辉光放电光源在铝合金发射光谱分析上的初步应用

前言辉光放电光源的稳定度高,只要有精度好的检测系统,可保证分析结果有很高的精密度。直接进行固体块样的合金组分元素分析,是这种光源的特长之一。用辉光放电光源作铝合金的分析,国外也有报导。因铝合金极易氧化,试样表面易形成氧化膜,所以试样不易产生正常的剥离,而且预燃时间往往很长又无规律,因而分析再现性不好。浅田庄太郎等认为铝合金的分析,用辉光放电光源是很困难的。他们在试验中还发现了第三元素的影响。试样中只要含有铜,溅射量就增大,使准确度变坏。Dogan研究了铜-     

辉光放电原子发射光谱法快速分析生铸铁

通过对辉光光源参数-放电电流、放电电压、预溅射时间和分析时间对生铸铁标样放电强度和稳定性影响的研究,优化光源参数,建立了辉光放电原子发射光谱法同时测定生铸铁中碳、硅、锰、磷、硫等12个元素的快速分析方法。分析生铸铁试样时发现了不同灰口铸铁在碳分析结果方面存在偏差,对碳的偏差进行了讨论并通过制样条件和光源参数的调整可以有效地减小偏差。通过对不同生铸铁样品进行准确度和精密度试验,结果表明:分析结果与标准值或化学法结果一致。分析一件试样的时间仅需2~5 min。     

微波等离子体增强辉光放电光源激发温度的研究

研究了一种改进型的微波等离子体增强辉光放电光源在光谱分析中的应用，对其重要的参数指标－激发温度进行了较为较细的考察。结果表明引入微波等离子体后辉光放电的激发温度明显高于单纯辉光放电时的激发温度。     

辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究

介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜,通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法。方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度、剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照。试验结果表明,分析方法快速、准确,具有实际应用价值。     

HGZ—Ⅱ型自动辉光放电光源的研制

在仔细研辉光放电光源工作过程的基础上，在国内首先设计，制成了ＨＧＺ－Ⅱ型自动辉光放电光源。该光源除换样品外，实现抽空、进气、对光、预燃、曝光、充气、复位等摄谱全过程的自动控制。有水压、真空度、短路保护措施施和醒铃线路。设计合理，性能良好，操作简便，工作安全，可靠。程控部分的编排包括顺序控制。时序控制和条件控制。由于使用通用执行元、器件，降低了成本，提高了耐用性。为满足表层，逐层分析的需要，还专门设     

辉光放电光谱法定量分析金属材料表面纳米级薄膜的研究

介绍了利用辉光放电光谱法分析金属材料表面的纳米级薄膜。通过优化辉光光源的放电参数，计算标准样品的溅射率。溅射率经校正后，建立各元素的标准工作曲线，从而形成了纳米级薄膜的定量表面分析方法。试验证明，此方法对膜厚的测定具有很好的准确度和精密度，可应用于多种金属材料表面纳米级薄膜的研究。     

辉光放电质谱研究与应用新进展

简要介绍了辉光放电的基本原理,主要概述了过去４年有关辉光放电质谱研究的新进展,包括辉光放电质谱的基础研究,新装置和新方法的发展,以及辉光放电质谱的分析应用。文中最后展望了辉光放电质谱法的发展前景。     

HGZ－Ⅱ型自动辉光放电光源的研制

在仔细研辉光放电光源工作过程的基础上，在国内首先设计、制成了ＨＧＺ－Ⅱ型自动辉光放电光源。该光源除换样品外，实现了抽空、进气、对光、预燃、曝光、充气、复位等摄谱全过程的自动控制。有水压、真空度、短路保护措施和醒铃线路。设计合理，性能良好，操作简便，工作安全，可靠。程控部分的编排包括顺序控制。时序控制和条件控制。由于使用了通用执行元、器件，降低了成本，提高了耐用性。为满足表层，逐层分析的需要，还专门设计了计数电路。供电源实现了高压直流供电和脉冲供电。该光源可应用于合金中主成分和少量杂质分析及金属、合金表层，逐层成分分析。     

一种新的发射光谱光源辉光放电灯的研制

自从一九六七年Grimm设计了一种结构特殊的辉光放电灯作为发射光谱分析的光源以来,辉光放电光源逐渐引起光谱分析工作者的注意和研究。这种光源的取样和激发机理与惯用的电弧、火花等光源有所不同。它稳定性好,共存元素影响小,谱线自吸收小,并且能对试样表面逐层地取样分析。这使它在高含量合金成份的分析和表层分析方面显示出较大的优越性。我们已研制出这种光源,对它的工作参数、性能及其相互关系进行了初步研究,并与摄谱法配合作了金属表层逐层分析,效果较好。一、设备全部设备由辉光灯、供气系统和稳压电源三部分组成。     

射频供能辉光放电原子发射光谱分析导体的基本特性

自行设计组装了射频供能辉光放电原子发射光谱仪器(rf-GD-AES),并对其分析导体试样的基本特性(包括光源的稳定性、电学特性和光谱特性)进行了研究。在此基础上建立了rf-GD-AES分析导电试样的方法,并用于铜合金标准样品中的A l和Mn的分析,其测定结果与标准值吻合很好,充分地显示了rf-GD-AES在固体样品直接分析中的潜力。     

辉光放电质谱法测定纯锡中24种杂质元素和锡记忆效应的消除

采用辉光放电质谱法(GDMS)测定了纯锡中24种杂质元素,分析方法为无标定量分析。分析前纯锡样品须依次用乙醇、水及乙醇冲洗以除去表面的灰尘颗粒,凉干后用于分析。本工作对辉光放电过程中的三项关键因素,即辉光放电电压、放电电流及放电气流三者在辉光放电溅射/电离时的相互关系及其对总离子流强度的影响进行了试验和讨论,并确定了仪器在最佳状态时辉光放电的优化条件为:放电电压590V,放电电流30mA,放电气流450mL·min~(-1)。为排除各元素测定中质谱(MS)干扰的影响,选择了在不同的分辨模式(中/高)下用相对丰度较高、干扰较少的质量数进行分析。所测定元素测定结果的相对标准偏差(n=5)均小于15%。各元素的检出限(3s)为0.003～0.174μg·g~(-1)之间。本方法所得测定结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)或电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的测定结果基本一致。经试验,通过更换GDMS的阳极帽、导流管、采样锥和透镜等4种耗材,可完全消除锡的记忆效应。     

辉光放电质谱法定量测定重掺晶体硅中替位碳含量

采用辉光放电质谱法测定单晶硅中替位碳含量,通过优化仪器工作条件,得到最佳放电参数.利用低温傅里叶变换红外光谱法对呈梯度的四个单晶硅片中替位碳含量进行赋值,将辉光放电质谱法测得替位碳强度与硅的离子束比与赋值结果作工作曲线,计算得到相对灵敏度因子(RSFcal)为1.19.在优化过的工作条件下,用辉光放电质谱法测未知样,用...     

辉光放电,阴极溅射／瞬变原子化原子吸收光谱中阴极材料的研究

辉光放电、阴极溅射／瞬变原子化原子吸收光谱中阴极材料的研究张必成（湖北大学化学系，武汉，４３００６２）关键词辉光放电，阴极溅射，阴极材料辉光放电、阴极溅射／瞬变原子化原子吸收光谱（ＴＡＣＳＧＤ／ＡＡＳ）是近年来出现的高灵敏度痕量分析技术［１］．它是通...     

GD-MS法和ICP-MS法测定高纯铌中痕量元素

采用辉光放电质谱法(GD-MS)对高纯铌中Ta,Mo,W等痕量杂质元素进行了测试,并对GD-MS工作参数进行了优化,部分元素与采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)定量分析的结果进行比较,对某些元素含量差别较大的原因进行了分析,论述了Element GD辉光放电质谱仪的特点及其在痕量杂质分析上的优势。     

大气压电解液阴极辉光放电发射光谱技术的研究进展及应用

近十多年来,大气压电解液阴极辉光放电系统在原子光谱分析中作为一种新兴的检测工具而备受关注。大气压电解液阴极辉光放电发射光谱技术兼具了光谱测量的稳定性、分析元素选择性和传感器测量方便、简洁性等优点。本文综述了基于等离子体的大气压电解液阴极辉光放电发射光谱技术的机理研究、仪器构建及改进和最新应用研究,并总结了该技术的优势及存在的问题,展望了其应用前景。     

高纯钛的辉光放电质谱法多元素分析

采用辉光放电质谱法(GD-MS)测定高纯钛中Mg、Al、Cr、Fe、V、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、As、Sn、Sb、Ta、W、Pb、Bi等痕量杂质元素,并对GD-MS工作参数及条件进行了优化。主要元素与内标校正ICP-MS法定量分析的结果一致,对结果差异的原因进行分析,论述了Element GD辉光放电质谱仪在痕量杂质元素分析方面的优势。     

活性炭和H2O2存在下辉光放电等离子体降解邻苯二胺

活性炭和H2O2存在下辉光放电等离子体降解邻苯二胺;辉光放电等离子体;降解;邻苯二胺;废水处理     

辉光放电质谱分析中质谱干扰及其校正方法的现状

详细地介绍了辉光放电质谱分析中的质谱干扰如同量异位素、多原子离子和多电荷离子干扰。从同位素选择、高分辨率仪器、碰撞诱导解离、离子源冷却、数学方法校正、放电气体更换和放电气体纯度提高等方面对辉光放电质谱的质谱干扰校正方法的现状进行了评述(引用文献共68篇)。     

辉光放电低温等离子体分解乙醇水溶液制氢

在辉光放电分解乙醇制氢过程中, 高能电子在反应中起到了最为关键的作用, 非法拉第效应使得电流效率获得大幅度提升, 产物产量远远高于理论产量. 本文研究了乙醇水溶液辉光放电等离子体电解制氢的过程. 实验研究发现, 辉光放电分解乙醇水溶液的产物主要以H₂和CO为主, 还有少量的C₂H₄、CH₄、O₂和C₂H₆. H₂体积分数能达到59%以上, CO为20%左右. 通过对影响辉光放电的因素进行实验后发现: 乙醇体积分数的大小不会影响辉光放电的伏安特性参数; 电导率的提高会使‘Kellogg 区’收窄, 同时使放电尽快进入辉光放电. 此外, 乙醇体积分数越高H₂体积分数越低, 产气速率在乙醇体积分数为30%和80%附近时达到极大值; 提高放电电压和电导率对辉光放电的影响规律是相类似的, 其实质都是增大了辉光放电加载在等离子鞘层两端的电压,H₂体积分数基本不随二者的变化而变化, 但提高溶液的电导率更有利于减少辉光放电引起的焦耳热.     

一种用于辉光放电光谱分析小件试样的附件

由于辉光放电光谱仪对样品的形状尺寸要求较高,特别对小样品的检测比较困难。文中报道了一种用于辉光放电光谱仪分析小件样品的附件,提出了设计思路、产品结构和技术特性,并给出了部分小样品的检测实例。