     

YAG：N_d~（3＋）单晶的二阶和三阶弹性常数

我们采用超声“脉冲回波重合法”技术［１］，测定了立方晶体钇铝柘榴石（ＹＡＧ：）的二阶弹性常数，以及它们在静水压和单轴应力条件下，随压力变化，获得了三阶弹性常数．它们分别是：Ｃ１１＝３３４．７８ＧＰａ，Ｃ１２＝１０９．９５ＧＰａ，Ｃ４４＝１１５．２５ＧＰａ，和Ｃ１１１＝－３３７７．６６ＧＰａ，Ｃ１１２＝－８４１．１６Ｇｐａ，Ｃ１２３＝－３２．８６Ｇｐａ，Ｃ１４４＝－３７．６６Ｇｐａ，Ｃ１６６＝－５７９．３８Ｇｐａ，Ｃ４５６＝－１１４．６０Ｇｐａ．根据这些数据，我们还计算了ＹＡＧ：Ｎ＿ｄ￣（３＋）晶体的德拜温度以及Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数，以及ＹＡＧ：Ｎ＿ｄ￣（３＋）的状态方程．     

新型（Pb，Cd）－1222相化合物的制备、结构和电学性质

本文成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ＇０．７Ｃｅ０．３）２。Ｃｕ２Ｏｘ，Ｒ＝Ｒ＇＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以及（Ｒ，Ｒ’）＝（Ｌａ，Ｅｕ），（Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｅｕ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）．Ｘ－射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系，其结构与（Ｐｂ，ＣＵ）－１２２２相结构相似．其中（Ｒ＇，Ｒ＇）＝（Ｅｕ，Ｇｄ）的样品在氧气中成相得到２３Ｋ的超导转变临界温度．     

KAIF4：Ce,Gd磷光体的荧光特性及能量传递

采用溶液反应和固相反应,分别合成了ＫＡＩＦ４基质化合物及ＫＡＩＦ４：Ｇｄ、ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ等磷光体,研究了它们的光谱特性。结果表明,ＫＡＩＦ４：Ｇｄ无认顷皮或长波紫外辐激发下,均无任何吸收和发射。在ＫＡＩＦ４：Ｃｅ,Ｇｄ中,Ｃｅ＾３＋离子能有效地将能量传递给Ｇｄ＾３＋离子,使Ｇｄ＾３＋产生了特征锐发射,具发射强度很大。但当Ｃｅ＾３＋浓度固定不变,改变Ｇｄ＾３＋的＾６Ｐ１／２→＾８Ｓ７／２发射     

用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布

用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。     

锗酸铜晶体压致非晶化的研究

锗酸铜晶体压致非晶化的研究蓝国样，李玉栋，徐勇卫（南开大学物理系天津３０００７１）Ｐｒｅｓｓｕｒｅ－ＩｎｄｕｃｃｄＡｍｏｒｐｈｉｚａｏｎｏｆＣｏｐｐｅｒＭｅｔａｇｅｒｍａｎａｔｅＣｒｙｓｔａｌ￥ＧｕｏｘｉａｎｇＬａｎ；ＹｕｄｏｎｇＬｉａｎｄＹｏｎｇｗ...     

清洁及氧修饰Cu（100）表面上水煤气变换反应的能量学

分别以清洁及氧修饰Ｃｕ（１００）表面作为金属态铜和部分氧化态铜的表面模拟，用键级守恒Ｍｏｒｓｅ势法研究了两种表面上水煤气变换（ＷＧＳ）反应的能量学。计算结果表明：清洁Ｃｕ（１００）表面上，ＷＧＳ反应有可能同时按表面氧化还原和甲酸根两种机理进行；表面氧化还原机理中，ＣＯｓ主要由ＯＨｓ（而不是Ｏｓ）氧化为ＣＯ２ｓ。与清洁铜表面相比，Ｃｕ（１００）ｐ（２×２）Ｏ表面上ＷＧＳ反应中活化能最大的基元步骤Ｈ２     

新型（Pb,Cd）—1222相化合物的制备,结构和电学性质

本成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ‘０．７Ｃｅ０．３）２Ｃｕ２Ｏｚ，Ｒ＝Ｒ’＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以有（Ｒ，Ｒ‘）＝（Ｌａ，Ｅｕ），Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）。     

（Gd,Y）P5O14：Ce,Tb中Gd的中介能量传递和传递几率计算

研究了稀土五磷酸盐ＧｄｘＹ１－ｘ）Ｐ５Ｏ１４：Ｃｅ０．０１，Ｔｂ０．０２体系中以Ｇｄ＾３＋子晶格为中介的Ｃｅ＾３＋→Ｇｄ＾３＋→Ｔｂ＾３＋的能量传递现象。当ｘ＞０．７，在室温下激发Ｃｅ＾３＋离子可以产生有效的Ｔｂ＾３＋的发光。对ｘ＝１和０时，激发Ｃｅ＾３＋产生Ｔｂ＾３＋的发光，前者的强度约为后者的１０倍。     

Ca3Al2M3O12（M=Si,Ge）石榴石中Ce^3＋离子的荧光光谱

本文研究了Ｃａ３Ａｌ２Ｍ３Ｏ１２（Ｍ＝Ｓｉ，Ｇｅ）石榴石中Ｇｅ＾３＋离子的荧光光谱。在这两种石榴石中，Ｃｅ＾３＋的发射光谱均为Ｃｅ＾３＋的５ｄ→４ｆ能级跃迁发射宽谱带，但有很大差异。在锗酸盐中，Ｃｅ＾３＋的发射强度很弱，而在硅酸盐中发射强，２９５和７７Ｋ下在Ｃａ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２中Ｃｅ＾３＋的荧光寿命分别为４６和４９ｎｓ。Ｇｄ＾３＋和助溶剂的引入可提高Ｃｅ＾３＋的发射强度。     

ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制

本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件．     

高频半导体激光器组件及其特性的研究

本文使用ＤＣ－ＰＢＨ型激光二极管芯片，设计制作了实用化封装形式的激光器组件；在理论上和实验上研究了组件的封装模型和小信号频率调制特性，其光响应３ｄＢ带宽大于１．８ＧＨｚ。该器件可满足六次群的光通信系统的带宽要求，也可用于ＧＨｚ级的微波副载波光通信系统。     

HgCdTe阳极氧化膜及界面XPS分析

通过电子能谱仪对经阳极氧化表面钝化工艺处理的的ＨｇＣｄＴｅ表面所生成的氧化膜有界面进行深度分析研究，结果表明，该氧化膜中Ｔｅ和Ｃｄ的单质成分存在，氧化膜中的氧化物形式为ＴｅＯ２，ＣｄＴｅ２Ｏ５和ＨｇＴｅ２Ｏ５；在界面中，随着剖析深度的增加Ｔｅ２Ｏ＾２－５，向ＴｅＯ＾２－３过渡。     

环形高温超导薄膜微波谐振器及其品质因数Q的测定

利用直流磁控溅射方法制备在ＺｒＯ２基片上的ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，我们制成了环形薄膜微波谐振器，并对它的品质因数Ｑ值进行了测量，测量温区从８０Ｋ直到１５０Ｋ。当输入到谐振器的功率等于１ｍＷ，并且当它处在８１．２Ｋ时，谐振器在４．２１２ＧＨｚ（最小插损点处的频率）起振；这时的有载品质因数Ｑ值等于１７６，谐振点处的最小插损为－９．５８ｄＢ；在谐振峰两侧比最小插损低３ｄＢ两点之间的频率差为