低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ_０．４７Ｉｎ_０．５３Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ_ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ_ｃ－０．３５ｅＶ)陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ_{０．４ 关键词：}     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。     

Gd＿（1－x）Ca＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－y）高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｙ）（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ＿ｃ／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ＿ｃ的压力导数随着ｃａ￣（２＋）含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ＿ｃ和ｄＴ＿ｃ／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ＿２面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ＿２面之间耦合解释Ｔ＿ｃ（Ｐ）曲线的非线性关系。     

液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５～３５ｎｍ。宽接触分别限制双异质结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００～８００Ａ／ｃｍ２。     

In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

机械合金化Cu＿（1－x）Sn＿x系的穆斯堡尔研究

利用机械合金化方法获得了几种铜－锡合金，特别是熔融法不易获得的，Ｘ射线衍射结果显示球磨使各样品纳米化，并形成包含确定合金相的固溶体，穆斯堡尔谱表明，各固溶体中除包含合金相外，还存在富锡相及富铜相，提出在机械合金化过程中，首先铜和锡纳米化，然后两种原子相互扩散形成包含合金相、富α－锡相和富ｆｃｃ铜相的固溶体。     

用金属有机物汽相外延法生长的有效GaAs透射式光电阴极

在用金属有机物汽相外延生长的p型GaAs层上测得了6μm的电子扩散长度。这一结果是用两种不同的技术测得的:表面光生伏特法(Surface Photovoltage)和光致发光法(Photoluminscence)。指出了光再循环效应(Photorecycling effect)和高的少数载流子扩散长度之间的关系。用此文描述的工艺流程生长成的GaAs/(Ga,Al)As双异质结制成了GaAs透射式光电阴极,获得了逸出几率为0.42,1340μA/lm的高灵敏度。     

R＿（1－x）Pr＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－δ）超导T＿c平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ＿（１－ｘ）Ｐｒ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导Ｔ＿ｃ与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ＿ｉ≤ｒ＿ｉ（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ＿ｃ平台，并且平台宽度表明一个Ｒ￣（３＋）离子尺寸效应。我们认为，Ｔ＿ｃ平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ￣（３＋）离子半径ｒ＿（ｉｃ），ｒ＿ｉ＞ｒ＿（ｉｃ）时ＲＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导电性消失     

非晶态（Fe＿（1－x）Co＿x）＿（77．5）Nd＿4B＿（18．5）合金的电阻率的压力系数和压力弛豫研究

在０．０００１－２．４ＧＰａ流体静压力范围详细研究了非晶（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿ｘ）＿（７７．５）Ｎｄ＿４Ｂ＿（１８．５）（０≤ｘ≤１．０）合金的电阻率与压力的关系，得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分ｘ变化的规律。结果表明：用少量的钴（ｘ＝０．２）替代铁，不会影响其硬磁性和热稳定性，同时却可减小电阻率的压力系数，从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在０．５１ＧＰａ保压３－２４ｂ的结构弛豫，进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分ｘ的依赖关系。     

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．     

KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究

利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．     

分子束外延Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延（ＭＢＥ）技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ－１、３７０ｃｍ－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

低补偿度n－Hg＿（1－x）Cd＿xTe的磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌｆｒｅｅｚｅ－ｏｕｔ），即首先必须在很低的温度下将导带电子冻出到施主态上。相变后的温度激活输运行为可以表示成Ｒ＿Ｈ（Ｔ）＝Ｒ＿（Ｈ０）ｅｘｐ［ａ／ｋＴ］，它实际上反映了磁冻结在施主上的电子，随温度的升高，逐步热激发到导带的过程，从磁致ＭＩＴ后的激活能初步推知，导带下存在两个浅施主能级。     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

Sm＿2Fe＿（17－x）Mo＿xC化合物的内禀磁性和MOssbauer研究

对Ｓｍ＿２Ｆｅ＿（１７－ｘ）Ｍｏ＿ｘＣ化合物的磁性和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ效应进行了系统的研究，少量Ｍｏ对Ｆｅ的有序替代，导致化合物的居里温度稍有增加，磁晶各问异性和内禀矫顽力明显增强，并且都在Ｍｏ浓度在ｘ＝０．６附近出现峰值，Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱分析表明，化合物内禀性质的变化与Ｍｏ原子择优占居结构中的１８ｈ晶位有关。     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。