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通过试炼、试测、分析,确定一种满足技术要求的与GaAlAs半导体匹配的光阴极台屏玻璃配方。对该玻璃表面黑化,采用了离子交换氢还原法、玻璃中掺杂着色离子法、表面涂覆法以及溶胶凝胶法。经过试验分析,得出了玻璃表面涂覆法和溶胶凝胶法是使玻璃表面黑化的可行途径。 相似文献
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主要论述制管工艺对光电阴极发射性能的影响。通过分析仪器和光学检测方法对管子阴极制备的台内及台外工艺质量进行了在线追踪和监测.结果表明,影响台外工艺质量的主要因素是外延材料缺陷多、发射层表面氧化、杂质污染、掺杂浓度不均匀、掺杂浓度陡度变化小及GaAs与玻璃粘接产生的应力大;影响台内工艺质量的主要因素为阴极激活真空度低于8×10-8Pa.真空残气H2O.CO.CO2及C分压大于10-8Pa.阴极激活铯和氧源提纯不彻底。利用透反射光照法激活台内对组件表面测线.发现发射层表面针孔、裂纹和发雾是造成阴极发射性能低的关键因素。 相似文献
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研究了New S25与LEP^*光电阴极的光谱响应特性。从理论上分析了光电子逸出深度,光电阴极结构参量和光电阴极厚度对光谱响应特性的影响。并对实用三碱阴极的潜力进行了理论预测。明确指出集New S25与LEP^*之长获得的实用三碱阴极可以和Ⅲ-Ⅴ族NEA阴极媲美。 相似文献
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铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析 总被引:2,自引:0,他引:2
利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。结果显示,铟封后阴极整个响应波段的光谱响应下降,长波响应受到最显著的影响,表现为800~815 nm之间长波响应大幅度衰减,截止波长和峰值波长向短波移动,峰值响应和积分灵敏度减小,最终的光谱响应曲线变得平坦。阴极参量的计算结果反映铟封后阴极的表面逸出几率降低,说明铟封引起阴极表面激活层发生变化,使得能量较低的长波段光生电子不容易逸出,阴极长波响应和灵敏度随之降低。进一步分析了铟封过程中影响阴极表面激活层的因素。 相似文献
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本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术,它工艺可靠、技术先进,对提高微光管的总体指标、解决像质差、提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。 相似文献
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二供近贴微光管光电阴极转移热铟封技术 总被引:3,自引:3,他引:0
本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术,它工艺可靠,技术先进,对提高微光管的总体指标,解决像质差,提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。 相似文献
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透射式GaAs光电阴极激活技术研究 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对成像器件GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极激活技术的研究,运用分析仪器进行工艺质量在线监测,在大、薄、匀的GaAs外延层激活出的台内阴极灵敏度大于1300μA/lm。 相似文献
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为了能及时测量自制紫外像增强器的光谱响应特性,设计了一套简便的测量紫外像增强器光谱响应的系统。该系统由专用光源室、光栅光谱仪、直流稳压电源、皮安电流计4部分构成。用光栅光谱仪配套软件直接读出光源每个波长对应的辐射功率;用皮安电流计直接测量出各个波长的光照射光阴极时光阴极产生的光电流,然后求出这2个比值并用Microsoft Excel 2003进行处理,得到光电流与波长变化的曲线,即相对光谱响应曲线。从曲线可以看出,该紫外像增强器的光谱响应范围为200nm~340nm,峰值响应在270nm附近,表明该紫外像增强器具有日盲特性。测试结果表明:系统不确定度<10%。 相似文献
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GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降低,光谱响应则不断提高,但长波响应提高得更快。在激活结束后,位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构,阴极表面有效电子亲和势不断升高,光谱响应则不断下降,但长波响应下降得更快。上述现象无法用常用的反射式阴极量子效率公式进行解释,它们与阴极高能光电子的逸出有关。由于反射式阴极发射电子能量分布随着入射光子能量的升高而向高能端偏移,同时阴极表面势垒形状的变化对低能电子比对高能电子的影响更大,从而导致了光谱响应曲线形状的变化。 相似文献
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为了满足10-100 keV高能X射线光电探测器研究的需要,对CsI光阴极在该能量范围的响应灵敏度进行了研究.基于高能量X射线光子与材料相互作用的物理过程,分析了康普顿散射等效应对CsI响应灵敏度的影响.推导了CsI的响应灵敏度与二次电子平均逃逸深度和光阴极厚度的关系式和二次电子平均逃逸深度与入射光子能量的关系式,计算了CsI在10-100 keV范围内的响应灵敏度,计算结果与实验测试数据相符,验证了分析与推导的可靠性.根据计算可以获得不同入射X射线能量下CsI光阴极的最佳厚度,从而为高能X射线光电探测器的设计优化提供了理论参考. 相似文献
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针对负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEA GaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400 nm波段内反射模式NEA GaN光电阴极的量子效率曲线.测试结果表明:反射模式下NEA GaN光电阴极在230nm具有高达37.4%的量子效率,在GaN光电阴极阈值365 nm处仍有3.75%的量子效率,230 nm和400 nm之间的抑制比率超过2个数量级.文中还结合国外的研究结果,综合分析了影响量子效率的因素.
关键词:
负电子亲和势
GaN光电阴极
光谱响应
反射模式 相似文献
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夜视像增强器(蓝光延伸与近红外延伸光阴极)的近期进展 总被引:4,自引:0,他引:4
20世纪90年代以来,夜视像增强器的研究主要朝着两个方向发展:一是研究对于探测、识别与确认沙漠地带或沙地景物有贡献的蓝光延伸(<550nm)GaAs负电子亲和势(NEA)光阴极,光谱响应向短波长延伸,使光阴极灵敏度、光增益与鉴别率等性能大大优于标准三代管,从而形成“加强三代管”或所谓“四代管”,其探测性能较标准三代管高一倍;二是研究与夜天空辐射较为匹配、对1.06μm激光有较高响应的光阴极,包括研究InGaAs、NEA光阴极(1.0~1.3μm和1.5~2.0μm)和多碱光阴极(1.0~1.1μm)这三类近红外(NIR)像管,可用于主被动夜视。本文综述了这几个方面的进展及其在夜视中的实际应用。 相似文献