InN量子点的液滴外延及物性表征

由于1. 55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1. 55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究。首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在GaN模板上,采用液滴外延方法在3种温度下生长了InN量子点结构。生长过程中靠反射高能电子衍射(RHEED)对样品进行原位监控。原子力显微镜(AFM)表征结果表明随着生长温度升高,量子点尺寸变大,密度减小。在生长温度350℃和400℃下,观测到了量子点;当温度高于450℃时,未观测到InN量子点。当生长温度为400℃时,量子点形貌最好,密度为6×10~8/cm~2,对400℃下生长的InN量子点进行了变温PL测试,成功得到InN量子点在1. 55μm波段附近的光致发光,并且随着测试温度的升高,量子点的发光峰位发生了先红移后蓝移最后又红移的S型曲线变化,这种量子点有望在未来应用于量子通信领域。     

分子束外延生长Sb薄膜及其量子尺寸效应

在GaAs(001)衬底上，用分子束外延生长Sb(111)薄膜，用反射式高能电子衍射仪原位监控生长过程，用透射电子显微镜观察薄膜结构，并用van der Pauw方法测量了电阻率随生长温度的变化，观察到Sb薄膜半金属/半导体转变及其量子尺寸效应． 关键词：     

Zn1—xMnx／ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６），超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构，应变分布以及光学性能进行了研究，结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶     

分子束外延生长的n-Hg1-xCdxTe的磁输运特性

采用迁移率谱和多电子拟合过程相结合的混合电导分析法，对分子束外延（MBE）生长的Hg_1-xCd_xTe材料的变磁场实验数据进行了处理．该方法可以将外延层中体电子对电导的贡献与界面电子的贡献区分开，通过对不同温度下变磁场数据的分析，表明该方法是准确和可靠的，可以成为一种半导体材料和器件的常规电学测试和分析手段 关键词：     

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

采用激光分子束外延技术，利用两步法，在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示， TiN薄膜材料表面光滑，在10 μm×10 μm范围内，均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示，TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10^-5Ω·cm，迁移率达到5830 cm²/V·S，表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明，高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底     

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10^-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm²/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底 关键词： 激光分子束外延 TiN单晶薄膜 外延生长     

分子束外延材料从基础研究到产业化

文章计概述了分子束外延技术和材料从实验室走向产业化的成功之路,为读者提供了一个了解高技术发展的全过程：由物理学家从理论上提出人工超晶格量子阱材料;再由器件物理学家制备出若干具有重要应用价值的器件与电路,如微波毫米波高电子迁移率晶体管及电路、量子阱激光器,从而促进了分子束外延技术的发展与完善。移动通信、移动互联肉、地面宽带无结通信、汽车防碰撞雷达、高效太阳能电池等对分子束外延材料的需求为其产业化带来     

Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究

本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15?/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核”双原子层生长模式,在较低温,甚至室温时,其外延仍为双原子层模式,但是镜向弹性散射束振荡和非弹性散射束振荡的叠加会造成RHEED强度在生长的最初阶段出现“类单原子层”模式的振荡特性。 关键词：     

低温外延生长平整ZnO薄膜

在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面。本文使用分子束外延方法,采用a面蓝宝石为衬底,在450 ℃下生长了一系列ZnO薄膜样品。在富氧生长的条件下,固定氧流量不变,通过调节锌源温度来改变锌束流,以此调控生长速率。样品的生长速率为40~100 nm/h。通过扫描电镜（SEM）表征发现：在高锌束流的生长条件下,样品表面有很多不规则的颗粒;降低锌的供应量后,样品表面逐渐平整。原子力显微镜（AFM）测试结果表明：样品的均方根表面粗糙度（RMS）只有0.238 nm,接近于原子级平整度。这种平整表面的获得得益于较低的生长速率,以及ZnO外延薄膜与a面蓝宝石衬底之间小的晶格失配。     

High Lattice Match Growth of InAsSb Based Materials by Molecular Beam Epitaxy

High lattice match growth of InAsSb based materials on GaSb substrates is demonstrated.The present results indicate that a stable substrate temperature and the optimal Sux ratios are of critical importance in achieving a homogeneous InAsSb based material composition throughout the growth period.The quality of these epilayers is assessed using a high-resolution x-ray diffraction and atomic force microscope.The mismatch between the GaSb substrate and InAsSb alloy achieves almost zero,and the rms surface roughness of InAsSb alloy achieves around 1.7? over an area of 28μm×28μm.At the same time,the mismatches between GaSb and InAs/InAs_(0.73)Sb_(0.27) superlattices(SLs) achieve approximately 100arcsec(75 periods) and zero(300 periods),with the surface rms roughnesses of InAs/InAs_(0.73)Sb_(0.27) SLs around 1.8? (75 periods) and 2.1 ?(300 periods)over an area of 20μm×20μm,respectively.After fabrication and characterization of the devices,the dynamic resistance of the n-barrier-n InAsSb photodetector near zero bias is of the order of 10~6 Ω·cm~2.At 77 K,the positive-intrinsic-negative photodetectors are demonstrated in InAsSb and InAs/InAsSb SL(75 periods) materials,exhibiting fifty-percent cutoff wavelengths of 3.8 μm and 5.1 μm,respectively.     

高性能氧温双传感材料的研究

本文研究了荧光纳米材料与有机染料结合在多传感领域的应用:将荧光纳米材料CdSe/ZnS与有机染料铂(Ⅱ)四(五氟苯基)卟啉包埋于聚氨酯水凝胶D4,经过水解、缩合获得固体薄膜,来实现氧气浓度和温度的同时检测.利用发射峰在524nm的CdSe/ZnS荧光纳米材料提供温度传感,氧气传感则是基于发射峰为650nm的铂(Ⅱ)四(五氟苯基)卟啉的动态猝灭.所制得的薄膜具有良好的光学稳定性,由405nm的紫外光激发,得到两发射峰互不重叠的光谱.实验结果表明,在氧气浓度(0~30%)和温度(15~67℃)下传感膜能很好地应用于氧气和温度双传感系统,且氧气传感的灵敏系数为9.69×10-4,温度传感系数为-0.0035(误差在±0.0002),该技术为新型便携式多传感器提供了可能.     

Advanced Thermo-Optical Materials for Micro-Optical Applications

Thermo-optical phenomena in absorbing media containing nanosize ferromagnetic or ferroelectric particles in liquid or solid state matrix are investigated. Enhanced thermo-optical properties have been observed in lanthanum doped lead zirconate-titanate (PLZT) ceraMisc, sodium-bismuth titanate single crystals and ferrofluids near phase transitions.     

高温超导块材悬浮力测试系统设计

报道高温超导块材悬浮力测试系统中自动控制与数据采集部分的设计与实现。该系统采用了比较先进的 PMAC2电机运动控制卡及功能强大的软件开发平台 L abwindows/ CVI,具有系统稳定性高、可靠性好、易于人机交互等特点 ,在实际应用过程中取到了很好的效果 ,为我国高温超导块材性能的研究及高温超导磁悬浮车的研究提供了一种十分先进的研究、测试手段     

中国科学院先进材料与结构分析实验室

中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室成立于2002年1月,由中科院北京电子显微镜开放实验室(成立于1985年,为中科院第一批开放实验室之一)与物理所四个相关研究组组建而成,现任学术委员会主任是解思深院士,实验室主任是陈小龙研究员,副主任是段晓峰研究员。实验室致力于先进功能材料的合成、生长及其性能和结构的表征以及相关凝聚态物理的研究,曾获国家和部委级集体奖以及"欧莱雅-联合国教科文组织世界杰出女科学家成就奖"、     

先进材料与结构分析实验室

中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室成立于2002年1月,是在中国科学院北京电子显微镜开放实验室（成立于1985年,为中科院第一批开放实验室之一）与物理研究所三个相关课题研究组的基础上组建而成的。     

无机物高温下微结构的研究

上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室 ( SELF)的 U- 1 0 0 0型 Raman谱仪经过改造已能用两种方式在高温下进行测定。其一是由共焦显微镜 -显微加热台构成的“空间分辨法”。其二是利用电阻炉加热的“时间分辨法”。SELF正在进行冶金熔渣的微结构研究。这类物质的物性 (从冶金学考虑 ,首先是熔渣中的组元活度 )数据已有不少报道 ,但为了促进技术的发展 ,急需鉴别它们的可靠程度。并且 ,还有大量未定值的物性 (例如 :粘度、表面张力、介电常数、扩散系数等 )有待预测。而打通微观结构和宏观物性之间的渠道 ,则是解决上述问题的根本途径。本文介绍了 SELF在 <2 0 0 0 K条件下的 HTRS(高温 Raman谱 )实测和 DFT- MD计算机模拟两种研究手段 ,定量分析冶金熔渣微结构的基本思路以及若干初步的结果。事实上 ,冶金熔渣、地学中的岩浆、玻璃和陶瓷 ,乃致某些宝石都可认为是一大物类 ,所以 SEL F同时也正在进行着烯土类熔盐和功能晶体的研究。     

基于HIRFL 的高温应力材料载能离子辐照实验装置

针对未来先进核能装置候选结构材料在高温和应力等条件下抗辐照性能的评价与快速筛选的需求,基于兰州重离子研究装置( HIRFL ) 可提供的离子束流条件,设计制作了国内第一套高温应力材料载能离子辐照装置。该装置由束流扫描及探测系统、高温系统、应力系统、真空冷却系统和远程控制系统等5 部分组成,可以同时提供高温和拉/ 压应力下材料的离子束均匀辐照件,温区覆盖了室温至1 200 °C范围,拉/ 压应力范围为0 ~1176 N,x-y 方向均匀扫描面积可大于40 mmx40 mm。利用该装置,已经成功进行了多次高温和应力条件下载能离子辐照先进核能装置候选材料的实验研究,并取得了初步成果。In order to expedite the evaluation of properties of irradiated materials and the selection of candidate materials for future nuclear energy systems, we developed a specific ion irradiation equipment installed on the Heavy Ion Research Facility of Lanzhou ( HIRFL ) for materials under high temperature and stress. This equipment consists of ion beam scanning and detector system, high temperature load system, stress load system, water cooling system as well as telecommunication and control system. It can supply a wide range of temperature (from room temperature to 1 200 °C ) and stress ( pull / push from 0 to 1 176 N) simultaneously for materials under ion irradiation. The x-y scanning area with high uniformity is larger than 40 mm40 mm. This is the first suit of ion irradiation equipment made in China that can be used to study co-operating effects of high temperature and stress in an irradiated material. It has been successfully used several times for materials irradiations under high temperatures and stress, which proved that the new equipment has very good performances in experiments.