磁二向色性光电发射

磁二向色性光电发射（ Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ） 技术是结合光电子能谱和磁二向色性技术的磁学测量方法,近年来已成为研究表面、界面和薄膜等低维体系磁性的重要手段。本文概述了其基本原理和实验方法,着重探讨几种 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 效应的产生及其理论解释,并介绍了 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 在磁性过渡金属、稀土金属低维体系中的应用。     

磁二向色性光电发射

磁二向色性光电发射（ Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ） 技术是结合光电子能谱和磁二向色性技术的磁学测量方法,近年来已成为研究表面、界面和薄膜等低维体系磁性的重要手段。本文概述了其基本原理和实验方法,着重探讨几种 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 效应的产生及其理论解释,并介绍了 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 在磁性过渡金属、稀土金属低维体系中的应用。     

基于多阳极光电倍增管的阵列型光子计数器

为了实现二维平面上以单光子的灵敏度探测光强分布,提出了一种基于多阳极光电倍增管的阵列型光子计数器。并通过高频甄别技术和等幅放大技术实现对光电脉冲的低噪声恒定放大、解串扰技术消除相邻像素间的串扰影响,最终完成了8×8阵列型光子计数器的研制。测试结果表明,本阵列型光子计数器的单像素的最大计数率为100MCPS,峰值光子探测效率约21.2%,帧频最高可以达到10kHz,在1.8m望远镜平台上可以稳定探测10等星以内的暗弱天体。     

X射线光电发射材料

分析Ｘ射线光电效应的特点,讨论俄歇电子和二次发射电子的产生机理。从“自由原子”模型出发,在理论上探讨Ｘ射线光电发射的原理,建立Ｘ射线光电发射的初步理论模型,讨论影响Ｘ躬一光电发射量子产额的几个特性参数,并对两上国际上常用的绝缘材料进行了计算,在此基础上提出了具有较高量子产额的全新硬Ｘ射线光电阴极模型。     

不同掺杂砷化镓光电阴极光电发射性能分析

采用分子束外延技术制备了具有相同的均匀掺杂或指数掺杂的反射式(r-mode)和透射式(t-mode)GaAs光电阴极样品。利用在线光谱响应测试系统测试了它们的光谱响应,并对实验曲线进行拟合,得到了电子扩散长度和积分灵敏度。结果表明,经工艺处理后的t-mode样品,在均匀掺杂情况下其电子扩散长度的减小量是指数掺杂情况的两倍,积分灵敏度的降低量后者比前者少3%,因此指数掺杂方式有利于降低组件制备工艺对阴极材料发射层的影响。     

原子多光子激发对电离阈值附近谐波发射的影响

基于动量空间和坐标空间含时伪谱方法,通过求解氢原子在强激光作用下的含时薛定谔方程,系统地研究了原子在强激光作用下电离阈值附近的高次谐波发射随着激光电场强度的变化关系.研究发现,随着入射激光强度的增加,九次谐波发射效率呈现周期性振荡结构.结合原子的激发几率计算,发现电离阈值附近的谐波增强与高激发态的布居存在相互竞争关系.     

多碱阴极光电发射机理研究

通过比较有Cs-Sb表面层多碱阴极和未有Cs-Sb表面层多碱阴极的荧光谱,发现有Cs-Sb表面层多碱阴极的荧光谱峰值波长向短波方向“蓝移”以及荧光峰增强的现象.这一现象表明在多碱阴极Na2 KSb基层上制作Cs-Sb表面层之后,不仅多碱阴极的逸出功降低,而且Na2 KSb基层的结构也发生了变化.这意味着在相同功率和相同...     

多碱阴极光电发射机理研究

通过比较有Cs-Sb表面层多碱阴极和未有Cs-Sb表面层多碱阴极的荧光谱,发现有Cs-Sb表面层多碱阴极的荧光谱峰值波长向短波方向“蓝移”以及荧光峰增强的现象.这一现象表明在多碱阴极Na2KSb基层上制作Cs-Sb表面层之后,不仅多碱阴极的逸出功降低,而且 Na2KSb基层的结构也发生了变化.这意味着在相同功率和相同频率入射光照射下,经过表面Cs-Sb处理的Na2KSb基层能够产生更多的跃迁电子并且跃迁能级更高,逸出表面的机率更大,获得的阴极灵敏度更高.这表明Cs-Sb表面层既具有表面效应,又具有体效应.要进一步提高多碱阴极的灵敏度,除进一步降低多碱阴极的逸出功外,还需进一步提高Na2KSb基层的性能,使相同功率和频率的入射光能产生更多的跃迁电子,并且跃迁的能级更高,这就需要进一步改进工艺,提高Na2KSb材料的性能.     

砷化镓光电发射的初步研究

一、前言最近,Ⅲ－Ⅴ族化合物作为光电发射体引起人们的重视．早在１９６５年,舍尔（Ｊ．Ｊ．Ｓｃｈｅｅｒ）和拉尔（ＪＶａｎ．Ｌａａｒ）［１］发表了一种ＧａＡｓ－Ｃｓ新型光电发射材料,在超高真空下劈裂一块ｐ型重掺ＣａＡｓ单晶并进行艳化处理,其灵敏度达到５００微安／流明．在詹姆士（Ｌ,Ｗ．Ｊａｍｅｓ）［２］等人的实验中,另加了氧铯层,结果比单独用铯所得的效率高．上述实验证明Ｐ型ＧａＡｓ－Ｃｓ和ＧａＡ?...     

光子计数用的光电倍增管

光子计数技术是微弱光检测的一种强有力的手段［１］．光电倍增管（以下简称ＰＭＴ）是光子计数系统中的关键器件．虽然ＰＭＴ使用已很普遍,但作为微弱光检测,并非所有ＰＭＴ均能实现．尤其作为单光子计数的测量,对ＰＭＴ有若干特殊要求．本文根据实践经验对此加以阐述,并给出两种国产器件的测试结果．一、光子计数技术对光电倍增管的特殊要求对用作光子计数系统中探测器的光电倍增管,除了与用于模拟的微弱光检测方法有相?...     

硅雪崩光电二极管单光子探测器

将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下,制作出高量子效率、低噪音、短死时间的单光子探测器.设计并制作了雪崩抑制电路,获得探测器特性参量为无源抑制方式下死时间1μs,有源抑制下60～80ns,输出脉冲宽度15～20ns.并详细检测了探测器直到液氮温度下的特性.观察到一些新现象.     

高速光子晶体面发射激光器研究进展

光子晶体面发射激光器（PCSEL）利用二维光子晶体光栅的布拉格共振实现面发射激光,具有其独特的优势,包括单模性能、在片测试、高功率、低发散角等。相比垂直腔面发射激光器（VCSEL）,PCSEL有将近两倍的有源区光限制因子,展现出高速运行的潜力。本文探讨了PCSEL的基本结构和工作原理,并详细分析了影响PCSEL激光器实现高速性能的关键因素。随后,文章系统地介绍了近年来研究者们为实现PCSEL高速性能所做的努力,重点聚焦于通过增强PCSEL的面内限制来缩小激光腔,并提供了相关的研究方向和指导。     

反光电发射谱技术及其应用

本文介绍了反光电发射谱技术的基本原理,实验设备和实验方法,并详细综述了这种技术在表面科学,磁性材料,强关联复杂系统和高分子聚合材料等方面最新的研究进展。     

反光电发射谱技术及其应用

本文介绍了反光电发射谱技术的基本原理，实验设备和实验方法，并详细综述了这种技术在表面科学，磁性材料，强关联复杂系统和高分子聚合材料等方面最新的研究进展。     

温度对金属热发射、场致发射、光电发射和次级发射的影响

:以实验为基础,分析、比较温度对金属热发射、场致发射、光电发射和次级发射的影响     

碱锑光电阴极光电发射特性的Monte-Carlo数值模拟

基于非直接跃迁模型,用Monte-Carlo方法模拟了光电子在K₂CsSb光电阴级中的输运过程,得到了和实验结果较为一致的量子产额谱、电子能谱及阴极的时间响应特性.K₂CsSb的时间响应特性计算表明薄阴极的时间响应半宽度在20～100fs左右.文中还计算了K₂CsSb阴极的导带和价带态密度.