砷化镓红外液晶光阀

详细介绍了GaAs红外液晶光阀的工作机理和制作工艺过程，给出了利用GaAs红外液晶光阀产生3－5μm和8-12μm双波段动态红外场景的结果，空间分辨率力为151p/mm，帧频30Hz，同时输出3－5μm和8－12μm红外场景。在3－5μm波段内最高可模拟等效黑体温度为300℃，在8－12μm波段内最高可模拟等效黑体温度为120℃。     

高功率半导体激光器低温特性分析

研制了一套微通道封装结构半导体激光器的低温测试表征系统,实现了对高功率半导体激光器在-60℃～0℃低温范围内的输出功率、电光转换效率和光谱等关键参数稳定可靠的测试表征.采用计算流体力学及数值传热学方法,模拟了无水乙醇、三氯乙烯以及五氟丙烷三种载冷剂的散热性能.模拟结果表明,压降均为0.47bar时,采用无水乙醇作载冷剂的器件具有最低的热阻(热阻为0.73K/W)和最好的温度均匀性(中心和边缘发光单元温差为1.45℃).低温测试表征系统采用无水乙醇作为载冷剂,最大可实现0.5L/min的载冷液体流量,最多能容纳5个半导体激光器巴条同时工作.基于该低温测试表征系统,对微通道封装结构976nm半导体激光器巴条在6%占空比下的低温特性进行了研究.测试结果表明,载冷剂温度由0℃下降到-60℃,半导体激光器的输出功率由388.37 W提升到458.37 W,功率提升比为18.02%;电光转换效率由60.99%提升到67.25%,效率提升幅度为6.26%;中心波长由969.68nm蓝移到954.05nm.器件开启电压增加0.04V,阈值电流降低3.93A,串联电阻增加0.18mΩ,外微分量子效率提高11.84%.分析表明,阈值电流的减小及外微分量子效率的提高,是促使半导体激光器在低温下功率、效率提升的主要因素.研究表明,采用液体微通道冷却的低温工作方式,是实现半导体激光器高输出功率、高电光转换效率的一种有效手段.     

耦合传热下低温柱体温度均匀性的优化分析

通过数值模拟方法分析了一个由液氮屏环绕的圆柱体温度均匀性,液氮屏与圆柱体之间具有一定距离、且内部送风,通过对对流、导热及辐射传热耦合作用的圆柱体温度分布进行分析,确定了液氮屏长度、空间进出风口位置和进风速度对柱体温度分布的影响规律。模拟结果显示:在允许的空间内,液氮屏长度越长,圆柱体的平均温度越低,当L_2/L_1=2时,圆柱体温度均匀性提高63%;采用下进上出的方式,圆柱体的平均温度较低,温度均匀性最好,温度不均匀度σ在0.03℃左右;进风速度越大,温度均匀性越好。进风速度为1.7m/s时,圆柱体的平均温度为-194.6℃,温度均匀性最好,σ为0.02℃。     

反射式电寻址红外切变聚合物网络液晶空间光调制器

为了给高帧频红外成像导引头半实物仿真提供高帧频、宽光谱、大动态范围的红外场景,利用切变聚合物网络液晶(SPNLC)电光调制机理制作了反射式电寻址SPNLC空间光调制器.通过LabView编写控制程序,利用计算机并口数据寄存器和控制寄存器为译码放大电路提供写入信号,驱动SPNLC盒各像素,实现红外图像的显示.实验得到厚度为13 μm的反射式电寻址红外SPNLC空间光调制器,当入射辐射的黑体温度为300℃,驱动电压为60 V时,测得样机所显示的几幅长波红外图像(8 μm～12 μm) 的帧频为100 Hz,输出最大温差大于15℃.     

含耐高温涂覆层长周期光纤光栅的温度特性研究

利用逐点写入法在耐高温光纤中用红外飞秒激光直接写入了长周期光纤光栅,研究了光栅的高温温度特性,并做了理论分析.通过对含耐高温涂覆层的长周期光纤光栅进行20℃～300℃的温度传感实验,结果表明:在高温段光栅的谐振波长漂移量与温度之间仍能保持大的灵敏度(0.060 5 nm/℃)和好的线性度,且光纤耐高温涂覆层不受破坏,光...     

半导体制冷片制作的高能激光靶屏

 为了用热图法测量高能激光强度的时空分布,设计了将半导体制冷片作为激光靶屏的测量方案。研制了由16个50 mm×50 mm的制冷片组装成的总面积为200 mm×200 mm、总制冷功率超4 800 W的靶屏, 屏四周安装了8个红外标定物用于校正红外图像的畸变。理论上用热传导方程建立了激光辐照半导体制冷片靶屏的加热模型;数值模拟了屏表面温度分布同光强分布的关系,论证了氧化铝陶瓷材料制成的半导体制冷片作为高能激光靶屏的可行性,以及制冷片的制冷功能对测试性能的改善;通过实验验证了研制的靶屏测量光强是可行的。     

地面目标红外特性及其隐身技术研究

随着红外搜索与制导技术的飞速发展,对于地面目标红外特征及其隐身技术的研究具有越来越重要的军事意义.在简化目标传热模型的基础之上,计算出目标的瞬时温度变化,并与背景的温度比较发现,目标与背景在一天之中均存在明显温差,最大温差可达10℃.从目标与背景的辐射对比度出发,分析了辐射对比度与目标表面发射率以及目标与背景温差的关系,发现了当目标与背景温差控制在±4℃之内时,采用固定发射率涂料可以使目标达到红外隐身的目的.     

基于法布里-珀罗半导体激光器实现高重复频率光脉冲的时钟分频

实验研究了重复速率为6.32 GHz的光脉冲注人法布里-珀罗(Fabry-Perot)半导体激光器实现3.16 GHz光脉冲输出的时钟分频现象,讨论了 Fabry-Perot半导体激光器的偏置电流、注入光功率、注入光光谱以及光谱线宽等因素对时钟分频的影响.利用光注入半导体激光器产生的周期二振荡非线性动力学特性.实现了高重复速率光脉冲的时钟分频.研究表明,当注入光的光谱较窄且锁定Fabry-Perot半导体激光器某一纵模时,在较低的偏置电流和一定的注入光功率时,时钟分频才能发生.采用半导体激光器的速率方程.通过数值模拟,研究了半导体激光器的偏置电流和线宽增强因子以及注入光功率对时钟分频的影响,所得结果与实验结果相吻合.     

光聚合物中全息光栅的温度依赖性研究

在Polyacrylic Acid(PPA)光聚合物中用双光束相干的方法成功地写入了全息光栅,用He-Ne 激光器作为探测光对光栅的写入过程进行了实时监测.分两种情况重点研究了温度对光栅成栅过程的影响,一是在不同的温度下写入光栅;二是在室温下写入光栅,待光栅强度达到最高时再改变温度来研究温度对光栅的影响.实验中温度的变化范围为25 ℃~100℃.     

快速致冷红外探测器

热成象系统采用致冷的红外探测器已被确定无疑。一般来说,热成象系统在接通致冷器后,30秒钟就进入工作状态。然而新型的热寻的导弹和激光制导导弹必须在仅仅几秒钟或更短的时间内就进入工作状态。每种用途可以要求红外探测器不同的工作温度。有些型号需要焦尔-汤姆逊(J-T)式致冷,而另一些型号可以在热电温度下工作。本文介绍快速致冷红外探测器的设计根据。列举采用焦尔-汤姆逊(J-T)致冷器的一些设计实例,并给出了J-T致冷器的性能和一种采用二级热电致冷器的探测器的情况。     

零视距地物长波红外特征场景仿真研究

为仿真地物长波红外场景图像,根据地表温度随时间变化的规律,并结合气象状况、背景材质、热特性参量、热状态等参数,在对太阳辐射、大气长波辐射、大气温度和地表热传导等影响地表温度变化的因素进行分析的基础上,建立了基于热平衡理论和热传导过程的方程。解算出多种常见地表一日之中的温度变化情况,并将其应用于由相同景物可见光纹理图像反演出的相应红外纹理图像中。在考虑景物表面自身发射、反射的辐射计算模型的前提下,生成了具有相似红外纹理细节的地表红外场景。结果表明,该方法可生成接近真实感的红外场景,有效地模拟仿真地物的长波红外特征。     

硫系玻璃在现代红外热成像系统中的应用

介绍了硫系红外玻璃的组成成分,分析了其独特的优势,建立了红外热成像系统中各个参数和温度之间关系的数学模型。基于硫系玻璃折射率温度系数小、成本低的优点,将硫系玻璃应用于红外热成像探测系统,并给出了一种折射式的中波红外热成像消热差探测系统实例,评价结果表明,该系统在低温-40 ℃、常温20 ℃、高温60 ℃都取得了良好的成像质量,适用于像元数为320 pixel×256 pixel,像元尺寸为30 μm×30 μm的中波红外凝视型焦平面阵列探测器。     

大功率、宽光谱超辐射发光管的温度稳定性研究

超辐射发光管（SLD）的温度稳定性是通过芯片制作、耦合封装和应用控制三个环节实现控制. 在一定的驱动电流下,通过提高耦合效率、改善温控器件的几何参数以及器件整体的热分布参数,实现SLD大功率、宽光谱的光功率输出,出纤光功率达到750μW／100mA,光谱宽度大于40nm. 工作温度范围为－40～＋70℃,功率波动小于2 ％.     

高温退火处理下SiNx薄膜组成及键合结构变化

采用等离子增强化学气相沉积法, 以氨气和硅烷为反应气体, p型单晶硅为衬底, 低温下(200 ℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜. 在N₂氛围中, 于500–1100 ℃范围内对薄膜进行热退火处理. 室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN_x薄膜的Si–N, Si–H, N–H键键合结构和Si 2p, N 1s电子结合能以及薄膜内N和Si原子含量比值R的变化. 详细讨论了不同温度退火处理下SiN_x薄膜的FTIR和XPS光谱演化同薄膜内Si, N, H原子间键合方式变化之间的关系. 通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800 ℃时, SiN_x薄膜内Si–H和N–H键断裂后主要形成Si–N键; 当退火温度高于800 ℃时薄膜内Si–H和N–H键断裂利于N元素逸出和Si纳米粒子的形成; 当退火温度达到1100 ℃时N₂与SiN_x薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加. 这些结果有助于控制高温下SiN_x薄膜可能产生的化学反应和优化SiN_x薄膜内的Si纳米粒子制备参数. 关键词： x薄膜')" href="#">SiN_x薄膜 Fourier变换红外吸收光谱 X射线光电子能谱 键合结构     

低温红外辐射源研究

随着空间红外探测、卫星遥感等技术的飞速发展,低温红外辐射源的需求日益迫切。研制了一种基于液体循环控温原理的低温红外辐射源。辐射源的工作温度范围为-60℃～50 ℃,控温精度达到0.01 ℃,有效发射率优于0.999 7。首先阐述了低温红外辐射源的设计原理,介绍了辐射源腔形设计,使用基于蒙特卡罗算法的软件STEEP3计算了辐射腔的有效发射率;接着对辐射腔内部温度特性进行了研究,实验结果表明低温红外辐射源辐射腔温度均匀性优于0.02 ℃,腔底温度稳定性优于0.05 ℃/h;最后通过与镓熔点黑体比较得到低温红外辐射源在29.76 ℃时的光谱发射率,与仿真计算结果一致。     

红外烟幕遮蔽率及其分布表征方法

目标与背景的辐射对比度是红外系统探测目标的主要依据,也是烟幕干扰重点降低的一个参量。结合辐射对比度的定义和红外定标原理,由目标和背景的视在辐射亮度引入其视在辐射对比度,并与目标和背景热像图的灰度值关联起来。利用烟幕遮蔽前后与目标和背景视在辐射对比度变化相对应的热像灰度对比度的变化,对烟幕遮蔽率进行表征。用提出的背景灰度方法对干扰实验结果进行了表征,计算得到3组试验的背景灰度值分别为91.902 4、88.002 0、33.285 6,并获得了目标区域各像元遮蔽率的直观分布图,克服了以往以点代面的评价方法。     

Electromagnetic wave radiation through the gyrotropic semiconductor wall of rectangular waveguide

The peculiarities of the microwave radiation through the semiconductor wall of the rectangular metallic waveguide set in the external magnetic field have been investigated. The radiation direction dependence on wave frequency, the external magnetic field, and the geometric shape of the semiconductor element have been determined. It has been shown that in the case of the wedge-like semiconductor element the radiation direction can be controlled by the external magnetic field. The experiments have been carried out in V-band at the temperature of liquid nitrogen.     

Influence of Zr_(50)Cu_(50) thin film metallic glass as buffer layer on the structural and optoelectrical properties of AZO films

Aluminum-doped ZnO(AZO) thin films with thin film metallic glass of Zr(50)Cu(50) as buffer are prepared on glass substrates by the pulsed laser deposition. The influence of buffer thickness and substrate temperature on structural, optical, and electrical properties of AZO thin film are investigated. Increasing the thickness of buffer layer and substrate temperature can both promote the transformation of AZO from amorphous to crystalline structure, while they show(100)and(002) unique preferential orientations, respectively. After inserting Zr(50)Cu(50) layer between the glass substrate and AZO film, the sheet resistance and visible transmittance decrease, but the infrared transmittance increases. With substrate temperature increasing from 25℃ to 520℃, the sheet resistance of AZO(100 nm)/Zr(50)Cu(50)(4 nm) film first increases and then decreases, and the infrared transmittance is improved. The AZO(100 nm)/Zr(50)Cu(50)(4 nm) film deposited at a substrate temperature of 360℃ exhibits a low sheet resistance of 26.7 ?/, high transmittance of 82.1% in the visible light region, 81.6% in near-infrared region, and low surface roughness of 0.85 nm, which are useful properties for their potential applications in tandem solar cell and infrared technology.     

大功率半导体激光器温度控制技术研究

介绍了半导体激光器温度控制器的结构组成,给出了控制流过TEC电流幅度、方向和最大值的方法,利用PID实现精确温度控制。实验结果表明,控制的温度范围可达-15～＋60℃,温度稳定性为0．02℃。