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1991年5月,Bell实验室的A.F.Hebard等人首次在掺钾的C60中观察到高达18K的超导电性.于是,这项研究结果在全世界掀起广泛的研究热潮,成为近年高温超导研究领域中又一热点.本文扼要介绍C60掺杂实验的物性测量结果,引起C60超导的几种可能机制及对C60掺杂研究的意义.一、AxC60的掺杂实验及物性测量结果Hebard等人发现掺钾的C60高达18K的超导电性是在9GHz频率下,用微波损耗测量样品的电阻率随温度的变化时观察到的.当样品冷却到约20K时,电阻率略有增加,后又降低,直到5K时电阻率降为零.超导转变宽度为4.6K,4K时临界电流密度为40A/cm2.用SQUID磁强计测量证明了它的超导转变为18K. 相似文献
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在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果.
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根据C60分子的结构特征,构造了电子的局域波函数,在该函数表象下计算了电子格点之间的跳跃能量.对不等性sp3杂化,通过优化计算,当有效核电荷数Z=1.112时,得到的能隙(最低未占据轨道(LUMO)与最高占据轨道(HOMO)之间的能量差)、能带宽度以及电离能阈值分别为1.70eV,12.19eV和8.13eV.这与实验结果符合得较好.与之相应的电子跳跃能量是:最近邻分别为-2.299eV,-2.113eV;次近邻分别为0.103eV,0.170eV;三近邻分别为
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采用solgel方法制备M型六角锶铁氧体.利用X射线衍射,透射电子显微镜和VSM对纳米晶样品进行了研究.当焙烧温度小于或等于800℃,样品存在复相.在同样条件下,压成薄片的样品呈现了硬磁与软磁SrFe12O19γFe2O3的纳米复合相的磁性交换耦合作用.800℃焙烧的薄片样品的比饱和磁化强度σS为75.6A·m2kg,内禀矫顽力HcJ为478.9kAm,最大磁能积(BH)max为14.9kJm3,而粉末样品相应的分别为75.9A·m2kg,509.6kAm和12.1kJm3.当焙烧温度大于850℃时,只有
关键词:
六角锶铁氧体
纳米复合
交换耦合
磁性 相似文献
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用气相法生长出了毫米尺寸的具有规则晶面和金属光泽的高质量的纯C60单晶.X射线衍射分析表明,C60单晶在室温下具有面心立方(fcc)结构,晶格常数为α=1.4199(4)nm。用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C60单晶的形貌,除观察到fcc结构的晶体所特有的{111}和{200}两种稳定晶面以及非常容易形成的孪晶之外,还发现了在{111}面上的树枝状、垄状和生长丘以及在{200}面上的树枝状、游泳池状和生长丘的生长缺陷。对C60
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采用物理喷束淀积技术,制备了聚乙烯咔唑(PVK)与富勒烯C60的组合薄膜系列,通过测量这些组合膜和纯膜的稳态和瞬态光生电压,研究了组合膜光诱导电荷转移性质.发现PVK/C60双层组合膜的光生电压比纯PVK薄膜和PVK与C60均匀混合膜有5个数量级的增强,比纯C60薄膜也有大于一个数量级的增强.实验结果证明:在光激发下,组合膜中两种分子间发生了快速的电子转移,并在PVK/C60界面处产生有效的电荷分离,导致PVK/C60双层组合膜光生电压的显著增强.并通过与ITO/C60/Al结构的瞬态光生电压响应的比较,
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