基于激光封焊与胶接的大封闭腔体气密技术

分析并指出了常规气密性焊接技术的缺陷,提出了一种基于激光封焊与胶接的大封闭腔体气密性密封技术。通过气密性试验、对比试验和高低温冲击试验可知,试验件的气密性能为8.6×10-3 Pa·cm³/s。采用新型组合工艺的腔体盖板在外界气压变化较大时几乎不发生变形,未出现凹陷、鼓包、焊缝裂纹或漏气等失效形式。该技术还具有可扩展性,可显著提高大封闭腔体的耐压性和气密性,有利于未来电子设备的集成化设计。     

常用封装材料的激光封焊工艺研究

介绍了激光封焊工艺的优越性及其主要工艺参数对封焊效果产生的影响,对铝合金、铜和可伐等几种常用封装材料进行了封焊研究,比较了不同表面处理对封焊效果产生的影响。实验表明,表面镀镍金可以减少镜面反射,有利于对铜进行激光封焊,却会影响铝合金和可伐的激光封焊质量。通过设置合适的工艺参数、选择合适的表面状态并且控制封装外壳的加工精度,使上述几种封装材料封焊后都达到了漏率小于1×10-9kPa.cm3/s的密封要求。     

微波腔体滤波器的快速设计及仿真

经典的微波腔体滤波器设计往往需要大量的复杂公式计算和繁琐的曲线查找。快速设计方法正是为了避免这样的过程。以梳状线带通滤波器为例,通过计算几个典型的归一化杆径和归一化间距,绘制出分别以相对带宽为横坐标,归一化杆径和归一化间距为纵坐标的快速简便的设计曲线。用ANSOFT-HFSS仿真软件对用该方法设计出的微波带通滤波器进行结构仿真,最后得到满意的结构设计尺寸,实验测试结果达到了技术指标要求,验证了该方法的正确性。     

不同封装面结构的硅铝管壳激光封焊工艺

微波模块向着小型高可靠的方向发展,硅铝合金得到了广泛应用.对硅铝管壳激光封焊的工艺进行了研究,重点讨论了不同封装面结构硅铝管壳的激光封焊工艺,针对封焊过程中出现的热裂纹进行了分析.在此基础上,对封焊过程中的脉冲波形、峰值功率、离焦量、起始点位置等工艺参数进行了优化.结果 表明,在合适的参数下,可在不同封装面结构的硅铝管...     

基于石墨烯波导激光器的Q开关操作设计

利用Y203作为波导,在输出耦合镜涂上由大气压化学汽相淀积而成的单层石墨烯,从而提出了一种新型基于脉冲激光沉积的石墨烯波导激光器,使用该激光器实现了连续波Q开关操作,仿真实验得到了较大的输出功率,脉冲持续时间较短.     

应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管

研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10^-6Ω·cm²。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm²的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。     

电控式微波铁氧体组件的开关参数

对电控式微波铁氧体组件中微波铁氧体器件与控制电路两部分的开关参数进行了粗略的分析，提出一般都是指组件的开关参数之概念。     

基于LTCC腔体结构的新型微波多芯片组件研究

 传统的微波多芯片组件(MMCM)金属壳体气密封装存在需要增加重量、互连线和成本等缺点.采用低温共烧陶瓷(LTCC)腔体技术为MMCM研制提供了一种实现微波互连基板和封装外壳一体化的理想解决方案.本文采用微波分析软件对微波LTCC腔体及其过渡结构进行了仿真和优化,并与LTCC腔体试验样品的测试结果进行了对比,两者吻合较好.采用微波LTCC腔体技术研制成功一个X波段T/R组件接收支路.     

高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作

通过对准垂直型GaN微波整流肖特基二极管结构的研究,建立了二极管势垒层和传输层模型,根据模型提出了图形化和多空气桥结构来应对现有GaN生长技术不成熟带来额外寄生电阻的问题,并设计制作出联U型器件.为了验证结构的优势,同时制作了用于对比的传统指型器件.通过大量测试,得到联U型器件的平均寄生电阻为2.38 Ω,约为指型器件的89.8％.零偏压下联U型器件的结电容为0.48 pF,约为指型器件的90.6％.联U型器件的平均截止频率为139 GHz,相比指型器件提高了约23％.在不增加寄生电容、不牺牲功率容量的情况下,降低了二极管的寄生电阻,大大提高了高频状况下GaN微波整流二极管的整流效率.     

白光LED封装工艺对其性能的影响

通过理论分析与实验数据说明了白光LED封装工艺对其性能的影响,特别针对模粒卡位、胶体外形等进行较为详细的分析。     

陶瓷与金属电子器件的绿色活性封接技术

陶瓷与金属的连接是电子产品生产的关键环节。由于陶瓷和金属的物化、力学性能上存在巨大差异,对连接技术要求非常苛刻。通过对陶瓷与金属的常用连接方法的比较分析,提出了一种绿色活性电子器件封接技术,该技术能够在空气中不使用任何焊剂连接陶瓷与金属以及其他非金属组合,具有广泛的应用前景。通过对陶瓷与金属封接接头的力学测试和微观观察发现,接头剪切强度超过30MPa,连接界面良好;表明形成了性能和质量优良的钎焊接头。     

高温高效率半导体激光器阵列封装结构研究

分析了热沉和陶瓷基板对背冷式封装结构半导体激光器阵列性能的影响.通过栅格化厚铜填充技术降低了复合金刚石热沉的等效电阻,并实现了热膨胀系数匹配;采用热沉和陶瓷基板嵌入焊接技术,提高了封装散热能力和稳定性.制作了间距为0.4 mm的5Bar条芯片阵列样品,在70℃热沉温度、200 A工作电流(占空比为1％)条件下进行性能测试,结果显示器件输出功率为1 065 W、电光转换效率为59.2％.在高温大电流条件下进行了 1 824 h寿命试验,器件表现出良好的可靠性.     

RF MEMS开关封装的通孔工艺研究

将喷胶技术应用到金属互联工艺中,此方法可以用于器件的封装。具体工艺步骤如下:在衬底与硅帽键合结束后在底部湿法刻蚀孔200μm。在孔中利用PECVD生长SiO2,优化喷胶工艺在盲孔底部进行光刻,RIE除去SiO2后电镀金与衬底正面器件实现金属互联,传输线从衬底底部引出。针对整个流程中关键的步骤,进行20μm深孔光刻实验,结果证实能在深孔中光刻图形。     

浅析如何提高变电倒闸操作效率的措施

变电倒闸是电力操作中的关键部分,同时它也是电力稳固运行的前提与保障.所以,本文针对变电倒闸操作中的一些问题,对如何提高倒闸操作效率提出建议.     

光探测器TO封装的高频分析与改进

推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO封装探测器为例,对两种方法的有效性进行了验证.分析结果表明,封装网络中电容和电感的谐振效应具有补偿作用,通过改变封装中的这些参数,改进了TO封装探测器的频响.     

光探测器TO封装的高频分析与改进

推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO封装探测器为例,对两种方法的有效性进行了验证.分析结果表明,封装网络中电容和电感的谐振效应具有补偿作用,通过改变封装中的这些参数,改进了TO封装探测器的频响.     

超级信道在高速光标记交换系统中的应用研究

将利用光频梳产生的超级信道引入光标记交换(OLS)系统中。首先,通过仿真实现了能够产生60根可用谱线的光频梳,为光标记和超级信道提供了性能良好的光源;其次,搭建了超级信道光标记交换系统,使用正交频分复用(OFDM)的方法产生超级信道,得到携带1.25Gbit/s光标记的6Tbit/s的超级信道。仿真结果表明:在误码率为10-9时,超级信道各子信道和光标记的接收光功率分别为-5.3和-18.12dBm,实现了性能良好的高速光传输。     

论软件过程的改进

本文通过“远程监控的软件系统”项目，说明了软件过程改进的方法。首先是加大需求分析力度，强调、重视和规范化了软件开发过程中各阶段的文档；二是强调系统的测试；三是引用CMM技术，通过组建工作组、制定开发计划，采用考核、评审等方法有效地对软件过程的改进提供保证。     

基于CMMI模型的电子开发项目过程改进的研究

文章以CMMI理论为依据,分析了四大基本度量之一的缺陷度量,提出了缺陷管理的度量流程,通过实际数据加以分析,并基于度量数据查找了原因,部署了改进方向。度量分析对过程控制及改进起到了积极的作用。