RF放大器的数字线性补偿器

广播电视技术开始进入一个新世纪。其具体表现特征是广泛使用最先进的数字调制方式（８ＶＳＢ，ＱＡＭ，ＯＦＤＭ）以及大功率ＲＦ放大器，迄今为止，这些数字方式所需的线性只有用笨重的低效Ａ类放大器。甚至更笨重的前馈系统来实现。更效而经济的方法是让非线性功率放大器采用能对其进行补偿的预校正技术，数字预校正保证很高的线性输出并能提高效率，Ｉｔｅｌｃｏ公司已研制出一个数字自适应基带预校正器来提高效率和降低成本。该     

1.6GHz高线性高效率驱动放大器设计

在0.35μm射频CMOS工艺下,设计了一种可应用于发射终端的1.6 GHz驱动放大器.该放大器采用两级结构,第一级采用共源共栅结构,其中共源输入由两个分别工作在AB类和B类状态的并联放大管构成,提高了放大器的线性度和效率.第二级采用工作在B类状态的共源放大结构,进一步提高了驱动放大器的性能.仿真结果显示,放大器的最大输出三阶交调点为17.3 dBm,功率增加效率为57%,输出饱和功率为18.5 dBm,功率增益为26 dB,在3.3 V电压下总的电流消耗为5.4 mA.     

WJ推出新的高线性宽带放大器

WJ Communication新近推出了一种新的高线性宽带放大器。其型号为SCG002的这种宽带放大器是其高可靠性、低成本增益锁定放大器系列中的最新产品，适用于现有和下一代基站。     

ADL5360：高线性RF混频方案

ADI公司的ADL5360利用两个高线性度双平衡无源混频器内核与集成的RF和本振（LO）平衡电路实现了单端工作。ADL5360内置两个RF巴伦（Balun）,能够通过低端LO注入,在700MHz到1000MHz的RF输入频率范围内实现最佳的主混频器和分集混频器性能。平衡无源混频器提供良好的本振至射频泄漏（典型值优于-25dBm）,以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5360的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求苛刻的手机应用。高线性度IF缓冲放大器与无源混频器可提供9．5dB（典型值）的功率转换增益。     

RF2604线性中频放大器

美国RF Micro Devices(RFMD)公司成立于1991年,虽然成立时间较短,但已经发展为全球无线市场射频集成电路(RFIC)的主要供应商之一,其产品涉及无线通信的各个领域。主要包括功率放大器、线性CATV放大器、通用放大器、调制与升频器、混频器、正变解渊器、前端、可编程衰减器、中频放大器、收发器以及电压控制震荡器等一系列IC产品。 下面重点介绍RFMD公司开发的一种带有模拟增益控制和接收信号强度指示功能的线性中频放大器-RF2604     

基于CMOS工艺的高线性宽带放大器芯片设计

展示了一款基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计的高线性宽带放大器芯片,该芯片可覆盖P波段、L波段、S波段,实现宽带放大.放大器采用三级级联结构,包括输入级、中间级和输出级.输入级采用两级级联的共栅结构,在实现输入宽带匹配的同时,可有效提升隔离度,并提供一定的电压增益;中间级采用高输入阻抗的共源结构分布式放...     

1.6GHz高线性度低功耗CMOS驱动放大器

提出了一种高线性度低功耗驱动放大器的设计方法,这种设计方法采用最佳偏置(Optimum Biasing)的线性化技术提高线性度.利用这种方法设计了一个工作在1.6GHz的两级驱动放大器,第一级预放大器采用1.8V电源电压,第二级输出放大器采用3.3V电源电压.放大器在TSMC 0.18μM CMOS 工艺下仿真,仿真结果显示放大器的电压增益为31.8dB,三阶交调截取点(OIP3)为20.0dBm,输出1dB压缩点为17.7dBm,输出饱和功率为19.3dBm,静态功耗小于40mW.     

基于CMOS工艺的高线性度宽带放大器芯片设计

CMOS工艺具有显著的成本与集成优势,单片射频微波芯片成为当前研究的重点。本文设计了一种基于CMOS 0.18μm工艺的高线性度宽带放大器芯片,该放大器满足P波段、L波段及S波段射频综合(通信、雷达、电子战)系统应用。放大器芯片相对带宽达100%,整体性能良好,具有较高的增益,很高的线性度和饱和输出功率,良好的匹配特性,较低的噪声系数以及较好的反向隔离度。芯片具有较高的成本优势及实用价值,对于当前工艺节点有一定设计难度。本文分别对宽带放大器芯片中各个模块的设计进行了分析,并讨论了级间匹配及系统集成。通过芯片测试结果验证了理论分析的正确性及芯片的优越性。     

高线性可变增益放大器

ALM-81224 VGA模块取代了现有的分立解决方案,大大地节省了电路板空间并缩短了设计周期。1450～2750MHz宽泛的操作频段令该模块成为蜂窝基站自动增益控制（AGC）和温度补偿电路应用的解决方案。     

高增益、高线性度平衡放大器模块

ALM-1522非常适合如GSM、CDMA、UMTS等800MHz／900MHz移动通信频带主流标准,以及700MHz频带运作的LTE应用。     

轻轻松松搞设计——RF系统放大器IC

在无线领域中,RF放大器是一个关键的器件。在传输方,RF功率放大器(PA)功能由单片元件完成,节省了电路设计和线路板布板的时间;在接收端,低噪声放大器(LNA)集成了高频端敏感接收器的功能。 随着移动电话和ISM频带领域应用的发展,IC生产     

一种低功耗高线性度推挽跨导放大器

采用华虹NEC 0.35um BCD工艺,设计并实现了一种可作DC-DC转换器控制芯片内部误差放大器的CMOS跨导放大器,该跨导放大器采用源极电阻跨接式负反馈技术提高跨导的线性度、采用双折叠式差分对结构实现共模输入范围轨至轨(rail-to-rail)、采用低功耗偏置推挽(push-pull)输出结构提高输出驱动负载的能力,整体电路具有结构紧凑、功耗低、线性度高等特点。仿真结果表明:在5.25V电源电压下,驱动1pf负载,直流增益可以达到68.2db,功耗708uw,100kHz下跨导的三次谐波失真HD3达到-56db。     

0.15μmInGaAs PHEMT50MHz-1GHz高线性CATV放大器设计

本文对应用于CATV（有线电视）的50MHz - 1GHz频段的低噪声和高线性度单片微波集成电路（MMIC）放大器进行了设计。设计采用并联电压交流负反馈和源极电流负反馈相结合以扩大带宽和高线性度。本文引入一种新的共源共栅管基极偏置以稳定工作点来进一步提高线性度。该电路由台湾稳懋半导体公司的0.15μm InGaAs PHEMT工艺制作。测试在有线电视频段50MHz-1GHz范围内和75欧姆测试匹配系统中进行。.测试结果表明芯片小信号增益为16.5dB,带内波动小于 1dB。噪声指数在带内为1.7-2.9dB。IIP3高达16dBm。CSO和CTB分别为68dBc和77dBc。芯片面积为0.56 mm2,而功耗在5V供电下为110mA。测试结果表明芯片展现了出色的噪声性能和高线性度,非常适合于有线电视系统。     

高效率线性RF功放的研究与设计

应用EER(Envelope Elimination and Restoration)线性功放技术和高效率D类音频放大技术,实现了一个高效率线性RF功率放大器。该线性放大器为AM调制,7MHz时效率优于75％。     

高线性度RF混频器改善了3GHz范围的无线传输

为无线应用提供频率规划的灵活性、低功耗和小封装.     

应用于包络跟踪的高线性跨导运算放大器的设计

设计了一款改进的基于交叉耦合结构的跨导运算放大器(OTA)。设计和分析过程中依据严格的理论推导,新结构在高输入摆幅下线性度得到明显优化,当输入为2V@5MHz正弦波时,谐波总量从0.7%降至0.3%,并成功应用于包络跟踪功率放大器。仿真测试基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,仿真结果表明二到五次谐波分量总和从传统OTA的-40 dB降低到-52 dB,同时在VSS系统联合仿真平台上,用15 MHz带宽的OFDM调制信号测试星座图,其聚敛性也得到了明显优化,矢量误差从4.7%降至3.6%。     

性能更高、功耗更低的RF驱动放大器

ADI公司ADL5320（400MHz-2700MHz）与ADL5321（2300MHz-4000MHz）RF驱动放大器为指定输出功率提供极高的线性度,实现了低失真与直接到功放级高输出驱动。ADL5320的输出线。陛度为42dBm,     

运算放大器在线性放大器中的应用

运算放大器实质上是一个深度负反馈的高增益直流放大器。“运算放大器”首先应用于模拟计算机领域,可以完成微分、积分、加减乘除等数学运算,所以有运算放大器之称。目前运算放大器,在测量、控制、通信、信号变换等方面获得广泛应用,尤其是仪器仪表中日益见多。     

高线性度PHEMT达林顿放大器

使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压的情况下,新型放大器可以保持21.5 dBm以上的P1dB;8 V情况下,更是能达到23.5 dBm以上的P1dB;采用有源自偏置技术以后,取消了传统结构中的偏置电阻,减少了电压消耗,使电源效率提高了近40%,并且使得偏置电流、增益、IP3和P1dB对温度的敏感度大大降低。